控制电路和同步切换电路制造技术

本公开涉及控制电路和同步切换电路，本实用新型专利技术要解决的一个技术问题是提供改进的控制电路和同步切换电路。控制电路包括构造为将电气负载的第一部件切换入电气电路的第一晶体管，第一晶体管具有第一晶体管输入；以及构造为与所述第一晶体管同步地将电气负载的第二部件切换入电气电路的第二晶体管，第二晶体管具有耦接到第一晶体管输入的第二晶体管输入。通过本实用新型专利技术，可以获得改进的控制电路和同步切换电路。

Control circuit and synchronous switching circuit

The utility model relates to a control circuit and a synchronous switching circuit, and the technical problem to be solved by the utility model is to provide an improved control circuit and a synchronous switching circuit. The control circuit includes the structure that the first part of the electrical load switch into the electrical circuit of the first transistor, the first transistor has a first transistor input; and the structure and the first transistor synchronous to the electrical load second parts second crystal switch into the electrical circuit of the tube, the second transistor has second input transistor coupled to the first transistor input. By adopting the utility model, an improved control circuit and a synchronous switching circuit can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
控制电路和同步切换电路
本申请的各方面总体涉及电气电路，并且更具体地涉及控制电路和同步切换电路。
技术介绍
电气电路可以包括彼此相互作用的多个子电路(例如，电气部件或电气部件组)。在一些电气电路实现中，针对一个子电路预测或者控制相对于另一个子电路的切换事件将是有利的。例如，基于一个开关的激活或者停用来激活或者停用另一个开关可以是有利的。然而，这种切换可能难以实现。
技术实现思路
本技术要解决的一个技术问题是提供改进的控制电路和同步切换电路。实施例中的至少一些涉及一种控制电路，所述控制电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管被构造为将电气负载的第一部件切换入电气电路，所述第一晶体管具有第一晶体管输入；以及第二晶体管，所述第二晶体管被构造为与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的第二部件切换入所述电气电路，所述第二晶体管具有耦接到所述第一晶体管输入的第二晶体管输入。在一个实施例中，所述第二晶体管输入经由齐纳二极管耦接到所述第一晶体管输入，并且其中所述齐纳二极管被构造为补偿所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述电气负载的所述第一部件和所述电气负载的所述第二部件中的至少一些当中的温度漂移。在一个实施例中，所述第一晶体管包括p型半导体(PNP)双极结型晶体管(BJT)，并且其中所述第二晶体管包括n型半导体(NPN)BJT。在一个实施例中，当所述第二晶体管将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时，所述第二晶体管将所述电气电路的所述电气负载的至少一部分从并联拓扑结构重新构造为串联拓扑结构。在一个实施例中，当所述第二晶体管与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时，所述第二晶体管与所述第一晶体管同时地或者与所述第一晶体管连续地将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路。实施例中的至少一些涉及同步切换电路，该同步切换电路包括：p型半导体(PNP)双极结型晶体管(BJT)，该PNPBJT包括：耦接到电压源的第一基极端子；耦接到电压源的第一发射极端子；以及耦接到第一负载部件的第一集电极端子；二极管，该二极管具有耦接到PNPBJT的第一基极端子的第一端子和第二端子；以及n型半导体(NPN)双极结型晶体管(BJT)，该NPNBJT包括：耦接到二极管的第二端子和地电势的第二基极端子；耦接到地电势的第二发射极端子；以及耦接到第二负载部件和电压源的第二集电极端子。在一个实施例中，二极管是齐纳二极管，其中二极管的第一端子是阴极，并且其中二极管的第二端子是阳极，以及其中第一基极端子经由耦接在第一基极端子和电压源之间的第一电阻器耦接到电压源。在一个实施例中，第二集电极端子经由耦接在第二集电极端子和电压源之间的第二电阻器耦接到电压源。在一个实施例中，第二基极端子经由分压器耦接到二极管的第二端子和地电势，所述分压器包括第三电阻器和第四电阻器；其中第三电阻器耦接在第二基极端子和二极管的第二端子之间，以及其中第四电阻器耦接在第二基极端子和地电势之间。在一个实施例中，PNPBJT和NPNBJT被激活或停用以同时地或连续地控制第一负载部件和第二负载部件。本技术的一个有益技术效果是提供了改进的控制电路和同步切换电路。附图说明在附图和以下描述中公开了用于电气电路中的多个切换事件的同步的具体系统，在附图中：图1A是包括用于多个切换事件的同步的控制电路的电气电路的概念性框图。图1B是用于使多个切换事件同步的控制电路的概念性示意图。图2是用于使多个切换事件同步的控制电路的电路示意图。图3是包括用于多个切换事件的同步的控制电路的电气电路的电路示意图。然而，应当理解，附图及其具体描述中给定的具体实施例并不限制本公开。