一种晶闸管整流器的过压保护系统技术方案

本实用新型专利技术提供的一种晶闸管整流器的过压保护系统，在晶闸管整流器的交流侧设置与其并联的第一阻容吸收器，在晶闸管整流器中的晶闸管旁设置并联的第二阻容吸收器，并在晶闸管整流器的直流侧设置与其并联的第三阻容吸收器，分别限制晶闸管整流器交、直流侧的分闸操作切断电感回路电流时，会因电感释放磁场储能而形成数倍额定电压的过电压，以及限制晶闸管整流器中晶闸管的换相过电压，进而，解决晶闸管整流器在使用过程中很容易受到过电压影响而损坏的问题。

Overvoltage protection system for thyristor rectifier

A thyristor rectifier overvoltage protection system provided by the utility model, the first stop in the AC side of the rectifier set of thyristor and its parallel capacitance absorber in thyristor thyristor rectifier second resistance pipe is arranged beside the parallel capacitance absorber, third DC resistance settings and thyristor rectifier at parallel with the capacitance absorber respectively limit thyristor rectifier AC and DC side of the gate operation cut inductance loop current, overvoltage due to inductive magnetic field energy release and the formation of several times the rated voltage, and limiting the thyristor rectifier MICROTEK thyristor commutation overvoltage, and then solve the thyristor rectifier in the use process is easy to be damaged by the overvoltage effect.

