A micron template construction of poly (3,4 ethylidene two 3-ethoxyl thiophene) poly (styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) nanowires method includes the steps of: firstly, assembly of conductive PEDOT:PSS thin films on the substrate by controlling the growth time of PEDOT:PSS film thickness; and the surface of rotating PEDOT:PSS thin film coated by nanoimprint lithography. Spin control stamping adhesive thickness; then, the edge effect by nanoimprint lithography, nanoimprint lithography in nanostructures induced by surface using micron template; finally, using anisotropic plasma etching technology to transfer the nanostructures on PEDOT:PSS films, so as to realize the construction of high resolution PEDOT:PSS nanowires with micron template. The PEDOT:PSS nanowire produced by the method has the advantages of low cost, simple process, short time consumption and high resolution.
【技术实现步骤摘要】
一种简单廉价制备聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)纳米线的方法
本专利技术涉及导电聚合物微纳加工领域,具体是一种涉及无需高分辨率模板,结合纳米压印和等离子刻蚀技术,制备高分辨率的导电聚合物纳米线的方法。
技术介绍
导电聚合物不仅是一种兼备了电学、光学和磁学性质的独特材料,而且具备优秀的机械加工性能,例如重量轻、容易加工、弯曲性好等特点,因而受人们的广泛关注。然而,传统的用于制备表面导电聚合物图案的方法,难以将高分辨率和低成本的方法结合在一起,因此,设计并实现一种能够将二者结合在一起的方法成为了一个急需攻克的难题。纳米压印技术是一种成本低、产量高的技术,这种技术基于在纳米尺度上使阻挡层聚合物机械变形。以导电聚合物或导电聚合物的混合物为阻挡层,己经可以用纳米压印技术图案化导电聚合物(J.Vac.Sci.Technol.B2001,19,487;Synth.Met.2001,121,1309)。然而,根据纳米压印的自身特点,直接压印方法仅适用于有玻璃化转变温度(Tg)或可以紫外引发交联的导电聚合物,这样导电聚合物的共混压印法受到一定的限制。Dong等人(Adv.Mater.2005,17,2736)利用纳米压印技术,在压印胶表面构筑纳米沟道,在纳米沟道处沉积导电高分子,最后洗脱压印胶体得到高分辨率的导电聚合物纳米线,避免了气体刻蚀对导电聚合物的损坏,其传感性能比传统的传感器体现出更优异的灵敏度。在纳米压印中,高分辨率的图案,一般情况下就得需要高分辨率的模板。然而,高分辨率的模板造价昂贵、制备手段复杂、制备过程耗时,这就限制了纳米压印在制备导电高聚合物 ...
【技术保护点】
一种简单廉价制备聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)纳米线的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)在基底表面生长聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜,薄膜厚度控制10~50nm;(2)在聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜上旋涂压印胶,厚度控制30~1000nm;(3)采用纳米压印技术,一定压印温度下,用微米级模板在压印胶表面构筑纳米结构;(4)利用各向异性等离子刻蚀技术,把压印胶的纳米结构转移到聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)表面,制备出10~500nm的聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种简单廉价制备聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)纳米线的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)在基底表面生长聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)薄膜,薄膜厚度控制10~50nm;(2)在聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)薄膜上旋涂压印胶,厚度控制30~1000nm;(3)采用纳米压印技术,一定压印温度下,用微米级模板在压印胶表面构筑纳米结构;(4)利用各向异性等离子刻蚀技术,把压印胶的纳米结构转移到聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)表面,制备出10~500nm的聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)纳米线。2.根据权利要求1所述的一种简单廉价制备聚...
【专利技术属性】
技术研发人员:石刚,车友新,李赢,王大伟,倪才华,桑欣欣,
申请(专利权)人:江南大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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