多引脚贴片元件及其制作方法技术

技术编号:15509860 阅读:21 留言:0更新日期:2017-06-04 03:33
本发明专利技术公开了一种多引脚贴片元件及其制作方法。所述贴片元件包括组合芯片,所述组合芯片包括两个以上的单芯片,所述组合芯片的上、下表面分别焊接有上电极和下电极,所述上电极和下电极的个数与所述单芯片的个数相同,环氧树脂将所述组合芯片的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂的外侧。所述贴片元件适于批量化生产和制造;通过搭配不同的引脚使用,可实现不同的功能及应用;适合不同厚度芯片或不同结构的芯片封装,提高了封装结构及方法的兼容性。

Multi pin chip element and manufacturing method thereof

The invention discloses a multi pin patch element and a manufacturing method thereof. The patch element includes a combination of chip, the combination of single chip chip includes more than two, the combined chip of the upper and lower surfaces are respectively welded with the upper electrode and the lower electrode, the number of the number of electrode and the lower electrode and the single chip is the same as that of the epoxy resin composite the whole chip and the electrode part of the cover, the outer end of the electrode is located on the outside of the epoxy resin. The patch element is suitable for the mass production and manufacturing; through the collocation of different pins, can realize the function and application of different; suitable for chips with different thickness or different structure of the chip packaging, improve packaging structure and method of compatibility.

【技术实现步骤摘要】
多引脚贴片元件及其制作方法
本专利技术涉及基础电子元器件
,尤其涉及一种多引脚贴片元件极其制作方法。
技术介绍
传统半导体芯片的各种封装形态的贴片保护元件功率都较小,最高也就8KW,耐电流冲击从几十安培到几百安培不等,而插件元件可以达到几十KW甚至更高,耐电流可以达到几千安培甚至几十千安培。传统的压敏电阻,由于银片的厚度与其规格对应,而要使用传统的TVS贴片框架式封装,一种框架只能做一个规格,而开发一个系列规格产品,相对开发投入成本高。业界知道,TVS管通流能力随温度升高而降低,传统的大功率半导体元器件普遍存在散热能力差,受到浪涌冲击,发热在元件内部累积,短时间无法散热,冲击后器件温度升高,以至器件耐受冲击能力降低,无法承受短时间多次大浪涌冲击等问题。市场对高性能自动化贴片大功率型器件需求以渐形成趋势。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种适合于批量生产、功能强大、通用性强的多引脚贴片元件。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片,所述组合芯片包括两个以上的单芯片,所述组合芯片的上、下表面分别焊接有上电极和下电极,所述上电极和下电极的个数与所述单芯片的个数相同,环氧树脂将所述组合芯片的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂的外侧。进一步的技术方案在于:所述组合芯片中单芯片为连体结构或分体结构。进一步的技术方案在于:所述单芯片为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。进一步的技术方案在于:所述上电极和下电极的制作材质为铜、铜钢、铁或铁镍,进一步的技术方案在于:所述上电极和下电极的表面设有锡、银、镍或金层。本专利技术还公开了一种多引脚贴片元件的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:在焊接载体的下模上从下到上分别填装下框架电极、焊料、若干个组合芯片、焊料和上框架电极;将与焊接载体配套的上模刷涂助焊剂后,盖在已填装好原料的焊接载体下模上,通过设置好温度曲线的焊接设备将所述框架电极焊接到所述组合芯片的上下表面,或通过接触加热的方式将所述框架电极焊接到所述组合芯片的上下表面;焊接后的器件通过成型设备,热压成型包封环氧树脂,通过环氧树脂将所述组合芯片的全部以及所述框架电极的部分覆盖,使所述框架电极的外端位于所述环氧树脂的外侧;将上述器件通过自动化机器切筋、弯脚,得到的产品为多引脚贴片元件。进一步的技术方案在于:所述下框架电极和上框架电极包括与所述组合芯片个数相同的电极组,每组电极对应一个组合芯片,每组电极中单电极的个数与组合芯片中单芯片的个数相同。进一步的技术方案在于:所述组合芯片中单芯片左右排列设置或上下排列设置,左右排列时,单芯片为连体或分体形式;上下排列时,单芯片与单芯片之间通过焊料进行连接。进一步的技术方案在于:所述的焊接设备为隧道炉或真空炉。进一步的技术方案在于:所述焊接载体包括下模和上模,制作材料为石墨、铝、铝合金或电木。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:所述贴片元件适于批量化生产和制造;通过搭配不同的引脚使用,可实现不同的功能及应用;适合不同厚度芯片或不同结构的芯片封装,提高了封装结构及方法的兼容性。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术较佳的单个元件的部分分解结构示意图;图2a-2c为本专利技术较佳的焊接石墨板下模及填装平面摆放示图;图3a-3c为本专利技术较佳的焊接石墨板上模示图;图4a-4c为本专利技术较佳的焊接石墨板上下模配合,进炉前示图;图5a-5b为本专利技术较佳的焊接后半成品元件的结构示图;图6a-6b为本专利技术较佳的包封环氧树脂后半成品元件的结构示图;图7为本专利技术较佳的成品结构透视图;图8a-8c为本专利技术所述元件的三种结构示意图;图9a为本专利技术较佳的连体组合芯片的结构示意图;图9b为本专利技术较佳的分离组合芯片的结构示意图;图10a为本专利技术较佳的下框架电极和上框架电极的结构示意图;图10b-10d为本专利技术较佳的单电极的结构示意图;其中:1a、下电极1b、上电极2、焊料3、组合芯片3a、单芯片4、下模5、上模6、环氧树脂7a、下框架电极7b、上框架电极。具体实施方式下面结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。实施例一如图1和图7所示,本专利技术实施例公开了一种多引脚贴片元件,包括组合芯片3,所述组合芯片3包括两个以上的单芯片3a。所述组合芯片3的上、下表面分别焊接有上电极1b和下电极1a,所述上电极1b和下电极1a的个数与所述单芯片3a的个数相同。环氧树脂6将所述组合芯片3的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂6的外侧。优选的,所述组合芯片3中单芯片3a为连体结构或分体结构,具体使用哪种结构的单芯片3a,可以根据实际需要进行选择。优选的,所述单芯片3a可以为双引脚芯片,具有的,可以为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。此外,需要说明的是,所述上电极1b和下电极1a的主体制作材质为金属导电材质,比如铜、铜钢、铁或铁镍,其表面可经锡,银,镍,金等表面处理。实施例二本实施例公开了一种TVS的制作方法,所述方法包括如下步骤:第一步,在石墨板的下模4(如图2a-2c所示)上摆放下框架电极7a(如图10a所示);第二步,通过焊料片筛盘填装焊料片2;第三步,通过芯片筛盘填装连体的单芯片3a(如图7和9a所示);第四步,通过焊料片筛盘填装焊料片2;第五步,摆放上框架电极7b(如图10a所示);第六步,将少量助焊剂涂于石墨板的上模5(如图3a-3c所示)后,把石墨板上模5盖在下模4上,完成进炉前的填装(如图4a-4c所示);第七步,将完成填装的石墨板,通过设定好温度曲线的隧道炉,焊接成电连接的半成品A(如图5a-5b所示);第八步,将焊接后的半成品A,摆放到热压成型模具中,包封环氧树脂外层,得到半成品B(如图6a-6b所示);第九步,将半成品B通过自动化机器切筋、弯脚得到产品为弯脚成品C(如图7、8a-8c所示)。图10b-10d为本专利技术实施例中单电极的结构示意图。效益,第一,产品结构简单,框架电极、单芯片及焊料均可使用自动化设备生产;第二,根据如图7和8a-8c的成品连接到电路中,其中a脚和c脚、b脚和d脚可分别连接到独立的需用到TVS产品的电路中,这样即可实现仅一颗TVS产品支持两条电路的保护,可优于传统的单颗TVS产品对应支持一条电路保护,该产品可以大大节省相邻电路的空间,当只需一个TVS起作用时,只把相应的一对引脚连接即可。达到同样效益的引脚配对还有:a脚和d脚,b脚和c脚;第三本文档来自技高网...
多引脚贴片元件及其制作方法

