The invention discloses a preparation method of silicon epitaxial process seal cavity capacitive pressure sensor and its system based on microelectronics, in particular to a capacitive pressure sensor based on micro processing technology based on MEMS, the epitaxial silicon technology is mature, the performance of silicon micro mechanical structure formation is good, especially the cavity structure formed by epitaxial silicon the sealing performance is excellent. The capacitance of the capacitive pressure sensor is mainly determined by the thickness of the film body and is affected by the ambient temperature and pressure. Based on the principle of dielectric expansion effect, the dielectric constant of capacitive dielectric material varies with the change of pressure, and shows obvious monotonicity. This characteristic can be used to detect the pressure or barometric pressure. Combined with MEMS micro fabrication technology, the capacitive pressure sensor has the advantages of small size, low power consumption and short response time.
【技术实现步骤摘要】
一种电容式微电子气压传感器及其制备方法
本专利技术涉及一种电容式微电子气压传感器及其制备方法,尤其是一种基于MEMS微加工技术的电容式微电子气压传感器及其制备方法,属于微电子机械系统
技术介绍
常规气压传感器的敏感原理主要包括电阻感应和电容感应两种。电阻感应的原理是被测气体的压力变化时,薄膜形变带动顶针,导致膜上电阻的阻值发生变化。电容感应的原理是被测气体的压力变化时,电容的可动电极产生一定的位移,电容的间距产生变化,导致电容的值产生变化。这两种气压传感器的主要缺陷是:(1)对于电阻式气压传感器来说,首先保证电阻的阻值大小、形状以及摆放的位置均符合要求,其次保证形成惠斯通电桥的四个电阻阻值完全相等,所以对此类气压传感器的制作工艺有极高的要求;(2)对于常规电容式气压传感器来说,由于存在一个可动电极,引出电极比较困难,且传感器后期封装也比较困难,密封工艺要求高,导致此类气压传感器的可靠性比较差。
技术实现思路
目的:为解决现有技术的不足,提供一种电容式微电子气压传感器及其制备方法,器件加工工艺简单,具有结构稳定,低成本等特点,且与CMOSIC工艺有较好的兼容性。基本方法:采用MEMS微加工技术,通过单晶硅外延密封腔体工艺在硅片内形成空腔,并且在密封空腔上形成空腔敏感电容从而实现气压传感器的功能。技术方案:为解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:一种电容式微电子气压传感器,其特征在于:包括单晶硅密封腔体和基于上下两电极间距离变化量的电容式气压传感器;以单晶硅作为衬底,通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构;通过溅射,光刻,腐蚀工艺,在密封腔上表面 ...
【技术保护点】
一种电容式微电子气压传感器,其特征在于:包括单晶硅密封腔体和基于上下两电极间距离变化量的电容式气压传感器;以单晶硅作为衬底,通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构;通过溅射,光刻,腐蚀工艺,在密封腔上表面的依次生长电容器下电极、牺牲层、上电极;最后在对电容器上电极、电容器下电极进行保护的同时,对牺牲层进行各向同性的腐蚀,去除牺牲层;在单晶硅衬底上设置有金属焊盘和引线用来分别引出电容器的上电极、下电极。
【技术特征摘要】
1.一种电容式微电子气压传感器,其特征在于:包括单晶硅密封腔体和基于上下两电极间距离变化量的电容式气压传感器;以单晶硅作为衬底,通过单晶硅外延封腔工艺形成密封腔体结构;通过溅射,光刻,腐蚀工艺,在密封腔上表面的依次生长电容器下电极、牺牲层、上电极;最后在对电容器上电极、电容器下电极进行保护的同时,对牺牲层进行各向同性的腐蚀,去除牺牲层;在单晶硅衬底上设置有金属焊盘和引线用来分别引出电容器的上电极、下电极。2.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器,其特征在于:所述单晶硅衬底上表面依次生长有氧化硅和氮化硅,并光刻、腐蚀形成接触孔。3.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器,其特征在于:所述电容器下电极、上电极、引线及焊盘的材质均为金属。4.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器,其特征在于:所述电容器下电极、上电极、引线及焊盘的材质均为Al。5.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器,其特征在于:所述牺牲层的材质为磷硅玻璃。6.根据权利要求1所述的电容式微电子气压传感器,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡春华,朱念芳,齐本胜,谈俊燕,华迪,曹元,王海滨,
申请(专利权)人:河海大学常州校区,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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