晶片封装体及其制造方法技术

一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、粘胶层与支撑件。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面。感测区位于第一表面上。粘胶层覆盖晶片的第一表面。支撑件位于粘胶层上且围绕感测区。支撑件的厚度介于20μm至750μm，且支撑件围绕感测区的壁面为粗糙面。本发明专利技术不仅可避免因支撑件过厚而造成感测区在感测时产生眩光，还不易产生翘曲，且使得晶片的感测区不易于制程中受到污染，进而提升产品良率。

Chip package and method of manufacturing the same

A wafer package and a method of manufacturing the wafer package comprising a wafer, a glue layer and a support member. The wafer has a sensing area, a relative first surface and a second surface. The sensing area is located on the first surface. The viscose layer covers the first surface of the wafer. The support is located on the viscose layer and surrounds the sensing area. The thickness of the support is between 20 m to 750 mu m, and the supporting member surrounds the wall of the sensing area as a rough surface. The invention not only can cause the glare of the sensing area in the sensing area when the support is too thick, but also can not generate warpage, and the sensing area of the wafer is not easy to be polluted during the process, thereby improving the yield of the product.

【技术实现步骤摘要】
晶片封装体及其制造方法
本专利技术有关于一种晶片封装体及一种晶片封装体的制造方法。
技术介绍
当制作晶片封装体时，通常会将玻璃片覆盖于晶片的表面，用以保护晶片的感测区。在现有具有玻璃片的晶片封装体中，以间隔元件(dam)设置在晶片与玻璃片之间，因此间隔元件的厚度等同玻璃片与晶片之间的距离。也就是说，间隔元件的厚度越大时，玻璃片与晶片之间的间隙也会越大。现有间隔元件的材料为环氧树脂(epoxy)，受限于制程能力，间隔元件的厚度难以降低。当影像感测区接收影像时，易产生眩光的问题(flareissue)。在制作晶片封装体的制程中，若晶圆的厚度较薄时，将会受限于制程能力而使晶圆移动的难度增加，且因晶圆的强度不足，易受外力而破裂。此外，厚度较薄的晶圆易在制程中产生翘曲的问题(warpageissue)，且晶圆上的感测区也易于制程中受到污染，使良率难以提升。
技术实现思路
本专利技术的一技术态样为一种晶片封装体。根据本专利技术一实施方式，一种晶片封装体包含晶片、粘胶层与支撑件。晶片具有感测区、相对的第一表面与第二表面。感测区位于第一表面上。粘胶层覆盖晶片的第一表面。支撑件位于粘胶层上且围绕感测区。支撑件的厚度介于20μm至750μm，且支撑件围绕感测区的壁面为粗糙面。本专利技术的另一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。根据本专利技术一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包含下列步骤。研磨载体。图案化载体，使载体具有凹槽，其中凹槽由载体的槽底与支撑件定义，且支撑件围绕槽底。使用粘胶层将载体贴附于晶圆的第一表面上，且凹槽位于粘胶层与槽底之间。研磨槽底，使槽底的厚度介于10μm至250μm。同步撞击与吸附槽底，使槽底脱离支撑件，并使支撑件原本连接槽底的壁面形成粗糙面。切割晶圆与支撑件，以形成晶片封装体。在本专利技术上述实施方式中，由于晶片封装体的支撑件是经图案化载体及研磨槽底后，撞击减薄后的槽底而产生，因此支撑件原本连接槽底的壁面会形成粗糙面，使得支撑件围绕感测区的壁面为粗糙面。本专利技术的晶片封装体及其制造方法可有效控制支撑件的厚度，避免支撑件过厚而造成感测区在感测时产生花瓣形眩光缺陷(petalflaredefect)影像。此外，在制作晶片封装体时，因晶圆的第一表面通过粘胶层贴附载体，因此即使厚度薄的晶圆也不会受限于制程能力而难以移动，且不易产生翘曲的问题。另外，晶片封装体的制造方法在撞击槽底前，都有载体设置在晶圆上，使得晶片的感测区不易于制程中受到污染，进而提升产品良率。附图说明图1绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体的俯视图。图2绘示图1的晶片封装体沿线段2-2的剖面图。图3绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体的制造方法的流程图。图4绘示根据本专利技术一实施方式的载体的剖面图。图5绘示图4的载体研磨且图案化后的剖面图。图6绘示图5的载体贴附于晶圆后的剖面图。图7绘示图6的晶圆形成通孔与重布线层后的剖面图。图8绘示图7的结构形成阻隔层与导电结构并贴附于保护胶带后的剖面图。图9绘示图8的槽底研磨后的剖面图。图10绘示图9的槽底被撞击与吸附后的示意图。图11绘示图10去除槽底的结构贴附于切割胶带且移除保护胶带后的剖面图。其中，附图中符号的简单说明如下：100：晶片封装体110：晶片110a：晶圆111：感测区112：第一表面114：第二表面117：通孔120：粘胶层130：支撑件130a：载体131：凹槽132：槽底133：壁面150：重布线层160：阻隔层162：开口170：导电结构202：撞击装置204：喷嘴头206：泵220：保护胶带230：切割胶带2-2：线段D1、D2：方向H1、H2：厚度L-L：线段S1～S6：步骤。具体实施方式以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。图1绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体100的俯视图。图2绘示图1的晶片封装体100沿线段2-2的剖面图。同时参阅图1与图2，晶片封装体100包含晶片110、粘胶层120与支撑件130。其中，晶片110具有感测区111、相对的第一表面112与第二表面114。感测区111位于第一表面112上。粘胶层120覆盖晶片110的第一表面112。支撑件130位于粘胶层120上且围绕感测区111。支撑件130的厚度H1介于20μm至750μm，且支撑件130围绕感测区111的壁面133为粗糙面。晶片110为半导体晶圆经切割制程而产生。在本实施方式中，支撑件130的材质与晶片110的材质相同，均包含硅。支撑件130可采用研磨、图案化与撞击另一晶圆的方式产生(将于后述)，使得支撑件130的壁面133因撞击而呈粗糙面，并使支撑件130的厚度H1得以降低至20μm。本专利技术的晶片封装体100可有效控制支撑件130的厚度H1，避免支撑件130过厚而造成感测区111在感测时产生花瓣形眩光缺陷(petalflaredefect)影像。在本实施方式中，晶片110具有位在第一表面112与第二表面114间的通孔117。晶片封装体100还包含重布线层150、阻隔层160与导电结构170。重布线层150位于晶片110的通孔117中，且重布线层150延伸至第二表面114。阻隔层160位于重布线层150与晶片110的第二表面114上，且阻隔层160具有开口162使部分的重布线层150裸露。导电结构170位于阻隔层160开口162中的重布线层150上。导电结构170凸出阻隔层160，用以电性连接电路板。重布线层150的材质可以包含铝。阻隔层160的材质可以包含环氧树脂(epoxy)，例如防焊绿漆。导电结构170可以为球栅阵列(BallGridArray；BGA)的锡球(SolderBall)或导电凸块，其形状与材质并不用以限制本专利技术。支撑件130的材质除了可包含硅，其他如玻璃、氮化铝、胶带或蓝宝石等材料也可作为支撑件130的材质。应了解到，已叙述过的元件材料与元件连接关系将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明图2晶片封装体100的制造方法。图3绘示根据本专利技术一实施方式的晶片封装体的制造方法的流程图。晶片封装体的制造方法包含下列步骤。在步骤S1中，研磨载体。接着在步骤S2中，图案化载体，使载体具有凹槽，其中凹槽由载体的槽底与支撑件定义，且支撑件围绕槽底。之后在步骤S3中，使用粘胶层将载体贴附于晶圆的第一表面上，且凹槽位于粘胶层与槽底之间。接着在步骤S4中，研磨槽底，使槽底的厚度介于10μm至250μm。之后在步骤S5中，同步撞击与吸附槽底，使槽底脱离支撑件，并使支撑件原本连接槽底的壁面形成粗糙面。最后在步骤S6中，切割晶圆与支撑件，以形成晶片封装体。在以下叙述中，将详细说明上述各步骤。图4绘示根据本专利技术一实施方式的载体130a的剖面图。图5绘示图4的载体130a研磨且图案化后的剖面图。同时参阅图4与图5，载体130a可以为硅晶圆。首先，研磨载体130a。接着，图案化载体130a，使研磨后的载体130a具有凹槽131。凹槽131由载体130本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包含：晶片，具有感测区、相对的第一表面与第二表面，其中该感测区位于该第一表面上；粘胶层，覆盖该晶片的该第一表面；以及支撑件，位于该粘胶层上且围绕该感测区，该支撑件的厚度介于20μm至750μm，且该支撑件围绕该感测区的壁面为粗糙面。

