A SCR device for low voltage trigger bidirectional ESD protection, including P type substrate, the structure of NWell and PWell wells in a P type substrate, PWell trap is arranged in the middle, NWell wells in PWell wells on both sides; the PWell well in the middle of the formation of third P+ into the NWell trap in the side area; the formation of the first N+ injection zone and the first P+ injection, the other side of the NWell trap formed in second N+ and second P+ injection injection region. Through the above structure, the invention can not use additional devices under the condition of bidirectional SCR function, solves the existing technology in the layout area, and can not use additional devices under the condition of bidirectional SCR function, stable operation, high performance, easy to use, and save the layout area.
【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件
本专利技术创造涉及一种SCR器件,尤其涉及一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件。
技术介绍
可控硅(Siliconcontrolledrectifier–SCR)也叫晶闸管,在功率器件中广泛应用,因为它可以在高阻态与低阻态之间切换,可用作电源开关,然而它同时也是十分有效的ESD保护器件,由于其维持电压很低,所以能够承受很高的ESD电流,因此,SCR天然具有高的ESD鲁棒性。和其他ESD保护器件相比较,SCR器件的单位面积ESD保护能力最强。一般SCR器件为单方向ESD保护器件,另外一个方向的ESD保护由寄生二极管或者并联一个二极管来完成。采用额外的二极管来进行另外一个方向的ESD保护,会增大版图面积。但是在一些有负电压的电路中,如果IO电压低于-0.7V,GND电压为0V,采用二极管进行反方向保护时,二极管在电路正常工作时就会导通,产生漏电,必须采用双向SCR结构进行保护。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术创造提供了一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底,在P型衬底上设有NWell阱和PWell阱,PWell阱设置在中间,NWell阱设在PWell阱两侧;中间的PWell阱里形成有第三P+注入区;一侧的NWell阱里形成有第一N+注入区和第一P+注入区,另一侧的NWell阱里形成有第二N+注入区和第二P+注入区。通过以上结构,本专利技术能够在不使用额外器件的情况下,实现双向SCR的功能,解决了现有技术中存在的大版图面积的问题。为了实现上述目的,本专利技术创造采用的技术方案是:一 ...
【技术保护点】
一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底(1),其特征在于:在P型衬底上设有NWell阱(2)和PWell阱(3),PWell阱(3)设置在中间, NWell阱(2)设在PWell阱(3)两侧;中间的PWell阱(3)里形成有第三P+注入区(8);一侧的NWell阱(2)里形成有第一N+注入区(4)和第一P+注入区(5),另一侧的NWell阱(2)里形成有第二N+注入区(6)和第二P+注入区(7)。
【技术特征摘要】
1.一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底(1),其特征在于:在P型衬底上设有NWell阱(2)和PWell阱(3),PWell阱(3)设置在中间,NWell阱(2)设在PWell阱(3)两侧;中间的PWell阱(3)里形成有第三P+注入区(8);一侧的NWell阱(2)里形成有第一N+注入区(4)和第一P+注入区(5),另一侧的NWell阱(2)里形成有第二N+注入区(6)和第二P+注入区(7)。2.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P型衬底(1),其特征在于:所述的第一P+注入区(5)与第三P+注入区(8)之间,第三P+注入区(8)与第二P+注入区(7)之间,均设有浮空的栅氧化层多晶硅栅9。3.根据权利要求1所述的一种用于ESD保护的低压触发双向SCR器件,包括有P...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡小五,魏俊秀,高哲,梁超,刘兴辉,翟丽蓉,吕川,闫明,
申请(专利权)人:辽宁大学,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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