The invention discloses a multi pin patch element and a manufacturing method thereof. The patch element includes a combination of chip, the combination of single chip chip includes more than two, the combined chip of the upper and lower surfaces are respectively welded with the upper electrode and the lower electrode, the number of the number of electrode and the lower electrode and the single chip is the same as that of the epoxy resin composite the whole chip and the electrode part of the cover, the outer end of the electrode is located on the outside of the epoxy resin. The patch element is suitable for the mass production and manufacturing; through the collocation of different pins, can realize the function and application of different; suitable for chips with different thickness or different structure of the chip packaging, improve packaging structure and method of compatibility.
【技术实现步骤摘要】
多引脚贴片元件及其制作方法
本专利技术涉及基础电子元器件
,尤其涉及一种多引脚贴片元件极其制作方法。
技术介绍
传统半导体芯片的各种封装形态的贴片保护元件功率都较小,最高也就8KW,耐电流冲击从几十安培到几百安培不等,而插件元件可以达到几十KW甚至更高,耐电流可以达到几千安培甚至几十千安培。传统的压敏电阻,由于银片的厚度与其规格对应,而要使用传统的TVS贴片框架式封装,一种框架只能做一个规格,而开发一个系列规格产品,相对开发投入成本高。业界知道,TVS管通流能力随温度升高而降低,传统的大功率半导体元器件普遍存在散热能力差,受到浪涌冲击,发热在元件内部累积,短时间无法散热,冲击后器件温度升高,以至器件耐受冲击能力降低,无法承受短时间多次大浪涌冲击等问题。市场对高性能自动化贴片大功率型器件需求以渐形成趋势。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种适合于批量生产、功能强大、通用性强的多引脚贴片元件。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片包括两个以上的单芯片,所述组合芯片的上、下表面分别焊接有上电极和下电极,所述上电极和下电极的个数与所述单芯片的个数相同,环氧树脂将所述组合芯片的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂的外侧。进一步的技术方案在于:所述组合芯片中单芯片为连体结构或分体结构。进一步的技术方案在于:所述单芯片为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。进一步的技术方案 ...
【技术保护点】
一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片(3),所述组合芯片(3)包括两个以上的单芯片(3a),所述组合芯片(3)的上、下表面分别焊接有上电极(1b)和下电极(1a),所述上电极(1b)和下电极(1a)的个数与所述单芯片(3a)的个数相同,环氧树脂(6)将所述组合芯片(3)的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂(6)的外侧。
【技术特征摘要】
1.一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片(3),所述组合芯片(3)包括两个以上的单芯片(3a),所述组合芯片(3)的上、下表面分别焊接有上电极(1b)和下电极(1a),所述上电极(1b)和下电极(1a)的个数与所述单芯片(3a)的个数相同,环氧树脂(6)将所述组合芯片(3)的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂(6)的外侧。2.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述组合芯片(3)中单芯片(3a)为连体结构或分体结构。3.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述单芯片(3a)为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。4.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述上电极(1b)和下电极(1a)的制作材质为铜、铜钢、铁或铁镍。5.如权利要求4所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述上电极(1b)和下电极(1a)的表面设有锡、银、镍或金层。6.一种多引脚贴片元件的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:在焊接载体的下模(4)上从下到上分别填装下框架电极(7a)、焊料(2)、若干个组合芯片(3)、焊料(2)和上框架电极(7b);将与焊接载体配套的上模(5)刷...
【专利技术属性】
技术研发人员:辛和彬,周云福,招景丰,
申请(专利权)人:广东百圳君耀电子有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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