有机发光显示面板及其制作方法技术

技术编号:15510079 阅读:182 留言:0更新日期:2017-06-04 03:41
本发明专利技术公开了有机发光显示面板,其包括:基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件,外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中,所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小,以控制所述有机发光器件的灰阶,所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。本发明专利技术还公开一种有机发光显示面板的制作方法。在本发明专利技术中,低温多晶硅薄膜晶体管的漏极与有机发光器件的底电极接触,从而提供给有机发光器件的电流稳定,使有机发光器件发光稳定;金属氧化物半导体薄膜晶体管的漏电较低,从而能够实现更优的电路关闭效果。

Organic light emitting display panel and manufacturing method thereof

The invention discloses an organic light emitting display panel, which comprises a substrate and a driving thin film transistor, thin film transistor switch, storage capacitor, organic light emitting device on the substrate, the external voltage signal through the switching thin film transistor stored in the storage capacitor, the external voltage signal to control the driving thin film transistor the current size, in order to control the organic light emitting device the gray scale, the driving thin film transistor for low temperature polycrystalline silicon thin film transistor, the transistor is a metal oxide semiconductor thin film transistor. The invention also discloses a method for making an organic light emitting display panel. In the present invention, low-temperature polysilicon thin film transistor drain electrode and the bottom electrode contact of organic light emitting devices, so as to provide stable current organic light emitting devices, organic light emitting device to emit light leakage stable; metal oxide semiconductor thin film transistor is low, so as to achieve a better effect of closed circuit.

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示面板及其制作方法
本专利技术属于有机发光显示
,具体地讲,涉及一种有机发光显示面板及其制作方法。
技术介绍
近年来,有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示面板成为国内外非常热门的新兴平面显示面板产品,这是因为OLED显示面板具有自发光、广视角(达175°以上)、短反应时间(1μs)、高发光效率、广色域、低工作电压(3~10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。现有的OLED显示面板依驱动方式可分为被动式OLED显示面板(PM-OLED)和主动式OLED显示面板(AM-OLED)。在主动式OLED显示面板中,通常利用薄膜晶体管(TFT)搭配电容储存信号来控制OLED的亮度灰阶表现。为了达到定电流驱动的目的,每个像素至少需要两个TFT和一个储存电容来构成。然而,这两个TFT通常都是同种类型的,例如都是金属氧化物半导体薄膜晶体管或者低温多晶硅薄膜晶体管。然而,当利用金属氧化物半导体薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管时,金属氧化物半导体薄膜晶体管提供给OLED的电流会出现不稳定的现象,从而导致OLED发光不稳定;而当利用低温多晶硅薄膜晶体管作为引入外部送入的电压信号的开关薄膜晶体管时,低温多晶硅薄膜晶体管的漏电较高,从而无法实现更优的电路关闭效果。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的问题,本专利技术的目的在于提供一种能够同时实现OLED发光稳定且电路关闭效果更优的有机发光显示面板及其制作方法。根据本专利技术的一方面,提供了一种有机发光显示面板,其包括:基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件,外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中,所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小,以控制所述有机发光器件的灰阶,所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。进一步地,所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管,所述金属氧化物半导体薄膜晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜晶体管。根据本专利技术的一方面,还提供了一种上述的有机发光显示面板的制作方法,其包括:在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层;在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极;在多晶硅层的两端分别制作形成第一源极接触部和第一漏极接触部,且在金属氧化物半导体层的两端分别制作形成第二源极接触部和第二漏极接触部;在栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上制作形成层间绝缘层;在层间绝缘层上制作形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极;所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极贯穿层间绝缘层和栅极绝缘层,以分别与对应的第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部接触;在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成平坦层;在平坦层上制作形成底电极;所述底电极贯穿平坦层,以与第一漏极接触;在平坦层和底电极上形成像素限定层,并且在像素限定层中形成暴露底电极的凹槽;在暴露的底电极上顺序形成有机电致发光器件和顶电极。可选地,在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层之前,先在基板上制作形成缓冲层。可选地,在制作形成平坦层之前,先在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成钝化层。可选地,在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层的方法包括步骤:在基板上沉积非晶硅层;以退火方式使非晶硅层再结晶,从而形成多晶硅层;在基板上沉积与所述多晶硅层分隔开的金属氧化物半导体层。可选地,在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层之后,对栅极绝缘层的与多晶硅层相对的部分或栅极绝缘层的与金属氧化物半导体层相对的部分进行减薄。可选地,在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极的方法包括步骤:在栅极绝缘层上沉积栅极金属层;在栅极金属层上涂布光阻;对光阻进行曝光、显影,以去除将要形成的第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上的光阻以外的光阻;将暴露出的栅极金属层刻蚀去除。可选地,制作形成第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部的方法包括步骤:对多晶硅层的两端和金属氧化物半导体层的两端分别进行离子注入;去除第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上的光阻;对离子注入后的多晶硅层和金属氧化物半导体层进行加热活化,从而在多晶硅层的两端分别形成第一源极接触部和第一漏极接触部,且在金属氧化物半导体层的两端分别形成第二源极接触部和第二漏极接触部。可选地,在对多晶硅层的两端和金属氧化物半导体层的两端分别进行离子注入的步骤中,采用的离子为硼离子。本专利技术的有益效果:在本专利技术中,利用低温多晶硅薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管,其漏极与OLED的底电极接触,从而提供给OLED的电流稳定,使OLED发光稳定;并且利用金属氧化物半导体薄膜晶体管作为引入外部送入的电压信号的开关薄膜晶体管,金属氧化物半导体薄膜晶体管的漏电较低,从而能够实现更优的电路关闭效果。此外,金属氧化物半导体薄膜晶体管虽然光照可靠性差,但是其只作为开关薄膜晶体管时光照可靠性差对整个器件影响较小,而低温多晶硅薄膜晶体管的光照可靠性比较好,因此无需在基板上制作遮光层;并且二者都是顶栅结构,所以不会增加制程工序,而且寄生电容都比较小。附图说明通过结合附图进行的以下描述,本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚,附图中:图1是根据本专利技术的实施例的OLED显示面板的像素电路图;图2A至图2L是根据本专利技术的实施例的OLED显示面板的制作流程图;图3A至图3C示出根据本专利技术的实施例的多晶硅层和金属氧化物半导体层的制作流程图;图4A至图4D是根据本专利技术的实施例的第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极的制作流程图;图5A至图5C是根据本专利技术的实施例的第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部的制作流程图。具体实施方式以下,将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而,可以以许多不同的形式来实施本专利技术,并且本专利技术不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反,提供这些实施例是为了解释本专利技术的原理及其实际应用,从而使本领域的其他技术人员能够理解本专利技术的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。在附图中,为了清楚器件,夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中表示相同的元器件。图1是根据本专利技术的实施例的OLED显示面板的像素电路图。参照图1,在主动式OLED显示面板中,主动驱动方式是有TFT和储存电容来控制像素的明暗,当扫描线开启时,外部电路送入的电压信号经数据线和开关TFT100储存在储存电容300中,该电压信号控制驱动TFT200导通电流的大小,该电流大小决定OLED400的灰阶,当扫描线关闭时,储存于储存电容300中的电压仍能保持驱动TFT200处于导通状态,故能在一个画面时间内能为OLED提供固定电流。在本实施例中,驱动TFT200为低温多晶硅薄膜晶体管,开关TFT100本文档来自技高网...
有机发光显示面板及其制作方法