【技术实现步骤摘要】
一种晶闸管整流器的过压保护系统
本技术涉及晶闸管整流器领域，更具体地说，涉及一种晶闸管整流器的过压保护系统。
技术介绍
整流器是把交流电转换成直流电的装置，可用于供电装置及侦测无线电信号等。晶闸管整流器由于其调节速度较其它整流器快，例如二极管整流器，因此，得到广泛的应用。但是，晶闸管整流器在使用过程中很容易受到过电压的影响而损坏。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出一种晶闸管整流器的过压保护系统，欲解决晶闸管整流器在使用过程中很容易受到过电压影响而损坏的技术问题。为了解决上述技术问题，现提出的方案如下：一种晶闸管整流器的过压保护系统，包括：第一阻容吸收器、第二阻容吸收器和第三阻容吸收器，其中：所述第一阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的交流侧；所述第二阻容吸收器与所述晶闸管整流器中的晶闸管并联；所述第三阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的直流侧。优选的，所述第二阻容吸收器的电阻还并联压敏电阻。优选的，所述压敏电阻为：金属氧化物压敏电阻。优选的，所述金属氧化物压敏电阻为：氧化锌压敏电阻或氧化钛压敏电阻。优选的，所述系统还包括：并联在所述晶闸管整流器交流侧的压敏电阻。优选的，所述系统还包括：并联在所述晶闸管整流器直流侧的压敏电阻。优选的，所述系统还包括：设置在所述晶闸管整流器交流侧的避雷器。与现有技术相比，本技术的技术方案具有以下优点：上述技术方案提供的晶闸管整流器的过压保护系统，在晶闸管整流器的交流侧设置与其并联的第一阻容吸收器，在晶闸管整流器中的晶闸管旁设置并联的第二阻容吸收器，并在晶闸管整流器的直流侧设置与其并联的第三阻容吸收器，分别限制晶闸管整流器交、直流侧的分闸操作切断电感回路电流时，会因电感释放磁场储能而形成数倍额定电压的过电压，以及限制晶闸管整流器中晶闸管的换相过电压。进而，解决晶闸管整流器在使用过程中很容易受到过电压影响而损坏的问题。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种晶闸管整流器的过压保护系统的结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种晶闸管整流器的过压保护系统的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本实施例提供一种晶闸管整流器的过压保护系统，参见图1所示，高压电源经降压变压器供电晶闸管整流器，该系统包括：第一阻容吸收器1、第二阻容吸收器2和第三阻容吸收器3，其中：第一阻容吸收器1并联在所述晶闸管整流器的交流侧。在降压变压器的二次侧(即晶闸管整流器的交流侧)并联阻容吸收器，阻容吸收器中的电容可以快速变压器释放出来的磁场能量，即造成过电压的磁场能量，阻容吸收器中的电阻可在电磁过程中消耗造成过电压的能量。进而可以限制晶闸管整流器交流侧的分闸操作切断电感回路电流时，因电感释放磁场储能而形成数倍额定电压的过电压。第二阻容吸收器2与所述晶闸管整流器中的晶闸管并联。晶闸管在反向阻断能力恢复前，将在反向电压作用下流过相当大的反向恢复电流，当阻断能力恢复时，因反向恢复电流很快截止，通过恢复电流的电感会因高电流变化率而产生过电压，即换相过电压。可以限制晶闸管整流器中晶闸管的换相过电压。第三阻容吸收器3并联在所述晶闸管整流器的直流侧。当电路中的熔断器熔断或直流快速开关切断时，因直流侧电抗器释放储能，会在晶闸管整流器直流侧造成过电压；另外，直流侧的直流快速开关(或熔断器)切断负载电流时，变压器释放的储能也产生过电压，尽管交流侧已经限制了这种过电压，但其过大时，仍可能通过导通着的晶闸管传输到直流侧。通过在直流侧设置阻容吸收器，可以限制晶闸管整流器直流侧的分闸操作切断电感回路电流时，因电感释放磁场储能而形成数倍额定电压的过电压。本实施例提供的晶闸管整流器的过压保护系统，通过设置第一阻容吸收器1、第二阻容吸收器2和第三阻容吸收器3，分别限制晶闸管整流器交、直流侧的分闸操作切断电感回路电流时，会因电感释放磁场储能而形成数倍额定电压的过电压，以及限制晶闸管整流器中晶闸管的换相过电压。进而，解决晶闸管整流器在使用过程中很容易受到过电压影响而损坏的问题。由于雷击等外部因素侵入电网的偶然性的浪涌过电压，也会造成晶闸管损坏。未对不同性质的过电压进行限制，为第二阻容吸收器2的电阻并联压敏电阻4，在晶闸管整流器交流侧并联压敏电阻5，以及在所述晶闸管整流器直流侧并联压敏电阻6，在所述晶闸管整流器交流侧设置避雷器7。参见图2所示，即组成线性与分线性复合式阻容吸收电路。压敏电阻因伏安特性对称于原点，故具有双向限压作用。压敏电阻是一种非线性电阻元件，具有明显的击穿电压，在施加电压低于击穿电压时，漏电流仅为毫安级，损耗小；在施加电压超过击穿电压时，压敏电阻击穿，可以通过很大的浪涌电流。压敏电阻可以为金属氧化物压敏电阻。具体的，为氧化锌压敏电阻或氧化钛压敏电阻。在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的设备中还存在另外的相同要素。本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对技术所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶闸管整流器的过压保护系统，其特征在于，包括：第一阻容吸收器、第二阻容吸收器和第三阻容吸收器，其中，所述第一阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的交流侧；所述第二阻容吸收器与所述晶闸管整流器中的晶闸管并联；所述第三阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的直流侧。

【技术特征摘要】
1.一种晶闸管整流器的过压保护系统，其特征在于，包括：第一阻容吸收器、第二阻容吸收器和第三阻容吸收器，其中，所述第一阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的交流侧；所述第二阻容吸收器与所述晶闸管整流器中的晶闸管并联；所述第三阻容吸收器并联在所述晶闸管整流器的直流侧。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第二阻容吸收器的电阻还并联压敏电阻。3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述压敏电阻为：金属氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：金叶欢，卢天健，金星明，杨豫杰，葛维标，朱允政，王帅，孟庆楠，徐凌，郭锦卫，郑回宫，金欧，王恭沨，郭双娟，余博文，
申请(专利权)人：国网浙江临海市供电公司，国家电网公司，国网浙江省电力公司台州供电公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33