The embodiment of the invention discloses a manufacturing method of a ceramic packaging substrate and ceramic packaging substrate, wherein the method includes forming a conductive layer ceramic substrate of the pre treated; making the mask layer on the conductive layer; according to the preset on the circuit pattern on the mask layer and the conductive layer is patterned processing and graphic base circuit; circuit base on the patterned electroplating processing board, the thick metal film of the circuit base; the conductive film and the non graphical part of the mask layer is removed. The invention makes the technological process of the ceramic packaging substrate more optimized, the process is simpler and the cost is lower.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及陶瓷基板领域,具体涉及一种陶瓷封装基板的制作方法和陶瓷封装基板。
技术介绍
随着多芯片高集成器件、大功率半导体器件和激光二极管元器件等新一代大功率电子电力器件的发展,大功率器件所产生的热量也在不断增加,散热问题变得越来越重要。因此,选择一种具有高热导率、高电阻率和低膨胀系数的封装材料正是解决大功率器件封装的关键要素。而氮化铝(AlN)陶瓷具有高导热系数,线膨胀系数与常规芯片(如LED芯片)相匹配,绝缘性好等理想的综合优点,能很好的符合大功率芯片和高密度集成封装的各项要求。陶瓷封装基板的线路制造方法主要通过借鉴原来线路板制造行业中的光刻显影的方法,采用干法刻蚀或者湿法刻蚀的工艺技术来制备封装基板的电子线路。这种方法就是目前工业中能够大批量产业化的直接镀铜法(DPC法),在LED功率器件的封装基板(如氧化铝陶瓷封装基板)中得到了成熟的应用。近些年来,也出现了一些新颖的比较高效率的陶瓷封装基板制备技术。其中,直接丝印金属层的制造方法就是比较成熟的一种。这种方法是直接把铜浆丝印到陶瓷基板上,再经过高温烧结,从而制备成陶瓷封装基板。但这些陶瓷封装基板的制备技术都存在各种不足和缺点。直接镀铜法的工艺工序繁杂,生产时间周期较长,需要的设备昂贵并且较多,污染严重等缺点。如专利CN201210139133.8中所述,其描述的就是一种目前工业生产中比较成熟的制备LED陶瓷封装基板的直接镀铜法(DPC法)。而直接丝印金属层的方法,虽然工艺步骤简单,但所需的丝印设备精度要求高,需要的丝印铜浆严重依赖进口,需要上千度的高温真空或者氮气保护烧结烘箱等,造成了比直接镀铜 ...
【技术保护点】
一种陶瓷封装基板的制作方法,其特征在于,包括:在预处理过的陶瓷基板上制作导电膜层;在所述导电膜层上制作掩膜层;根据预设的电路图形对所述掩膜层和所述导电膜层进行图形化处理,并得到图形化的电路基层;对所述图形化的电路基层进行全板电镀处理,将所述电路基层的金属膜层加厚;去除非图形化部分的所述导电膜层和所述掩膜层。
【技术特征摘要】
1.一种陶瓷封装基板的制作方法,其特征在于,包括:在预处理过的陶瓷基板上制作导电膜层;在所述导电膜层上制作掩膜层;根据预设的电路图形对所述掩膜层和所述导电膜层进行图形化处理,并得到图形化的电路基层;对所述图形化的电路基层进行全板电镀处理,将所述电路基层的金属膜层加厚;去除非图形化部分的所述导电膜层和所述掩膜层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预处理包括表面微蚀粗化、酸碱处理或者超声清洗中的至少一种。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电膜层为金属导电膜层,所述掩膜层为油墨,所述根据预设的电路图形对所述掩膜层和所述导电膜层进行图形化处理,并得到图形化的电路基层包括:根据预设的电路图形,采用激光对所述掩膜层进行刻蚀气化,得到图形化的电路基层。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述金属导电膜层为合金膜层,包括钛金属薄膜和铜金属薄膜,所述钛金属薄膜的厚度为100-500nm,所述铜金属薄膜的厚度为600-1500nm,所述油墨的厚度为30-100μm。5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述陶瓷基板的金属膜层的厚度与所述掩膜层的厚度一致。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电膜层为有机导电膜层,所述掩膜层为油墨,所述根据预设...
【专利技术属性】
技术研发人员:李顺峰,
申请(专利权)人:江苏华功第三代半导体产业技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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