一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法，该方法包括：形成具有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底，并在所述基底上沉积绝缘材料以形成第一介质层；在所述第一介质层上沉积导电材料以形成导电膜层；对所述导电膜层和所述第一介质层进行蚀刻处理，以形成连通所述薄膜晶体管的沟道层的源极区的第一过孔，以及连通所述薄膜晶体管的沟道层的漏极区的第二过孔。本发明专利技术可以降低或避免器件制作过程中静电累计造成的器件击伤和显示不良。

Array substrate and manufacturing method thereof

The present invention provides an array substrate and a manufacturing method thereof. The method comprises: forming a substrate having a thin film transistor gate and a channel layer, and depositing an insulating material to form a first dielectric layer on the substrate; a conductive material is deposited on the first dielectric layer to form a conductive layer on the conductive layer; and the first dielectric layer is etched to form a trench layer, the thin film transistor is connected to the source region of the first through hole, and the drain channel layer is communicated with the thin film transistor of the second hole. The invention can reduce or avoid device damage and poor display caused by static accumulation in the process of device manufacture.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术属于显示
，具体地说，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
顶栅结构的LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)薄膜晶体管的阵列基板制程通常采用12MASK制程，蚀刻过孔形成源漏极后，再进行金属成膜、曝光、刻蚀形成源极和漏极。蚀刻过孔之后，整个薄膜晶体管器件会全部裸露，后续的光祖剥离制程和源漏极成膜制程过程容易将静电累积至器件内部，从而易导致器件ESD(Electro-Staticdischarge，静电放电)击伤和LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)显示异常。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法，降低或避免器件制作过程中静电累计造成的器件击伤和显示不良。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于制作阵列基板的方法，包括：形成具有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底，并在所述基底上沉积绝缘材料以形成第一介质层；在所述第一介质层上沉积导电材料以形成导电膜层；对所述导电膜层和所述第一介质层进行蚀刻处理，以形成连通所述薄膜晶体管的沟道层的源极区的第一过孔，以及连通所述薄膜晶体管的沟道层的漏极区的第二过孔。根据本专利技术的一个实施例，所述导电膜层为金属薄膜导电层。根据本专利技术的一个实施例，所述金属薄膜导电层为钛金属薄膜导电层。根据本专利技术的一个实施例，采用PVD方法形成所述导电膜层。根据本专利技术的一个实施例，通过干刻蚀法形成所述第一过孔和所述第二过孔。根据本专利技术的一个实施例，还包括：在形成所述第一过孔和所述第二过孔后，在所述导电膜层上沉积金属材料并进行处理，以形成数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极。根据本专利技术的一个实施例，还包括：在形成数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极后，在所述数据线、薄膜晶体管的源极和漏极以及裸露的第一介质层上沉积绝缘材料，以形成钝化层；对所述钝化层进行蚀刻处理以形成连通薄膜晶体管的漏极的第三过孔；在所述钝化层上沉积薄膜导电材料以形成透明导电电极，所述透明导电电极通过所述第三过孔连通薄膜晶体管的漏极。根据本专利技术的一个实施例，形成具有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底进一步包括：在玻璃基板上沉积非晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛；对所述多晶硅岛的两侧进行N+重掺杂处理以形成薄膜晶体管的源极区和漏极区；在所述源极区靠近沟道区一侧以及所述漏极区靠近沟道区一侧分别进行N-轻掺杂处理以形成轻掺杂区；在所述源极区、所述漏极区、所述沟道区和裸露的玻璃基板上沉积绝缘材料以形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属材料并进行处理以形成薄膜晶体管的栅极。根据本专利技术的一个实施例，在玻璃基板上沉积非晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛之前还包括：在玻璃基板上沉积不透光的金属材料；对沉积的不透光的金属材料进行处理，以形成对应薄膜晶体管的遮光层；在所述遮光层和裸露的玻璃基板上沉积绝缘材料，以形成第二介质层。