The present invention provides an interconnection method for a three dimensional packaging of microsystems. The invention of nano scale effect, the special interface current based on the agglomeration effect, electromigration, realize low temperature and low pressure heat pressing technique in electric power ordered periodic multi physical field load, reduce the interfacial bonding defects. This method is easy to operate and compatible with microelectronic process. It has a wide range of applications in micro systems, 3D integrated packaging, optoelectronic integrated devices and other fields.
【技术实现步骤摘要】
一种微系统三维封装的互连方法
本专利技术属于微机电系统封装互连
,具体涉及一种微系统三维封装的互连方法。
技术介绍
随着微纳机电系统以及微电子芯片集成化、多功能化发展要求,三维封装通过将连个器件在垂直方向上的力、热、电互连,降低微系统的尺寸和重量,并通过缩短互连通道长度减少信号延迟,增强热传导效率,逐渐成为微系统封装技术的重要发展方向。传统的互连技术包括硅-硅直接键合、硅-玻璃阳极键合等方法,但作为适用于三维封装的互连技术,除了满足结构连接需求外,还要满足高效率导电和导热要求,成为器件之间能量交换和信号传输的通道。因此,在器件三维集成封装中金属互连成为主要形式。最常用的是热压键合方法,在一定压力和温度作用下,利用原子间的相互扩散实现有效连接,但温度多在300℃以上,压力大于10MPa,对器件性能和寿命均有不利影响。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术要解决的技术问题在于提供一种微系统三维封装的互连方法,本专利技术在较低的温度和压力条件下实现了器件互联,增强了键合工艺可靠性。本专利技术提供了一种微系统三维封装的互连方法,包括以下步骤:A)分别在两个器件的键合目标面溅射金属,得到两个复合有金属基底的器件;B)在其中一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有纳米孔结构的金属互连层;在另一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有金属纳米针锥结构的金属互连层;C)将所述具有纳米孔结构的金属互连层与所述具有金属纳米针锥结构的金属互连层相对叠加后,按照以下步骤完成器件的互联:第一步:向所述两个金属互联层施加超声振动载荷;第二步:向所述两个金属互联层施加 ...
【技术保护点】
一种微系统三维封装的互连方法,其特征在于,包括以下步骤:A)分别在两个器件的键合目标面溅射金属,得到两个复合有金属基底的器件;B)在其中一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有纳米孔结构的金属互连层;在另一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有金属纳米针锥结构的金属互连层;C)将所述具有纳米孔结构的金属互连层与所述具有金属纳米针锥结构的金属互连层相对叠加后,按照以下步骤完成器件的互联:第一步:向所述两个金属互联层施加超声振动载荷;第二步:向所述两个金属互联层施加恒定压力和温度,并在两个金属基底间连接周期性脉冲电流,且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲;第三步:向所述两个金属互联层施加恒定压力和温度;第四步:循环第二步和第三步;在所述第二步和第三步中,所述恒定压力为1~5MPa,温度为80~150℃。
【技术特征摘要】
1.一种微系统三维封装的互连方法,其特征在于,包括以下步骤:A)分别在两个器件的键合目标面溅射金属,得到两个复合有金属基底的器件;B)在其中一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有纳米孔结构的金属互连层;在另一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有金属纳米针锥结构的金属互连层;C)将所述具有纳米孔结构的金属互连层与所述具有金属纳米针锥结构的金属互连层相对叠加后,按照以下步骤完成器件的互联:第一步:向所述两个金属互联层施加超声振动载荷;第二步:向所述两个金属互联层施加恒定压力和温度,并在两个金属基底间连接周期性脉冲电流,且每个周期包括两个同幅反向电流脉冲;第三步:向所述两个金属互联层施加恒定压力和温度;第四步:循环第二步和第三步;在所述第二步和第三步中,所述恒定压力为1~5MPa,温度为80~150℃。2.根据权利要求1所述的互联方法,其特征在于,步骤A)中,所述金属为金,所述金属基底的厚度为20~50nm。3.根据权利要求1所述的互联方法,其特征在于,采用选择性腐蚀的方法在其中一个所述复合有金属基底的器件的金属基底表面制备具有纳米孔结构的金属互连层;采用电化学沉积的方法在另一个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋晓辉,赵兰普,岳鹏飞,张洪敏,王玎,张伟,乔彦超,安浩平,吴顺丽,王其富,
申请(专利权)人:河南省科学院应用物理研究所有限公司,
类型:发明
国别省市:河南,41
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