功率型贴片半导体元件制造技术

技术编号:15509861 阅读:207 留言:0更新日期:2017-06-04 03:33
本发明专利技术公开了一种功率型贴片半导体元件,涉及电子元器件技术领域。所述半导体元件包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片,下表面焊接有下电极片;所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳,所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料,所述上电极片和下电极片的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。所述半导体元件可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片,在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同的水平;电极片与半导体芯片焊接好后装入外壳,并填充以封装填料,所填充的封装填料具有阻燃特性,所用外壳也为阻燃材质,半导体芯片整个被阻燃材料所包裹,能有效阻止明火。

Power type SMD semiconductor device

The invention discloses a power type paster semiconductor component, relating to the technical field of electronic components. The semiconductor device includes a combination of chip, the chip combination on the surface are welded on the lower surface of the welding electrode, a lower electrode plate; the outer side of the container is provided with flame retardant combination chip shaped insulating shell, a package filled between the casing and the combination of the chip, the upper electrode and lower electrode the free end extends to the outer shell, as the two connecting pins of the semiconductor element. The semiconductor device can be the same with the traditional semiconductor chip package plug-in semiconductor devices in power and other electric and plug-in components index at the same level; and a semiconductor chip electrode welding after loaded into the shell, and filled with packaging packing, packing package filled with flame retardant properties, used for housing flame retardant material, the semiconductor chip is covered in flame retardant materials, can effectively prevent the fire.

【技术实现步骤摘要】
功率型贴片半导体元件
本专利技术涉及电子元器件
,尤其涉及一种功率型贴片半导体元件。
技术介绍
现在市场上主要使用的半导体保护元件包括硅材料或碳化硅材料芯片的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料芯片的压敏电阻MOV。上述瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS一般都是SOD-123、DO-214AA、DO-214AB、DO-214AC等封装形态,其能承受的电流从几安培到几百安培不等,能承受的功率从200W到最高6.5kW。而传统直插式的元件,其能承受的电流可达几千安培,功率可达30kW。现在市场上的金属氧化物材料芯片的贴片式压敏电阻,主要包括多层陶瓷结构和塑封结构,多层陶瓷结构的贴片压敏电阻受其结构限制和加工工艺的影响,无法做到很高的通流容量,一般只有几百安培。塑封型的贴片压敏电阻,市面上现在最大有做到4032封装的,其通流容量1200A。而传统的插件式压敏电阻,其通流容量可达到70kA甚至更高。如上可以看出,现在市场上的贴片式半导体元件,其耐受功率和电流往往都比较小,远低于传统的插件式半导体元件,而在诸如汽车电子、高功率电源等产品中,几千瓦的功率和几百安的通流容量远远满足不了实际使用的需求,很多产品都仍在使用插件式半导体元件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片,且在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同水平的功率型贴片半导体元件。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片,下表面焊接有下电极片;所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳,所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料,所述上电极片和下电极片的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。进一步的技术方案在于:所述组合芯片包括一个以上叠放到一起的单芯片。进一步的技术方案在于:所述组合芯片为一个压敏电阻芯片或两个上、下叠放到一起的瞬态抑制二极管芯片。进一步的技术方案在于:所述瞬态抑制二极管芯片的上、下表面设有导电层,瞬态抑制二极管芯片与瞬态抑制二极管芯片之间以及上电极片和下电极片与瞬态抑制二极管芯片之间通过焊料片进行焊接;上电极片和下电极片与所述压敏电阻芯片之间通过焊料片进行焊接。进一步的技术方案在于:所述上电极片包括第一水平焊接片和第一连接片,所述第一水平焊接片焊接于所述组合芯片的上表面,所述第一连接片与所述第一水平焊接片垂直,所述第一连接片用于作为所述半导体元件的一个连接引脚;所述下电极片包括第二水平焊接片和第二连接片,所述第二水平焊接片焊接于所述组合芯片的下表面,所述第二连接片与所述第二水平焊接片垂直,所述第二连接片用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。进一步的技术方案在于:所述上电极片包括第一水平焊接片和第一连接片,所述第一水平焊接片焊接于所述组合芯片的上表面,所述第一连接片包括第一竖直连接部和第一水平连接部,所述第一竖直连接部的上端与所述第一水平焊接片固定连接,所述第一竖直连接部的下端位于所述外壳外,与所述第一水平连接部固定连接,所述第一水平连接部用于作为所述半导体元件的一个连接引脚;所述下电极片包括第二水平焊接片和第二连接片,所述第二水平焊接片焊接于所述组合芯片的下表面,所述第二连接片包括第二竖直连接部和第二水平连接部,所述第二竖直连接部的上端与所述第二水平焊接片固定连接,所述第二竖直连接部的下端位于所述外壳外,与所述第二水平连接部固定连接,所述第二水平连接部用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。进一步的技术方案在于:所述第一水平焊接片和第二水平焊接片上设有若干个通孔。进一步的技术方案在于:所述第一连接片和第二连接片的前后侧面上以及第二水平焊接片与第二连接片的连接处设有凹槽。进一步的技术方案在于:所述外壳使用阻燃绝缘的塑料、陶瓷或绝缘处理过的金属材料制作。进一步的技术方案在于:所述封装填料的制作材料为阻燃绝缘的环氧树脂、硅橡胶、石英砂和/或滑石粉。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述半导体元件可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片,在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同的水平;电极片与半导体芯片焊接好后装入外壳,并填充以封装填料,所填充的封装填料具有阻燃特性,所用外壳也为阻燃材质,半导体芯片整个被阻燃材料所包裹,能有效阻止明火。电极片伸出外壳的一端经折弯后形成可适用于表面贴装工艺的贴片式管脚。此外,所述组合芯片中可以根据需要设置一个或两个以上的单芯片,扩大了所述半导体元件的使用范围。上电极片上的通过设置通孔增加了焊接的可靠性;上、下电极片的前后侧面上设有凹槽,方便折弯。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1是本专利技术实施例所述半导体元件的立体结构示意图;图2是本专利技术实施例一所述半导体元件的剖视结构示意图;图3是本专利技术实施例二所述半导体元件的剖视结构示意图;图4是本专利技术实施例三所述半导体元件的剖视结构示意图;图5是本专利技术实施例四所述半导体元件的剖视结构示意图;图6是本专利技术实施例一和三中所述上电极片的结构示意图;图7是本专利技术实施例一和三中所述下电极片的结构示意图;其中:1、上电极片11、第一水平焊接片12、第一连接片121、第一竖直连接部122、第一水平连接部2、下电极片21、第二水平焊接片22、第二连接片221、第二竖直连接部222、第二水平连接部3、阻燃绝缘外壳4、封装填料5、压敏电阻芯片6、瞬态抑制二极管芯片7、凹槽8、焊料片9、通孔。具体实施方式下面结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一片分实施例,而不是全片的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。总体的,如图1所示,本专利技术实施例公开了一种功率型贴片半导体元件,包括组合芯片(图1中未示出),所述组合芯片包括一个以上叠放到一起的单芯片。所述组合芯片的上表面焊接有上电极片1,下表面焊接有下电极片2;所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳3,所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料4,所述上电极片1和下电极片2的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。所述半导体元件可封装与传统插件式半导体元件相同的半导体芯片,在功率和其它电性指标上与插件元件保持相同的水平;电极片与半导体芯片焊接好后装入外壳,并填充以封装填料,所填充的封装填料具有阻燃特性,所用外壳也为阻燃材质,半导体芯片整个被阻燃材料所包裹,能有效阻止明火。电极片伸出外壳的一端经折弯后形成可适用于表面贴装工艺的贴片式管脚。具体的,本专利技术通过以下几个实施例对所述半导体元件进行说明。实施例一如图2所示,本专利技术实施例公开了一种功率型贴片半导体元件,包括一个压敏电阻芯片5,上电极片1通过本文档来自技高网...
功率型贴片半导体元件