【技术保护点】
一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片(3),所述组合芯片(3)包括两个以上的单芯片(3a),所述组合芯片(3)的上、下表面分别焊接有上电极(1b)和下电极(1a),所述上电极(1b)和下电极(1a)的个数与所述单芯片(3a)的个数相同,环氧树脂(6)将所述组合芯片(3)的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂(6)的外侧。

【技术特征摘要】
1.一种多引脚贴片元件,其特征在于:包括组合芯片(3),所述组合芯片(3)包括两个以上的单芯片(3a),所述组合芯片(3)的上、下表面分别焊接有上电极(1b)和下电极(1a),所述上电极(1b)和下电极(1a)的个数与所述单芯片(3a)的个数相同,环氧树脂(6)将所述组合芯片(3)的全部以及所述电极的部分覆盖,使所述电极的外端位于所述环氧树脂(6)的外侧。2.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述组合芯片(3)中单芯片(3a)为连体结构或分体结构。3.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述单芯片(3a)为硅材料或碳化硅材料制作的瞬态抑制二极管TVS、硅雪崩二极管ABD、晶闸体抑制管TSS或为金属氧化物材料制作的压敏电阻MOV。4.如权利要求1所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述上电极(1b)和下电极(1a)的制作材质为铜、铜钢、铁或铁镍。5.如权利要求4所述的多引脚贴片元件,其特征在于:所述上电极(1b)和下电极(1a)的表面设有锡、银、镍或金层。6.一种多引脚贴片元件的制作方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:在焊接载体的下模(4)上从下到上分别填装下框架电极(7a)、焊料(2)、若干个组合芯片(3)、焊料(2)和上框架电极(7b);将与焊接载体配套的上模(5)刷...

【专利技术属性】
技术研发人员:辛和彬周云福招景丰
申请(专利权)人:广东百圳君耀电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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