一种像素bank结构及制作方法技术

本发明专利技术公开一种像素bank结构及制作方法，像素bank结构包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。本发明专利技术在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。

Pixel bank structure and manufacturing method

The present invention discloses a pixel structure and manufacturing method of bank, bank pixel structure includes a pixel between bank area and bank area is located in the adjacent pixel light emitting region, on the surface of the pixel region bank is provided with a plurality of micro nano structure. The present invention is formed on the surface of the pixel area on the bank micro nano structure, the surface is uneven, and thus enlarge the liquid surface distance bank pixel area on the medial wall of bank region and forming a pixel formed on surface of different degrees of closeness of liquid structure, thus forming a bank pixel structure for printing process, greatly simplifying the existing suitable for printing the bank production process, improve production efficiency, saves the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种像素bank结构及制作方法
本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种像素bank结构及制作方法。
技术介绍
采用溶液加工制作OLED以及QLED器件，由于其低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是未来显示技术发展的重要方向。其中，印刷技术被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。但作为一个新兴技术，溶液法印刷技术和印刷工艺一直未能得到很好的解决。虽然研究者们从材料及喷印设备对其进行了改进，但是印刷出的薄膜形貌不均匀等问题一直都未能有效解决。在常规印刷OLED或QLED器件中，像素界定层(PDL或bank)呈现上窄下宽的结构，以限制墨水在印刷时向四周溢出，其结构如图1所示，在基板10上制作像素电极11，像素电极11所在区域为像素发光区13，像素发光区13两侧为像素bank区12，这种结构是通过曝光掩膜来制作的，曝光掩膜1如图2所示，分为不透光区3和透光区2，其中不透光区3对应与像素发光区13，透光区2对应像素bank区12，曝光显影后，不透光区3下的光阻材料被显影掉，形成像素发光区13，而透光区2下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区12，像素bank区12的上表面与内侧壁均匀光滑表面，具有相同的亲疏液特性。为保证墨水成膜的均匀性，bank内部需与墨水呈现亲液性质，即小角度接触角；而同时为避免墨滴铺展到相连像素，bank上半部分需要与液体呈现疏液性质，及大角度接触角。为了实现bank上部与下部墨水不同的接触角区别，bank往往由多种材料组成并经过多次复杂工序制成。通过此方式以保证墨水对bank亲疏液性，但这种方式存在多次对位、曝光、显影和刻蚀工序，导致制程复杂、效率低、成本大幅增加，极大的限制了印刷技术在大尺寸显示器制造方向上的运用。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种像素bank结构及制作方法，旨在解决现有的bank结构制程复杂、效率低、成本高等问题。本专利技术的技术方案如下：一种像素bank结构，其中，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。所述的像素bank结构，其中，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。所述的像素bank结构，其中，所述像素bank区为负性光阻。一种如上所述的像素bank结构的制作方法，其中，包括步骤：A、在基板上制作像素电极；B、再在像素电极上沉积一层光阻；C、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；D、对光阻进行显影；E、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm。所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤C中，曝光后，半透光区下方的光阻形成微纳结构。所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述步骤B中沉积的光阻厚度为1~1.5μm。所述的像素bank结构的制作方法，其中，所述光阻为负性光阻。有益效果：本专利技术在像素bank区上表面形成微纳结构，使其上表面凹凸不平，从而放大像素bank区上表面的亲疏液性，形成像素bank区的内侧壁与上表面形成不同程度亲疏液性结构，从而形成有利于印刷工艺的像素bank结构，大大简化了现有适用于印刷工艺的bank制作工艺，提高了制作效率，节约了制作成本。附图说明图1为现有技术中一种像素bank结构的结构示意图。图2为现有技术中一种曝光掩膜的结构示意图。图3为本专利技术中一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图。图4为一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图。图5为本专利技术中一种曝光掩膜较佳实施例的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种像素bank结构及制作方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图3，图3为本专利技术一种像素bank结构较佳实施例的结构示意图，如图所示，其包括像素bank区22以及位于相邻像素bank区22之间的像素发光区23，所述像素bank区22的上表面具有多个微纳结构221。本专利技术实施例中，先在基板20上形成像素电极21，像素电极21所在区域即为像素发光区23，像素发光区23两侧即为像素bank区22，而像素bank区22上表面的微纳结构221即为微纳尺寸的结构，由于在像素bank区的上表面形成微纳结构221，使其上表面形成了凹凸不平的表面，从而放大像素bank区22上表面的亲疏液性，形成像素bank区22内侧壁与像素bank区22上表面不同程度亲疏液性结构，这种bank结构有利于印刷工艺的实施，可以大大简化现有适用于印刷工艺的bank结构的制作，节约了制作成本，提高了制作效率。所述微纳结构221可以是半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起，当然也可以是随机的无规则凸起等。另外也可以是其他凸起结构，只要能在像素bank区22上表面形成凹凸不平表面即可。所述微纳结构221的尺寸优选为50~500nm，即微纳结构221的长和宽均限制在50~500nm以内，或者直径限制在50~500nm以内。所述像素bank区22的厚度优选为1~1.5μm，例如为1μm。所述像素bank区22优选为负性光阻。这是因为负性光阻经过曝光后会发生膨胀，且膨胀程度随曝光量的不同而不同，本专利技术可通过在负性光阻区形成微纳尺寸的不同曝光量区域，由于膨胀程度的区别形成微纳尺寸的凹凸不平表面，即具有微纳结构221的表面。请参阅图4，图4为本专利技术一种像素bank结构的制作方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤：S1、在基板上制作像素电极；S2、再在像素电极上沉积一层光阻；S3、利用曝光掩膜对光阻进行曝光，其中，曝光掩膜具有透光区和不透光区，其中不透光区对应于像素发光区，透光区对应于像素bank区，所述透光区包括全透光区以及具有微纳尺寸的半透光区；S4、对光阻进行显影；S5、对未被去除的光阻进行烘干，形成像素bank结构。本专利技术实施例的制作方法相对于传统的制作方法，其主要不同之处在于步骤S3中，所采用的曝光掩膜与传统的曝光掩膜有所不同。具体来说，如图5所示，本专利技术实施例中的曝光掩膜4其具有透光区5和不透光区6，不透光区6对应于像素发光区23，曝光显影后，不透光区6下的光阻材料由于未被曝光所以会被显影液去除，形成像素发光区23。而在透光区5中除了包括传统的全透光区之外，还包括具有微纳尺寸的半透光区，其中的全透光区在曝光显影后，其下方的光阻无法被显影液去除而形成像素bank区22，但同时由于具有微纳尺寸的半透光区，所以在整个透光驱会存在不同曝光量的区域，所以在曝光和显影后形成的像素bank区22上表面会形成凹凸不平的微纳结构221，即在半透光区下方的光阻形成微纳结构221。其中，所述半透光区的尺寸为50~500nm，以使形成的微纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素bank结构，其特征在于，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。

【技术特征摘要】
1.一种像素bank结构，其特征在于，包括像素bank区以及位于相邻像素bank区之间的像素发光区，所述像素bank区的上表面具有多个微纳结构。2.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区的厚度为1~1.5μm。3.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构的尺寸为50~500nm。4.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述微纳结构为半球状凸起、柱状凸起或椭球状凸起。5.根据权利要求1所述的像素bank结构，其特征在于，所述像素bank区为负性光阻。6.一种如权利要求1所述的像素bank结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上制作像素电极；B、再在像素电极上沉积一层光阻；C、...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44