根据本专利技术的另一个方面，还提供了一种采用以上所述方法制作的阵列基板。本专利技术的有益效果：本专利技术中通过在形成连通源漏极的第一过孔和第二过孔之前沉积一层金属膜层，可以有效的降低或避免器件制作过程中静电累计造成的器件击伤和显示不良，从而提高产品良率和器件的可靠性。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要的附图做简单的介绍：图1是根据本专利技术的一个实施例的制作阵列基板的方法流程图；图2a是根据本专利技术的一个实施例的在介质层上形成一层导电膜层的结构示意图；图2b是根据本专利技术的一个实施例的在导电膜层上涂布一层光阻材料后的结构示意图；图2c是根据本专利技术的一个实施例的经曝光显影后形成的开孔图案结构示意图；图2d是根据本专利技术的一个实施例的经蚀刻处理之后的过孔示意图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术提出了一种通过预先成导电膜层，利用导电膜层的导电性，可降低或避免连通薄膜晶体管的过孔开孔后，光祖剥离制程产生的静电累积。如图1所示为根据本专利技术的一个实施例的方法流程图，以下参考图1来对本专利技术进行详细说明。如图1所示，在步骤S101中，在形成有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底上沉积绝缘材料以形成第一介质层12。具体的，如图2a所示，在形成有薄膜晶体管的基底上沉积一层绝缘材料，从而形成第一介质层12。形成具有薄膜晶体管的基底时，进一步包括以下步骤。首先，在玻璃基板111上沉积一层非晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛。接着，对多晶硅岛的两侧进行N+重掺杂处理以形成薄膜晶体管的源极区112和漏极区113，则多晶硅岛中间未掺杂区形成薄膜晶体管的沟道区114。接着，在源极区112和漏极区113靠近沟道区114一侧进行N-轻掺杂处理以形成轻掺杂区115，即形成LDD(LightlyDopedDrain，轻掺杂漏结构)。接着，在源极区112、漏极区113、沟道区114和裸露的玻璃基板111上沉积绝缘材料以形成栅绝缘层116。最后，在栅绝缘层116上沉积金属材料并进行处理以形成薄膜晶体管的栅极117。对应生成的基底结构如图2a所示。通常情况下，为防止背光照射薄膜晶体管，在玻璃基板上沉积一层非晶硅材料并进行处理以形成多晶硅岛之前还进一步生成遮光层118。具体的，首先，在玻璃基板111上沉积一层不透光的金属材料。然后对该层金属材料进行处理形成对应薄膜晶体管的遮光层118。最后在该遮光层上沉积一层绝缘材料以形成第二介质层119。多晶硅岛形成于第二介质层119上。接下来，在步骤S102中，在第一介质层12上沉积导电材料以形成导电膜层13。具体的，如图2a所示，在第一介质层12上采用PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)技术沉积一层导电材料来形成导电膜层13。PVD指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程，其作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能。在本专利技术的一个实施例中，该导电膜层13为金属薄膜导电层，也就是说，沉积一层金属材料形成金属导电膜层。在本专利技术的一个实施例中，该金属薄膜导电层为钛金属薄膜导电层。当然，本专利技术采用的金属薄膜导电层不限于钛金属薄膜导电层，其他金属薄膜导电层也适用，只要该金属膜层的材料可用于形成源漏极及数据线即可。在本专利技术中，通过在形成连通源漏极的过孔之前沉积一层金属导电膜层，可以有效的降低或避免器件制作过程中静电累计造成的器件击伤和显示不良，从而提高产品良率和器件的可靠性。最后，在步骤S103中，对导电膜层13和第一介质层12进行蚀刻处理，以形成连通薄膜晶体管的沟道层的源极区的第一过孔161，以及连通薄膜晶体管的沟道层的漏极区的第二过孔1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作阵列基板的方法，包括：形成具有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底，并在所述基底上沉积绝缘材料以形成第一介质层；在所述第一介质层上沉积导电材料以形成导电膜层；对所述导电膜层和所述第一介质层进行蚀刻处理，以形成连通所述薄膜晶体管的沟道层的源极区的第一过孔，以及连通所述薄膜晶体管的沟道层的漏极区的第二过孔。

【技术特征摘要】
1.一种用于制作阵列基板的方法，包括：形成具有薄膜晶体管的栅极和沟道层的基底，并在所述基底上沉积绝缘材料以形成第一介质层；在所述第一介质层上沉积导电材料以形成导电膜层；对所述导电膜层和所述第一介质层进行蚀刻处理，以形成连通所述薄膜晶体管的沟道层的源极区的第一过孔，以及连通所述薄膜晶体管的沟道层的漏极区的第二过孔。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电膜层为金属薄膜导电层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜导电层为钛金属薄膜导电层。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，采用PVD方法形成所述导电膜层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过干刻蚀法形成所述第一过孔和所述第二过孔。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一过孔和所述第二过孔后，在所述导电膜层上沉积金属材料并进行处理，以形成数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：在形成数据线以及薄膜晶体管的源极和漏极后，在所述数据线、薄膜晶体管的源极和漏极以及裸露的第一介质层上沉积绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昆，王幸，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42