一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可提高阵列基板的抗腐蚀能力。所述方法包括：在衬底上形成第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层，第一刻蚀阻挡层在衬底上的投影落入第二金属线在衬底上的投影内；通过第一次刻蚀，在钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；第一过孔在衬底上的投影落入第一金属线在衬底上的投影内，并暴露出绝缘膜层的表面；第二过孔在衬底上的正投影落入第一刻蚀阻挡层在衬底上的正投影内，并暴露第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在绝缘膜层上形成第三过孔，第三过孔与第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露第一金属线；去除第二过孔下方的第一刻蚀阻挡层露出第二金属线。

Array substrate and preparation method thereof

The invention provides an array substrate and a preparation method thereof, relating to the field of display technology, and improving the corrosion resistance of an array substrate. The method includes: forming a first insulating film second, metal wire, metal wire, a first etching barrier layer and the passivation film on the substrate, the first projection projection etching barrier layer on a substrate into second metal wires on the substrate; the first etching, forming a first through hole and the second through hole in the passivation film the first layer; projection vias in a substrate into a first metal line projection on the substrate, and exposing the surface of the insulating film; projection second vias on the substrate in the first projection etching barrier layer on the substrate, and exposing the first etching barrier layer surface by second times; etching vias in the insulating film third is formed on the third projection hole and the first through hole on the substrate overlap, and exposed the first metal wire; first etching second vias beneath the barrier removal Expose the second wire.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
现有的显示装置包括阵列基板，阵列基板上设置有栅线和数据线，IC(integratedcircuit，集成电路)在绑定区与栅线和数据线连接，向栅线和数据线输出控制信号。栅线和数据线与IC连接时，为了对栅线和数据线进行水氧阻隔，本领域技术人员采用栅线透明导电层通过栅线接触孔与栅线连接、数据线透明导电层通过数据线接触孔与数据线连接，IC再与栅线透明导电层和数据线透明导电层进行连接的方式与栅线和数据线进行连接。现有阵列基板的制作流程中，阵列基板的栅线接触孔和数据线接触孔往往是通过一次构图工艺形成的。具体的，如图1和图2所示，第一金属线20远离衬底10一侧依次设置有绝缘层40和钝化层50；第二金属线30远离衬底10一侧设置有钝化层50。要露出第一金属线20需刻蚀掉其上方待形成第一金属线接触孔位置处的绝缘层40和钝化层50，而要露出第二金属线30只需刻蚀掉其上方待形成第二金属线接触孔位置处的钝化层50。在一次构图工艺中，第一金属线接触孔位置处需要刻蚀的膜层厚度(绝缘层40和钝化层50厚度之和)远大于待形成第二金属线接触孔位置处需要刻蚀的膜层厚度(钝化层50厚度)，这样一来，如图3所示，刻蚀过程中第二金属线30露出时，第一金属线20还未露出，刻蚀继续进行，而此时第二金属线30已经裸露在刻蚀环境中。现有技术中刻蚀第一金属线接触孔和第二金属线接触孔时一般采用的是干法刻蚀，而干法刻蚀时工艺气体被电离，产生的等离子体会对金属材料具有较强的轰击作用，使金属材料的金属晶格状态被破坏，造成金属层严重损伤。如图4所示，继续完成刻蚀形成第一金属线接触孔，并对光刻胶进行剥离后，由于剥离液是碱性液体，在剥离液和空气中的水汽的影响下，第二金属线30的第一刻蚀阻挡层层容易遭到损坏，造成第二金属线30大面积腐蚀。而第二金属线30被腐蚀在后续制备过程中会影响整个阵列基板的抗腐蚀能力。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法，可提高阵列基板的抗腐蚀能力。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上依次形成第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影落入所述第二金属线在所述衬底上的正投影内；通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线。优选的，所述第一刻蚀阻挡层的材料为金属；所述通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线，具体包括：在形成有第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层的衬底上形成光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全去除部分至少与待形成的所述第一过孔和所述第二过孔对应；采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；采用化学反应法对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；采用干刻蚀法对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶，并对所述第二过孔下方的所述第二刻蚀阻挡层进行溶解，露出所述第二金属线。优选的，所述采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；采用化学反应法对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；采用干刻蚀法对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔，具体包括：向等离子体刻蚀设备内通入六氟化硫，对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；向所述等离子体刻蚀设备内通入氧气，对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；向所述等离子体刻蚀设备内通入六氟化硫，对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔。优选的，所述第一刻蚀阻挡层的材料为金属氧化物；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线，具体包括：通过构图工艺在绝缘膜层上形成第三过孔后，采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶的同时，对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行溶解，露出所述第二金属线。优选的，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影与所述第二金属线在所述衬底上的正投影重合。优选的，所述第一金属线为栅线，所述第二金属线为数据线；在所述衬底上形成第二金属线的同时，还形成源电极和漏电极；通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔的同时，还形成第四过孔；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线的同时，还对所述第四过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行去除以露出所述漏电极。优选的，所述方法还包括：在所述钝化膜层远离所述衬底一侧形成包括第一透明导电结构和第二透明导电结构的透明导电层；所述第一透明导电结构通过所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一金属线电连接，所述第二透明导电结构通过所述第二过孔与所述第二金属线电连接。优选的，所述第一刻蚀阻挡层的材料为Al。基于上述，优选的，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为5～10nm。第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板通过第一方面所述的方法制备得到。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法，在形成第二金属线后形成一层图案化后的第一刻蚀阻挡层，这样一来，钝化膜层上刻蚀形成第一过孔和第二过孔后，第一刻蚀阻挡层会遮挡住第二过孔下方的第二金属线但露出第一过孔下方的绝缘膜层。此时，继续对绝缘膜层刻蚀形成第三过孔的过程中，刻蚀工艺气体不会对第二过孔下方的第二金属线产生影响。第三过孔形成后，再对第二过孔下方的第一刻蚀阻挡层进行去除，露出第二金属线。通过上述步骤制备形成的阵列基板，第二金属线的金属晶格状态不会遭到破坏，从而可提高整个阵列基板的抗腐蚀能力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影落入所述第二金属线在所述衬底上的正投影内；通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层，所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影落入所述第二金属线在所述衬底上的正投影内；通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料为金属；所述通过第一次刻蚀，在所述钝化膜层上形成第一过孔和第二过孔；所述第一过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一金属线在所述衬底上的正投影内，并暴露出所述绝缘膜层的表面；所述第二过孔在所述衬底上的正投影落入所述第一刻蚀阻挡层在所述衬底上的正投影内，并暴露所述第一刻蚀阻挡层的表面；通过第二次刻蚀，在所述绝缘膜层上形成第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔在衬底上的正投影重叠，并暴露所述第一金属线；去除所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层以露出所述第二金属线，具体包括：在形成有第一金属线、绝缘膜层、第二金属线、第一刻蚀阻挡层和钝化膜层的衬底上形成光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留部分和光刻胶完全去除部分；其中，所述光刻胶完全去除部分至少与待形成的所述第一过孔和所述第二过孔对应；采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方的所述钝化膜层进行刻蚀，形成所述第一过孔和所述第二过孔；采用化学反应法对所述第二过孔下方的所述第一刻蚀阻挡层进行氧化，形成第二刻蚀阻挡层；采用干刻蚀法对所述第一过孔下方的所述绝缘膜层进行刻蚀，形成所述第三过孔；采用剥离工艺去除所述光刻胶完全保留部分的光刻胶，并对所述第二过孔下方的所述第二刻蚀阻挡层进行溶解，露出所述第二金属线。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述采用干刻蚀法对所述光刻胶完全去除部分下方...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34