一种芯片及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种芯片及其制造方法，该制造方法包括：提供一超薄芯片，超薄芯片的功能面上具有多个电极，在超薄芯片的功能面上形成钝化层，钝化层具有与多个电极分别对应设置的多个第一开口；在钝化层上形成掩膜层，掩膜层具有与多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，第二开口大于第一开口；在第二开口中形成导电凸点；去除掩膜层。本发明专利技术实施例中，通过设置钝化层和掩膜层，将导电凸点形成在第一开口和第二开口中，实现了精确控制导电凸点的形状；形成导电凸点时，任意相邻两个电极上的导电凸点之间采用掩膜层进行间隔，则形成的导电凸点不易挤压而变形避免了相邻导电凸点之间的短路现象，便于一次性、高精度的成型导电凸点。

Chip and manufacturing method thereof

The embodiment of the invention discloses a chip and its manufacturing method, the manufacturing method comprises: providing a thin chip having a plurality of electrode thin chip features on the surface, forming a passivation layer in ultrathin chip function on the surface of the passivation layer has a first plurality of openings and a plurality of electrodes are respectively arranged corresponding to the mask layer is formed; on the passivation layer, the mask layer having an opening and a plurality of first openings are arranged corresponding to the plurality of openings second, second more than the first opening; conductive bumps are formed in the second opening; removing the mask layer. In one embodiment of the invention, by setting the passivation layer and the mask layer, the conductive bump is formed in the first opening and the second opening, to achieve precise control of the conductive bump shape; forming a conductive bump, between any two adjacent conductive bump by mask layer of conductive bump is interval. The formation of extrusion and deformation is not easy to avoid short circuit between adjacent conductive bumps, forming conductive bumps for disposable and high precision.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片及其制造方法
本专利技术实施例涉及芯片制造技术，尤其涉及一种芯片及其制造方法。
技术介绍
芯片是指内含集成电路的硅片，体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分，安装在计算机或其他电子设备中的的芯片是已经封装完成的芯片。芯片的封装流程主要包括芯片制造、芯片切割、芯片贴装和芯片互连。芯片贴装工艺是指将芯片用有机胶和金属焊料粘接在基板上，起到热、电和机械连接的作用。然而，现有芯片贴装工艺中，将芯片贴装到基板之前，如图1所示给芯片10的电极11上涂覆焊料12时，焊料12形状不可控，焊料12易受挤压进而容易与相邻的电极11形成短路。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种芯片及其制造方法，以解决现有芯片贴装工艺中，焊料形状不可控且易受挤压进而容易与相邻的电极形成短路的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种芯片的制造方法，该制造方法包括：提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；在所述第二开口中形成导电凸点；去除所述掩膜层。进一步地，在所述第二开口中形成导电凸点的具体执行过程为：采用电镀工艺在所述第二开口中形成导电凸点。进一步地，形成掩膜层之前，该制造方法还包括：在所述钝化层上形成导电种子层；以及，去除所述掩膜层之后，还包括：去除暴露的所述导电种子层。进一步地，所述导电种子层包括依次层叠形成的钛金属层和铜金属层。进一步地，所述钛金属层的厚度为100nm，所述铜金属层的厚度为300～500nm。进一步地，所述导电凸点包括依次层叠形成的镍金属层和焊盘，其中，所述焊盘的组成材料包括锡或锡银合金。进一步地，所述镍金属层的厚度为2～3μm；所述焊盘的厚度为6～15μm。进一步地，所述超薄芯片包括相对的功能面和非功能面，该制造方法还包括：采用研磨工艺对所述超薄芯片的非功能面进行研磨减薄。进一步地，该制造方法还包括：切割以形成多个芯片。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种芯片，该芯片采用上述芯片制造方法进行制造。