The invention discloses a gate power device side wall preparation method comprises the following steps: 1, in the polysilicon gate etching completed the main power device, the insulating layer of a predetermined thickness is arranged on the surface of the main power devices and polysilicon gate sidewall; step 2, layer deposited on the insulating protective layer on the insulating; step 3, the entire surface of the dry etching the insulating protective layer between the upper part of the polysilicon gate and the polysilicon gate of the insulating protective layer etching clean; step 4, the entire surface of the dry etching the polysilicon gate between the insulating layer. Through the insulation wall lateral power devices deposited on the gate body and a layer of insulating protective layer in dry etching process, the insulating side walls of polysilicon gate protection against loss of power device of the main body, in order to maintain its thick thickness, thereby improving the leakage characteristics of the device, improve the reliability of products.
【技术实现步骤摘要】
一种功率器件栅极侧墙制备方法
本专利技术涉及半导体器件制备
,特别是涉及一种功率器件栅极侧墙制备方法。
技术介绍
功率器件多晶硅栅极的绝缘层侧墙的材料种类及厚度与器件漏电存在密切联系。在平面栅功率器件(如IGBT、VDMOS等)的制程中,多晶硅栅极刻蚀后,一般会采用沉积或其它方式,在晶圆表面及多晶硅栅极侧壁形成一定厚度的绝缘层。该多晶硅栅极侧壁的绝缘层称之为栅极侧墙。接下来,需进行整面刻蚀来去除掉多晶硅栅极之间晶圆表面的绝缘层,打开接触电极的窗口。但是,此工艺方法会损耗绝缘侧墙的厚度,从而增加器件的漏电。为了解决这一问题,现有技术中的一种解决方案中,通过在打开接触电极窗口前,增加一道光刻工艺,可使绝缘侧墙免遭刻蚀。但该工艺方案也带来一个新的问题,即:光刻对准精度问题会影响左右的对称性,从而劣化器件性能。在另一种解决方案中,通过采用SiN作为多晶硅栅极侧墙,来保护栅极从而减小栅极漏电。但实际中SiN侧墙在刻蚀的过程中也会有损耗,导致对栅极漏电的抑制效果变差。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种功率器件栅极侧墙制备方法,保护功率器件多晶硅栅极的绝缘侧墙免受损失,使其保留较厚的厚度,从而改善器件的漏电特性,提高产品可靠性。为解决上述技术问题,本专利技术实施例提供了一种功率器件栅极侧墙制备方法,包括:步骤1,在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后,在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层;步骤2,在所述绝缘层上沉积绝缘保护层;步骤3,整面干法刻蚀所述绝缘保护层,将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净;步骤4, ...
【技术保护点】
一种功率器件栅极侧墙制备方法,其特征在于,包括:步骤1,在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后,在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层;步骤2,在所述绝缘层上沉积绝缘保护层;步骤3,整面干法刻蚀所述绝缘保护层,将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净;步骤4,整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种功率器件栅极侧墙制备方法,其特征在于,包括:步骤1,在完成功率器件主体的多晶硅栅极刻蚀后,在所述功率器件主体的表面以及多晶硅栅极侧壁设置预定厚度的绝缘层;步骤2,在所述绝缘层上沉积绝缘保护层;步骤3,整面干法刻蚀所述绝缘保护层,将所述多晶硅栅极上方以及所述多晶硅栅极之间的所述绝缘保护层刻蚀干净;步骤4,整面干法刻蚀所述多晶硅栅极之间的所述绝缘层。2.如权利要求1所述功率器件栅极侧墙制备方法,其特征在于,所述绝缘层为SiN层、SiON层或SiO2层。3.如权利要求1或2所述功率器件栅极侧墙制备方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚尧,杨鑫著,文高,蒋明明,谭真华,刘武平,李超伟,
申请(专利权)人:株洲中车时代电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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