The present invention relates to an electronic device specifically for preventing overvoltages, in which an electronic device consists of at least two thyristors in series connected in the same direction of conduction. Each thyristor has a gate with a first conductivity type. The gate of the first conductive type of the sequence is connected together to form a single control gate.
【技术实现步骤摘要】
具体用于防止过电压的电子设备本申请要求2015年11月19日提交的专利号为1561135的法国专利申请的优先权,并通过引用将其公开的内容包括在内。
本专利技术的实施例涉及电子设备,诸如基于晶闸管的电子设备,本领域技术人员也称之为首字母缩写“SCR”(“可控硅整流器”),具有是设计为防止元件过电压,特别是诸如元件工作过程中所产生的寄生过电压的过电压,但也可以是静电放电(“静电放电”:ESD)过程中所产生的过电压。
技术介绍
常规来说,当通过晶闸管端子的电压高于触发电压时,晶闸管就用来导通。触发电压之外,晶闸管的另一个重要参数是保持电压,即,触发后保持晶闸管导通的最低电压。在某些应用中,晶闸管具有高触发电压,例如3.6伏左右,但具有低保持电压,例如约1.2伏,可低于包含这些晶闸管的集成电路的额定电源电压。例如,这种情况发生在具有3.3伏电源电压的集成电路。因此,在集成电路运行期间,晶闸管可能会被触发,并且在电气过载(“电气过载”:EOS)期间变为导通,然后保持导通直至损坏,因为电路的电源电压总是高于这些晶闸管的保持电压。通常情况下采用基于具有三个共源共栅晶闸管结构的保护性设备的解决方案,以便提升该保护性设备的保持电压。然而,这种三晶闸管结构亦会提升触发电压,以及硅设备的表面占有率。
技术实现思路
因此,根据一项实施例,在不显著提升触发电压的情况下提升保持电压,可以改善基于晶闸管的保护性电子设备的性能。根据另一项实施例,在不对硅表面占有率产生显著影响的情况下,可以生产出这样的设备。一个方案提出了一种电子设备,其包括在同一导通方向串联耦合的一序列的至少两个晶闸管(该序 ...
【技术保护点】
一种电子设备,包括:在同一导通方向上串联耦合的至少两个晶闸管的序列,每个晶闸管均具有第一导电类型的栅极,其中所述至少两个晶闸管的序列的所述第一导电类型的所述栅极被耦合在一起,以形成单个栅极。
【技术特征摘要】
2015.11.19 FR 15611351.一种电子设备,包括:在同一导通方向上串联耦合的至少两个晶闸管的序列,每个晶闸管均具有第一导电类型的栅极,其中所述至少两个晶闸管的序列的所述第一导电类型的所述栅极被耦合在一起,以形成单个栅极。2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一导电类型是N型导电。3.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述至少两个晶闸管布置在具有所述第一导电类型的同一半导体本体中,并且每个晶闸管均具有在所述半导体本体内的第一半导体区域和第二半导体区域,所述第一半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型,所述第二半导体区域具有所述第二导电类型并且包含具有所述第一导电类型的半导体区,其中位于所述半导体本体上方的金属化层将所述序列中的第一晶闸管的所述第一半导体区域耦合至所述序列中的在所述第一晶闸管之前的第二晶闸管的所述半导体区,所述半导体本体形成所述单个栅极。4.根据权利要求3所述的电子设备,其中所述半导体本体具有比所述半导体本体的其他部分掺杂更重的区,所述区环绕所有所述半导体区域且形成用于所述单个栅极的触点。5.根据权利要求1所述的电子设备,还包括耦合至所述单个栅极的触发电路。6.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述晶闸管的序列包括第一晶闸管和第二晶闸管,其中所述第二晶闸管的阳极耦合至所述第一晶闸管的阴极。7.根据权利要求6所述的电子设备,其中触发电路耦合至所述单个栅极和所述第二晶闸管的阴极。8.根据权利要求1所述的电子设备,还包括:连接在所述晶闸管的序列两端之间的元件,以及耦合在所述单个栅极和所述两端中的一端之间的触发电路。9.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述至少两个晶闸管布置在具有所述第一导电类型的同一半导体本体中,所述半导体本体形成所述单个栅极。10.根据权利要求9所述的电子设备,其中所述半导体本体具有比所述半导体本体的其他部分掺杂更重的区,所述区环绕所述晶闸管且形成用于所述单个栅极的触点。11.一种集成电路,...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·布尔雅,J·希门尼斯,
申请(专利权)人:意法半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:法国,FR
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