本专利技术实施例中提供一种芯片及其制造方法，在超薄芯片的功能面上形成具有多个第一开口的钝化层，在钝化层上形成具有多个第二开口的掩膜层，再第二开口中形成导电凸点则导电凸点与电极接触，最后去除掩膜层。本专利技术实施例中，通过设置具有多个第一开口的钝化层和具有多个第二开口的掩膜层，将导电凸点形成在第一开口和第二开口中，实现了精确控制导电凸点的形状；形成导电凸点时，任意相邻两个电极上的导电凸点之间采用掩膜层进行间隔，则形成的导电凸点不易挤压变形而避免了相邻导电凸点之间的短路现象，便于一次性、高精度的成型导电凸点。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的芯片示意图；图2为现有技术提供的第二种芯片示意图；图3是本专利技术实施例一提供的芯片制造方法的流程图；图4A～图4D是本专利技术实施例一提供的芯片制造工艺的示意图；图5A～图5B是本专利技术实施例二提供的导电种子层制造工艺的示意图；图6是本专利技术实施例二提供的导电凸点制造工艺的示意图；图7是本专利技术实施例二提供的芯片减薄工艺的示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本专利技术实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本专利技术的技术方案，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图2所示为现有技术提供的另一种芯片的示意图。现有芯片贴装工艺中，将芯片贴装到基板之前，如图2所示会在芯片10的电极11上依次形成金属凸点13和焊料12。通常采用“化学镀”镍金的方式形成金属凸点13，然而化学镀溶液中的离子会附着在芯片10的非功能面，导致芯片10的非功能面上形成有一定厚度的金属杂质14。在后续的芯片减薄工序中，芯片10的非功能面上的金属杂质14会影响磨轮的行程动作，导致减薄过程中磨轮电压异常而使芯片10烧结或破裂。此外，在金属凸点13上涂覆焊料12时，焊料12形状不可控，焊料12易受挤压进而容易与相邻的电极11形成短路。为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例一提供一种芯片制造方法，如图3所示，该芯片制造方法具体包括如下步骤：步骤110、如图4A所示提供一超薄芯片201，超薄芯片201的功能面201a上具有多个电极202，在超薄芯片201的功能面201a上形成钝化层203，钝化层203具有与所述多个电极202分别对应设置的多个第一开口203a。本实施例中所述超薄芯片201为设置有电极202的晶圆，晶圆是指常规半导体集成电路制作所用的晶片，因多为圆形故称为晶圆。本实施例中可选晶圆为硅晶圆，本领域技术人员可以理解，任意一种可用于集成电路制作中的晶片均落入本专利技术的保护范围，不仅限于硅晶圆。本实施例中晶圆上绝缘设置有多个电极202，可选该电极202为Al焊盘，本领域技术人员可以理解，任意一种可用于电极制作的材料均落入本专利技术的保护范围，不仅限于Al。具体的，在超薄芯片201的功能面201a上形成钝化膜层并刻蚀该钝化膜层以形成具有多个第一开口203a的钝化层203，钝化层203的多个第一开口203a与所述多个电极202分别对应设置且第一开口203a的底部延伸至电极202的表面。可选的，钝化层203的厚度为5～10μm，可选的第一开口203a的最大口径等于电极202开口。本领域技术人员可以理解，芯片实际生产中，相关从业人员可根据工艺条件和产品所需自行控制第一开口的口径尺寸，在本专利技术中不对第一开口的尺寸进行具体限制。在本实施例中可以采用多种方法形成钝化层203，例如可采用化学气相沉积法、真空蒸镀法、溅射法等多种工艺方法形成钝化膜层，再采用湿法刻蚀或干法刻蚀工艺在电极202上方形成第一开口203a。本实施例中可选钝化层203的组成材料包括聚苯并恶唑(PBO)或聚酰亚胺(PI)，具有成本低、高绝缘等优势。本专利技术中钝化层的组成材料有多种，任意一种已知的易成膜的绝缘材料均落入本专利技术的保护范围，例如多种高绝缘的聚合物薄膜。步骤120、如图4B所示在钝化层203上形成掩膜层204，掩膜层204具有与所述多个第一开口203a分别对应设置的多个第二开口204a，第二开口204a大于第一开口203a。本实施例中在钝化层203上形成掩膜层204且掩膜层204具有多个第二开口204a，第二开口204a与第一开口203a对应设置，则第二开口204a与第一开口203a暴露出对应的电极202的表面。掩膜层204可选为光刻胶，便于在后续工艺中去除。本领域技术人员可以理解，任意一种便于去除且不容易产生杂质的掩膜材料均落入本专利技术的保护范围。具体的可采用曝光、显影和刻蚀工序形成具有第二开口204a的掩膜层204。本实施例中第二开口204a大于第一开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；在所述第二开口中形成导电凸点；去除所述掩膜层。

【技术特征摘要】
1.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；在所述第二开口中形成导电凸点；去除所述掩膜层。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二开口中形成导电凸点的具体执行过程为：采用电镀工艺在所述第二开口中形成导电凸点。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成掩膜层之前，还包括：在所述钝化层上形成导电种子层；以及，去除所述掩膜层之后，还包括：去除暴露的所述导电种子层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述导电种子层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：高国华，朱桂林，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32