A method for preparing an insulating substrate with buried layer, which comprises the following steps: providing a substrate, the substrate having a support layer and is arranged on the supporting layer on the surface of an insulating layer; the implementation of the first ion implanted into the substrate modified ion, the insulating layer and the support layer the interface with the modified ion concentration Gauss distribution peak distance is less than 50nm, so that the modified nano cluster ions can formed on the insulating layer; the implementation of the second ion implantation to the insulating layer in the ion implantation modification, the injection of the same ion with the first ion injection steps between the Gauss distribution peak of Gauss distribution peak modified ion concentration in this step and an ion implantation distance less than 80nm, in order to achieve the broadening of nanoclusters distribution area.
【技术实现步骤摘要】
带有绝缘埋层的衬底的制备方法
本专利技术涉及半导体材料领域,尤其涉及一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法。
技术介绍
现有技术中典型的带有绝缘埋层的衬底结构包括三层,依次是支撑层,支撑层表面的绝缘层,以及绝缘层表面的器件层。在一些应用场合,为了防止载流子被高能射线激发而向衬底外部迁移,需要在衬底中引入一层载流子俘获中心来俘获这些载流子,从而提高器件层中电子元件的电学性能。但实践中,为了引入该载流子俘获中心,需要通过注入等手段引入额外的改性离子。因此,如何有效引入该载流子俘获中心,是现有技术亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,提供一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法,能够更有效引入该载流子俘获中心。为了解决上述问题,本专利技术提供了一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层;实施第一次离子注入,向所述衬底内注入改性离子,所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm,以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇;实施第二次离子注入,继续向所述绝缘层内注入改性离子,所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同,本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm,以实现纳米团簇分布区域的展宽。可选的,所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种,或者所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种的同族元素。所述绝缘层的材料为二氧化硅,所述改性离子为硅或锗离子。可选的,所述绝缘层为绝缘埋层或者位于所述衬底的表面。可选的,所述第二次离 ...
【技术保护点】
一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层;实施第一次离子注入,向所述衬底内注入改性离子,所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm,以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇;实施第二次离子注入,继续向所述绝缘层内注入改性离子,所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同,本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm,以实现纳米团簇分布区域的展宽。
【技术特征摘要】
1.一种带有绝缘埋层的衬底的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有一支撑层和设置在支撑层表面的一绝缘层;实施第一次离子注入,向所述衬底内注入改性离子,所述绝缘层和支撑层的界面与改性离子浓度的高斯分布峰之间的距离小于50nm,以使所述改性离子能够在所述绝缘层中形成纳米团簇;实施第二次离子注入,继续向所述绝缘层内注入改性离子,所采用的注入离子与第一次离子注入的步骤相同,本步骤中改性离子浓度的高斯分布峰与上一次离子注入的高斯分布峰之间的距离小于80nm,以实现纳米团簇分布区域的展宽。2.根据权利要求1所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法,其特征在于,所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种,或者所述改性离子为构成绝缘层的化学元素中的一种的同族元素。3.根据权利要求2所述的带有绝缘埋层的衬底的制备方法,其特征在于,所述绝缘层的材料为二氧化硅,所述改性离子为硅或锗离子。4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏星,常永伟,陈猛,陈国兴,费璐,王曦,
申请(专利权)人:上海新傲科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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