The invention discloses a diamond cut silicon for cashmere cashmere and the method of pretreatment system, which comprises the following steps: 1): diamond cut silicon good for cleaning and drying; 2) of polycrystalline silicon wafer cleaning and drying of wet oxidation; 3): Step 2) polysilicon film cleaning and drying processing; 4): step 3) solid phase crystallization polysilicon film treated; 5) in step 4) of wool polysilicon film obtained by polysilicon, texturization; this method is effective to reduce the grain cutting polysilicon surface diamond cut silicon. The wool after battery conversion efficiency.
【技术实现步骤摘要】
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法及制绒方法
本专利技术涉及一种多晶硅太阳能电池制绒的预处理方法,尤其涉及一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,属于多晶硅太阳能电池领域。
技术介绍
随着光伏产业的大力发展,促使很多学者和企业对太阳能电池每个生产环节的成本都要严格控制。多晶硅片目前是做太阳能电池片的主要材料,现有的多晶硅锭切片厂家主要采用砂浆切割的方法,而单晶硅目前所采用的方式为金刚线切割方法。金刚线切割比砂浆切割有很大优势:(1)大幅度提高硅锭的有效率,金刚线切割比砂浆切割切缝小;(2)环保;(3)切割后的硅粉回收利用率高。然而带来的缺点也很致命,金刚线切割的多晶硅片,其光折射率比普通砂浆切割的折射率高4~6%,这也使金刚线切割的多晶硅片,制作成电池以后转换效率降低,无法满足市场需求。降低金刚线切割多晶硅片的折射率的方法有几种,申请公布号CN104328503A的专利提出用湿法对多晶硅片进行处理,可以降低折射率;申请公布号CN105679882A提出用热处理的方法对多晶硅片进行处理,也可降低折射率;本专利技术提出一种全新的方式,采用湿氧氧化和固相结晶相结合的方式,可有效的降低折射率,提高电池的转换效率。硅的热氧化工艺根据其气氛不同主要分为三种:干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。本专利技术所采用的湿氧氧化是采用高纯氧气和高温水蒸汽结合,与高温的硅进行反应,与表面因金刚线切割而形成的切割纹多晶硅进行反应,形成一层可去除的SiO2薄膜,反应原理如下:Si(固态)+O2(气态)→SiO2(固态)Si(固态)+2H2O(汽态)→SiO2(固态)+2H2(气态)硅的 ...
【技术保护点】
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)将金刚线切割好的多晶硅片置于酸溶液中进行浸泡处理,处理温度为0℃~30℃,处理时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(2)对清洗烘干后的多晶硅片放入连续式电阻炉中升温,升温至终点温度后,向连续式电阻炉中持续通入氧气和水蒸气的混合气体,保温1~10分钟。(3)将步骤(2)处理后的多晶硅片自然冷却至室温,然后置于酸溶液中进行酸洗,酸洗温度为0℃~30℃,酸洗时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(4)将步骤(3)中得到的多晶硅片放入真空退火炉中升温,保温,停炉自然冷却,完成制绒前的预处理。
【技术特征摘要】
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)将金刚线切割好的多晶硅片置于酸溶液中进行浸泡处理,处理温度为0℃~30℃,处理时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(2)对清洗烘干后的多晶硅片放入连续式电阻炉中升温,升温至终点温度后,向连续式电阻炉中持续通入氧气和水蒸气的混合气体,保温1~10分钟。(3)将步骤(2)处理后的多晶硅片自然冷却至室温,然后置于酸溶液中进行酸洗,酸洗温度为0℃~30℃,酸洗时间为300秒,之后用DI水清洗120秒,清洗后烘干;所述的酸溶液为将浓度为20vol%的氢氟酸、30vol%的盐酸、20vol%的硝酸按照溶液体积比2:1:1混合后得到的溶液。(4)将步骤(3)中得到的多晶硅片放入真空退火...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘立新,
申请(专利权)人:杭州太能硅业有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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