【技术保护点】
一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片(1),下表面焊接有下电极片(2);所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳(3),所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料(4),所述上电极片(1)和下电极片(2)的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。

【技术特征摘要】
1.一种功率型贴片半导体元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片的上表面焊接有上电极片(1),下表面焊接有下电极片(2);所述组合芯片的外侧设有容器状阻燃绝缘外壳(3),所述外壳与所述组合芯片之间填充有封装填料(4),所述上电极片(1)和下电极片(2)的自由端延伸至所述外壳外,作为所述半导体元件的两个连接引脚。2.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述组合芯片包括一个以上叠放到一起的单芯片。3.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述组合芯片为一个压敏电阻芯片(5)或两个上、下叠放到一起的瞬态抑制二极管芯片(6)。4.如权利要求3所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述瞬态抑制二极管芯片(6)的上、下表面设有导电层,瞬态抑制二极管芯片(6)与瞬态抑制二极管芯片(6)之间以及上电极片(1)和下电极片(2)与瞬态抑制二极管芯片(6)之间通过焊料片(8)进行焊接;上电极片(1)和下电极片(2)与所述压敏电阻芯片(5)之间通过焊料片(8)进行焊接。5.如权利要求1所述的功率型贴片半导体元件,其特征在于:所述上电极片(1)包括第一水平焊接片(11)和第一连接片(12),所述第一水平焊接片(11)焊接于所述组合芯片的上表面,所述第一连接片(12)与所述第一水平焊接片(11)垂直,所述第一连接片(12)用于作为所述半导体元件的一个连接引脚;所述下电极片(2)包括第二水平焊接片(21)和第二连接片(22),所述第二水平焊接片(21)焊接于所述组合芯片的下表面,所述第二连接片(22)与所述第二水平焊接片(21)垂直,所述第二连接片(22)用于作为所述半导体元件的另一个连接引脚。6.如权利要求1所述的功率型...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晗周云福黄亚发
申请(专利权)人:广东百圳君耀电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1