The invention provides a rectifier magnetic resistance device composed of discrete devices. The invention uses the diode rectification effect and the device with the magnetic resistance effect to realize the rectification magnetoresistance effect. The invention also provides a method for preparing the rectifier magnetic resistance device. The invention also provides a method for establishing a mathematical theoretical model based on the above rectifying magnetoresistance device. The method uses the electrical characteristics of each device and its working principle to establish a theoretical mathematical model to simulate the electrical transport characteristics of the device. The rectifying device and magnetic resistor in parallel, rectifier effect and magnetoresistance in organic combination together, so as to realize the change of magnetic field with the change of voltage rectifier, rectifier realizes the magnetoresistance effect.
【技术实现步骤摘要】
一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件及其制备方法与应用
本专利技术涉及一种利用分立器件构成的的整流磁电阻器件及其制备方法与应用,属于磁电控制
技术介绍
所谓磁电阻效应,是指材料或器件的电阻率随外加磁场的变化而变化的现象。磁电阻效应通常被应用于磁传感器和磁读出头领域。目前常见的磁电阻效应包括各向异性磁电阻、巨磁电阻效应、隧穿磁电阻效应、庞磁阻效应、反常磁电阻效应等。2015年山东大学自旋电子学课题组在Al/Ge肖特基结中成功发现了整流磁电阻效应,并申请了专利,不同于之前提到的磁电阻类型,整流磁电阻指的是输入一个纯的正弦交流电流,测量整流后的直流电压,整流电压随着磁场变化的现象就是整流磁电阻。实现了室温下200%的磁电阻比值,与此同时其直流磁电阻只有80%。整流磁电阻效应正是整流效应和磁电阻效应协同作用的结果。并且,通过在具有整流磁电阻效应的器件两端同时加直流和交流电流能够实现整流磁电阻的调控,从而获得巨大的磁电阻比值。然而目前为止,整流磁电阻以及其电调控只能存在于同时具有整流效应和磁电阻效应的器件中,例如,我们可以观测到整流磁电阻效应在非对称势垒的磁隧道结中或者具有磁电阻效应的PN结或肖特基结中发现。由于缺少整流效应,单纯具有磁电阻效应的器件是无法实现整流磁电阻的。这极大的限制了整流磁电阻的应用范围。鉴于以上情况,我们在单纯磁电阻器件基础上,通过并联商用二极管构建的复合器件实现了整流磁电阻。该方法可以被广泛应用于所有磁电阻效应,并能够同当今的半导体工艺相结合,在磁传感器以及磁电调控领域有极大的应用前景。
技术实现思路
针对现有技术不足,本专利技术提供一 ...
【技术保护点】
一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件,其特征在于,该整流磁电阻器件包括磁电阻器件、与所述磁电阻器件并联的整流器件。
【技术特征摘要】
1.一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件,其特征在于,该整流磁电阻器件包括磁电阻器件、与所述磁电阻器件并联的整流器件。2.根据权利要求1所述的一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件,其特征在于,所述磁电阻器件为巨磁电阻、各向异性磁电阻、庞磁阻,隧穿磁电阻或非磁性半导体中的奇异磁电阻。3.根据权利要求2所述的一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件,其特征在于,所述整流器件为二极管。4.根据权利要求3所述的一种利用分立器件构成的整流磁电阻器件,其特征在于,所述二极管为肖特基二极管或PN结二极管。5.一种如权1-4任意一项所述整流磁电阻器件的制备方法,其特征在于,该方法包括:1)选择磁电阻器件;2)在所述磁电阻器件的两端并联整流器件,形成整流磁电阻器件。6.一种如权5所述整流磁电阻器件的制备方法,其特征在于,所述整流器件为二极管;优选的所述二极管为肖特基二极管或PN结二极管。7.一种如权5所述整流磁电阻器件的制备方法,其特征在于,按照上述制备方法得到的整流磁电阻器件,其磁电阻比值的调制方法如下:同时在所述整流磁电阻器件的两端加载直流和交流电流,进而调控整流磁电阻器件的磁电阻比值至最大。8.一种基于如权1-4任意一项所述整流磁电阻器...
【专利技术属性】
技术研发人员:田玉峰,刘其玮,张昆,黄启坤,王静,代由勇,颜世申,
申请(专利权)人:山东大学,
类型:发明
国别省市:山东,37
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