相反，它们为本领域技术人员提供了辨别与给定实施例中的一个或多个一起包括在所附权利要求的范围中的替换形式、等同物和修改的基础。具体实施方式相关申请的交叉引用本非临时申请要求2015年9月15日提交的临时美国申请No.62/219,110的优先权，并且通过引用并入此处。本文公开的是用于电气电路中的多个切换事件的同步的实施例。更精确地，至少一些实施例涉及控制电路系统，该控制电路系统构造为接收控制切换事件的输入信号并提供多个切换信号以同步地切换多个部件。如本文使用的，切换事件是由电气部件采取的动作，该动作使一个或多个电气部件与电气电路电气地耦接或者解耦。附加地，如本文使用的，“同步地”可以意味着同时地切换多个开关以使得多个开关中的每一个在大约相同时刻翻转状态，或连续地切换多个开关以使得多个开关中的每一个在没有或几乎没有时间推移或延迟的情况下一个接一个翻转状态。例如，同步发生的多个事件(例如，切换事件)或动作(例如，开关翻转状态)可以在彼此的5纳秒内发生。由于公开的控制电路系统同步切换多个部件，可以精确地预测和控制多个部件的切换时间。因此，公开的控制电路系统增加了效率(例如，通过基于电气电路的负载的构造来修改电气电路中可用的电流量)并减少了谐波以及优化了电气电路的功率因数(例如，通过使电气电路的电流波形与电气电路的电压波形相匹配)。图1A是电气电路100的概念性框图，电气电路100包括用于使多个切换事件同步的控制电路120。图1A将电气电路100图示为包括耦接到控制电路120的电源110以及耦接到电源110和控制电路120的负载130。控制电路120可以包括至少部分基于例如同步切换事件的期望数量的与负载130的多个耦接(例如，控制电路120可以包括与负载130的两个耦接以提供用于电气电路的两个切换事件的同步切换，并且由此，控制电路120可以是同步控制电路和/或同步切换电路)。由此，控制电路根据本文描述的实施例起作用以控制负载130。尽管本文将电气电路100图示为包括电源110、控制电路120和负载130，但是电气电路100可以包括任意数量的电路或部件，并且不限于本文示出和描述的示例性构造。图1B包括用于多个切换事件的同步的控制电路120的概念性框图。控制电路120包括构造为控制第一切换事件的第一切换电路122和构造为与第一切换事件同步地控制第二切换事件的第二切换电路124。尽管本文将控制电路120图示为包括两个切换电路，但是控制电路120可以根据同步切换事件的期望数量而包括任意数量的切换电路(例如，对于n个切换事件的同步，控制电路120可以包括n个切换电路)，并且不限于本文示出和描述的示例性构造。进一步地，控制电路120可以包括构造为使第一切换电路122耦接到第二切换电路124(或者，更具体地，使n个切换电路中的任意两个或多个耦接在一起)的任意数量的附加电气部件。第一切换电路122和第二切换电路124中的每一个可以包括构造为作为开关操作的晶体管，以及帮助晶体管的操作或者促进第一切换电路122和第二切换电路124之间的耦接的支持电气部件。晶体管可以是双极结型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)或者本领域技术人员理解为适合于作为开关操作的任何其它晶体管或晶体管的组合。当第一切换电路122或第二切换电路124使用BJT时，BJT可以是n型(或n掺杂)半导体(NPN)BJT或p型(或p掺杂)半导体(PNP)BJT。第一切换电路122和第二切换电路124中的每一个可以使用相同类型的BJT(例如，NPN或PNP)或可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制电路，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管被构造为将电气负载的第一部件切换入电气电路，所述第一晶体管具有第一晶体管输入；以及第二晶体管，所述第二晶体管被构造为与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的第二部件切换入所述电气电路，所述第二晶体管具有耦接到所述第一晶体管输入的第二晶体管输入。

【技术特征摘要】
2015.09.15 US 62/219,110;2016.08.31 US 15/253,3861.一种控制电路，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管被构造为将电气负载的第一部件切换入电气电路，所述第一晶体管具有第一晶体管输入；以及第二晶体管，所述第二晶体管被构造为与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的第二部件切换入所述电气电路，所述第二晶体管具有耦接到所述第一晶体管输入的第二晶体管输入。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第二晶体管输入经由齐纳二极管耦接到所述第一晶体管输入，并且其中所述齐纳二极管被构造为补偿所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述电气负载的所述第一部件和所述电气负载的所述第二部件中的至少一些当中的温度漂移。3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述第一晶体管包括p型半导体PNP双极结型晶体管BJT，并且其中所述第二晶体管包括n型半导体NPNBJT。4.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，当所述第二晶体管将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时，所述第二晶体管将所述电气电路的所述电气负载的至少一部分从并联拓扑结构重新构造为串联拓扑结构。5.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，当所述第二晶体管与所述第一晶体管同步地将所述电气负载的所述第二部件切换入所述电气电路时，所述第二晶体管与所述第一晶体管同时地或者与所述第一晶体管连续地将所述电气负载的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·奈尔斯，K·奥康诺，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US