【技术保护点】
一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件,外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中,所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小,以控制所述有机发光器件的灰阶,所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:基板以及形成在所述基板上的驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容、有机发光器件,外部电压信号经所述开关薄膜晶体管储存在所述存储电容中,所述外部电压信号控制所述驱动薄膜晶体管的导通电流的大小,以控制所述有机发光器件的灰阶,所述驱动薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管为金属氧化物半导体薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板。其特征在于,所述低温多晶硅薄膜晶体管为P型低温多晶硅薄膜晶体管,所述金属氧化物半导体薄膜晶体管为N型金属氧化物半导体薄膜晶体管。3.一种权利要求1或2所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层;在基板、多晶硅层和金属氧化物半导体层上制作形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层上制作形成第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极;在多晶硅层的两端分别制作形成第一源极接触部和第一漏极接触部,且在金属氧化物半导体层的两端分别制作形成第二源极接触部和第二漏极接触部;在栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极和第一存储电容电极上制作形成层间绝缘层;在层间绝缘层上制作形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极;所述第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极贯穿层间绝缘层和栅极绝缘层,以分别与对应的第一源极接触部、第一漏极接触部、第二源极接触部和第二漏极接触部接触;在层间绝缘层、第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极和第二存储电容电极上制作形成平坦层;在平坦层上制作形成底电极;所述底电极贯穿平坦层,以与第一漏极接触;在平坦层和底电极上形成像素限定层,并且在像素限定层中形成暴露底电极的凹槽;在暴露的底电极上顺序形成有机电致发光器件和顶电极。4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板的制作方法,其特征在于,在基板上制作形成多晶硅层和金属氧化物半导体层之前,先在基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员:周星宇迟世鹏
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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