一种大功率IGBT器件制造技术

本发明专利技术提供了一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶，其中，所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中；所述多个大功率芯片固定于所述载片上；所述散热硅脂填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出；所述注塑壳体的所述底壁上具有多个散热通道，所述散热通道中流通有散热工质，每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。

A high power IGBT device

The invention provides a high power IGBT device, with injection molding shell, slides, a plurality of high-power chips and cooling the silica gel, a chip containing cavity is provided with the plastic shell, the rectangular cavity of the chip accommodating cavity surrounded by a bottom wall and four side walls; the the slide is fixed on the chip accommodating cavity on the bottom surface, and partially embedded in the four side walls; the plurality of high-power chip fixed on the loading plate; the thermal grease fills the chip accommodating cavity, and the top surface of the coplanar and injection housing; the plurality of high-power chip multi pin bending 90 degrees from the top surface of the molded body out of the plastic shell; the bottom wall is provided with a plurality of cooling channel, the cooling channel of circulation cooling refrigerant, wherein each of the plurality of heat radiating channel The contact between the working medium and the lower surface of the carrier plate.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率IGBT器件
本专利技术涉及大功率器件领域，具体涉及一种具有散热系统的大功率IGBT器件。
技术介绍
已知的是，公里因数校正功率模块结构的设计存在较为严重的问题，其主要是在于将由分立元器件组装成的电路直接装于散热底板上，如此的结构，散热效果一般，且元器件极易受外界条件的影响，例如电磁波干扰，水汽、灰尘的腐蚀等，同时存在拆卸不方便，通用性差等缺点。
技术实现思路
基于解决上述封装中的问题，本专利技术提供了一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶，其中，所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中；所述多个大功率芯片固定于所述载片上；所述散热硅脂填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出；所述注塑壳体的所述底壁上具有多个散热通道，所述散热通道中流通有散热工质，每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。根据本专利技术的实施例，还包括与所述多个引脚电连接的控制电路板。根据本专利技术的实施例，所述控制电路板具有多个与所述多个引脚相对应的焊孔。根据本专利技术的实施例，所述散热硅胶中具有均匀分布的金属颗粒。根据本专利技术的实施例，所述载片为陶瓷载片，所述多个大功率芯片通过导热硅脂固定于所述载片上。根据本专利技术的实施例，所述载片为金属载片或陶瓷载片，其形状为由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔，所述载片的四个侧壁的高度大于或等于所述多个大功率芯片的最大高度。根据本专利技术的实施例，所述注塑壳体的四个侧壁的高度大于所述载片的四个侧壁的高度。根据本专利技术的实施例，在所述载片的四个侧壁的外侧具有多个连通所述多个散热通道的立式通道，所述多个立式通道与所述多个散热通道垂直，并且所述多个立式通道通过环形沟道彼此连通。本专利技术的技术方案，具有如下优点：（1）采用散热通道进行流体工质的整体性散热，提高散热效率；（2）通过使用整体性的注塑壳体保证密封性，防止腐蚀；（3）金属载片的使用可以一定程度的屏蔽外界电磁干扰；（4）散热硅胶中分布有金属颗粒，可以保证芯片上部的快速散热。附图说明图1为本专利技术第一实施例的大功率IGBT器件的剖面图；图2为本专利技术第一实施例的大功率IGBT器件的左视图；图3为本专利技术的大功率芯片的示意图；图4为本专利技术的控制电路板的俯视图；图5为第二实施例的大功率IGBT器件的剖面图；图6为第三实施例的大功率IGBT器件的剖面图。具体实施方式第一实施例参见图1及2，一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体1、陶瓷载片5、多个大功率芯片4和散热硅胶2，其中，所述注塑壳体1中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述陶瓷载片5固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中，这样可以防止散热工质金属所述芯片容置腔体内，造成腐蚀等危害；所述多个大功率芯片4通过导热硅脂固定于所述陶瓷载片5上；所述散热硅脂2填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片4的多个引脚3折弯90度后从所述注塑壳体1的顶面伸出；所述注塑壳体1的所述底壁上具有多个散热通道6，所述散热通道6中流通有散热工质，每个所述多个散热通道6的所述散热工质与所述陶瓷载片5的下表面接触。参见图3，所述多个大功率芯片4可以包括大小不同的多个芯片，其包括IGBT，其多个引脚3都经过折弯90度后进行封装。参见图4，还包括与所述多个引脚3电连接的控制电路板7，所述控制电路板7具有多个与所述多个引脚3相对应的焊孔8，所述引脚3伸出部分插入所述焊孔8并进行焊接，以实现多个大功率芯片与控制电路板7的电连接，所述控制电路板7上还设有多个其他功能模块，例如控制芯片9和电源模块10。根据该第一实施例，所述散热硅胶2中具有均匀分布的金属颗粒。第二实施例参见图5，一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体1、陶瓷载片5、多个大功率芯片4和散热硅胶2，其中，所述注塑壳体1中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述陶瓷载片5固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中，这样可以防止散热工质金属所述芯片容置腔体内，造成腐蚀等危害；所述多个大功率芯片4通过导热硅脂固定于所述陶瓷载片5上；所述散热硅脂2填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片4的多个引脚3折弯90度后从所述注塑壳体1的顶面伸出；所述注塑壳体1的所述底壁上具有多个散热通道6，所述散热通道6中流通有散热工质，每个所述多个散热通道6的所述散热工质与所述陶瓷载片5的下表面接触。参见图5，与第一实施例不同的是所述陶瓷载片5还可以为金属载片，其形状为由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔，所述载片的四个侧壁的高度H2大于或等于所述多个大功率芯片的最大高度H1，这样可以使得所述金属载片起到电磁屏蔽的作用。所述注塑壳体的四个侧壁的高度H3大于所述载片的四个侧壁的高度H2，这样防止散热工质的外流和渗出。第三实施例结构与第二实施例类似，与之不同的是，在所述载片5的四个侧壁的外侧具有多个连通所述多个散热通道6的立式通道11，所述多个立式通道11与所述多个散热通道6垂直，并且所述多个立式通道11通过环形沟道（未示出）彼此连通。最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本专利技术所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶，其中，所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中；所述多个大功率芯片固定于所述载片上；所述散热硅脂填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出；所述注塑壳体的所述底壁上具有多个散热通道，所述散热通道中流通有散热工质，每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。

【技术特征摘要】
1.一种大功率IGBT器件，具有注塑壳体、载片、多个大功率芯片和散热硅胶，其中，所述注塑壳体中具有一芯片容置腔体，所述芯片容置腔体由一个底壁和四个侧壁围成的长方体腔；所述载片固定设置于所述芯片容置腔体的底面上，并部分嵌入所述四个侧壁中；所述多个大功率芯片固定于所述载片上；所述散热硅脂填满所述芯片容置腔体，并与注塑壳体的顶面共面；所述多个大功率芯片的多个引脚折弯90度后从所述注塑壳体的顶面伸出；所述注塑壳体的所述底壁上具有多个散热通道，所述散热通道中流通有散热工质，每个所述多个散热通道的所述散热工质与所述载片的下表面接触。2.根据权利要求1所述的大功率IGBT器件，其特征在于，还包括与所述多个引脚电连接的控制电路板。3.根据权利要求2所述的大功率IGBT器件，其特征在于，所述控制电路板具有多个与所述多个引脚相对应的焊孔。...

【专利技术属性】
技术研发人员：王汉清，
申请(专利权)人：南通沃特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32