The present disclosure relates to an image sensor. An image sensor includes a semiconductor substrate, a first pair of photoelectric conversion regions in the first pixel region of the substrate, and a first isolation structure between the photoelectric conversion region of the first pair of photoelectric conversion regions. The sensor further includes a second pixel area adjacent to the first pixel area of the substrate in the second area, and on the conversion between the second photoelectric conversion region of photoelectric conversion region and has second isolation structure and optical properties of the first isolation structure of different. Different first color filters and second color filters, such as green and red filters, can be arranged in respective pixel areas in the first pixel region and the second pixel region.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本公开涉及图像传感器,更具体地涉及将成对光电转换器件用于自动聚焦(AF)和其它功能的图像传感器。
技术介绍
图像传感器是将光学图像转换为电信号的器件。随着计算机和通信产业的日益发展,在诸如数码相机、便携式摄像机、个人通信系统、游戏机、监控摄像机、用于医学应用的微型摄像机和/或机器人的各种应用中,有对高性能图像传感器的增长的需求。因此,对具有高性能的成像设备或图像传感器具有增长的需求。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施方式提供具有改善的光学特性的图像传感器。在一些实施方式中,一种图像传感器包括第一导电类型的半导体衬底和布置在半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层。图像传感器进一步包括在各个第一像素区和第二像素区中布置在半导体衬底中的第二导电类型的相应对第一光电转换区和第二光电转换区。在各第一像素区中,相应第一隔离结构被布置在半导体衬底中在第一光电转换区和第二光电转换区之间,以及在各第二像素区中,相应第二隔离结构被布置在半导体衬底中在第一光电转换区和第二光电转换区之间,第二隔离结构在其折射率和/或形状方面不同于第一隔离结构。第一像素区和第二像素区沿正交的第一和第二方向布置成矩阵,以及第二像素区布置在第一像素区中的沿第一方向的相邻第一像素区之间以及在第一像素区中的沿第二方向的相邻第一像素区之间。附加实施方式提供一种图像传感器,其包括第一导电类型的半导体衬底、以及在半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层。图像传感器进一步包括在各个第一像素区和第二像素区中的第二导电类型的相应对第一光电转换区和第二光电转换区。 ...
【技术保护点】
一种图像传感器,包括:第一导电类型的半导体衬底;布置在所述半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层;布置在所述半导体衬底中在各个所述第一像素区和第二像素区中的相应对第二导电类型的第一光电转换区和第二光电转换区;在各个所述第一像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第一隔离结构;以及在各个所述第二像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第二隔离结构,所述第二隔离结构在其折射率和/或形状方面不同于所述第一隔离结构,其中所述第一像素区和第二像素区沿正交的第一方向和第二方向布置成矩阵,以及其中所述第二像素区布置在所述第一像素区中所述第一方向上的相邻第一像素区之间以及在所述第一像素区中所述第二方向上的相邻第一像素区之间。
【技术特征摘要】
2015.10.12 KR 10-2015-01423101.一种图像传感器,包括:第一导电类型的半导体衬底;布置在所述半导体衬底中且在其中限定第一像素区和第二像素区的器件分隔层;布置在所述半导体衬底中在各个所述第一像素区和第二像素区中的相应对第二导电类型的第一光电转换区和第二光电转换区;在各个所述第一像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第一隔离结构;以及在各个所述第二像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之间的相应第二隔离结构,所述第二隔离结构在其折射率和/或形状方面不同于所述第一隔离结构,其中所述第一像素区和第二像素区沿正交的第一方向和第二方向布置成矩阵,以及其中所述第二像素区布置在所述第一像素区中所述第一方向上的相邻第一像素区之间以及在所述第一像素区中所述第二方向上的相邻第一像素区之间。2.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层,以及其中所述第二隔离结构包括沿所述第二方向延伸的线形结构且包括包含所述第一导电类型的掺杂剂的杂质区。3.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一隔离结构包括具有沿所述第二方向延伸的线形结构的绝缘层,以及其中所述第二隔离结构包括包含沿所述第一方向延伸的第一部分和沿所述第二方向延伸的第二部分的绝缘层。4.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述器件分隔层包括沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向彼此间隔开的第一部分、以及沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向彼此间隔开的第二部分,以及其中所述第一隔离结构和第二隔离结构沿所述第二方向延伸以接触所述器件分隔层的所述第一部分。5.如权利要求1所述的图像传感器,其中,在所述第一像素区中,所述第一光电转换区和第二光电转换区单独地被所述器件分隔层和所述第一隔离结构围绕,以及其中在所述第二像素区中,所述第一光电转换区和第二光电转换区独立地被所述器件分隔层和所述第二隔离结构围绕。6.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述半导体衬底具有在其对立的第一侧和第二侧上的第一表面和第二表面,其中所述器件分隔层具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开第一距离的底表面,其中所述第二隔离结构具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开第二距离的底表面,以及其中所述第二距离基本上与所述第一距离相同。7.如权利要求6所述的图像传感器,其中所述第一隔离结构具有与所述半导体衬底的所述第二表面间隔开所述第一距离的底表面。8.如权利要求1所述的图像传感器,其中所述半导体衬底进一步包括第三像素区,所述第三像素区由所述器件分隔层限定且布置在所述第二像素区的对角线方向上在所述第一像素区中沿所述第一方向的相邻第一像素区之间且在所述第一像素区中沿所述第二方向的相邻第一像素区之间,以及其中所述图像传感器进一步包括在各个所述第三像素区中布置在所述半导体衬底中在所述第一光电转换区和第二光电转换区之...
【专利技术属性】
技术研发人员:李景镐,金昇炫,安赫,李允基,崔赫洵,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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