【技术特征摘要】
2015.11.23 US 62/258,9411.一种晶片封装体，其特征在于，包含：晶片，具有感测区、相对的第一表面与第二表面，其中该感测区位于该第一表面上；粘胶层，覆盖该晶片的该第一表面；以及支撑件，位于该粘胶层上且围绕该感测区，该支撑件的厚度介于20μm至750μm，且该支撑件围绕该感测区的壁面为粗糙面。2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑件的材质与该晶片的材质相同，均包含硅。3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该晶片具有位在该第一表面与该第二表面间的通孔，该晶片封装体还包含：重布线层，位于该通孔中，且延伸至该第二表面。4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：阻隔层，位于该重布线层与该第二表面上，该阻隔层具有开口使部分的该重布线层裸露。5.根据权利要求4所述的晶片封装体，其特征在于，还包含：导电结构，位于该开口中的该重布线层上，且凸出该阻隔层。6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，该导电结构为锡球或导电凸块。7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑件的材质包含玻璃、氮化铝、胶带或蓝宝石。8.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：(a)研磨载体；(b)图案化该载体，使该载体具有凹槽，其中该凹槽由该载体的槽底与支撑件定义，且该支撑件围绕该槽底；(c)使用粘胶层将该载体贴附于晶圆的第一表面上，且该凹槽位于该粘胶层与该槽底之间；(d)研磨该槽底，使该槽底的厚度介于10μm至2...

【专利技术属性】
技术研发人员：何彦仕，叶晓岚，林佳升，张义民，李柏汉，吴晖贤，吴俊良，张恕铭，黄玉龙，林建名，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71