一种二阶高次谐波滤波单元制造技术

本发明专利技术公开了一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路，还包括熔断器F，熔断器F的一端与火线相连，所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。与现有技术相比，改变本发明专利技术的二阶高次谐波吸收电路中L1、C1、L2、C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波，适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。

A two order high-order harmonic filter unit

The invention discloses a two order harmonic filter unit, which is characterized in that the two order harmonic absorption circuit, overvoltage protection circuit and RC circuit, including F fuse, fuse F end is connected with a fire wire, the two order harmonic absorption circuit, overvoltage protection circuit and RC circuit in parallel with the fuse F and the other end of the zero line. Compared with the prior art, the invention changes the two order harmonic absorption circuit in L1, C1, L2, C2 value can absorb harmonics of a particular frequency, adapted to the specific situation of a frequency characteristic of harmonic absorption.

【技术实现步骤摘要】
一种二阶高次谐波滤波单元
本专利技术涉及高次谐波滤波
,具体地说是一种二阶高次谐波滤波单元。
技术介绍
滤波电路常用于滤去整流输出电压中的纹波，一般由电抗元件组成，如在负载电阻两端并联电容器C或与负载串联电感器L，以及由电容，电感组成的各种复式滤波电路。目前高次谐波滤波技术主要基于LC单调谐吸收原理设计，对高次谐波的吸收效果一般，且无法实现针对特定场合进行特征高次谐波的吸收。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种二阶高次谐波滤波单元，适用于特定场合对特征高次谐波的吸收。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路，还包括熔断器F，熔断器F的一端与火线相连，所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。优选地，所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈L1和电阻R1，所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F，另一端连接电容器C2，电容器C2的另一端连接电感线圈L2，电感线圈L2的另一端接零线。优选地，所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1，压敏电阻RV1和TVS管D1并联在熔断器F和零线之间。优选地，所述RC电路为一阶RC电路，包括电阻R2和电容器C3，电阻R2和电容器C3并联在熔断器F和零线之间。优选地，还包括指示电路和过压吸收元件，所述指示电路包括电阻R3和发光二极管LED1，所述过压吸收元件为稳压管D2，电阻R3的一端连接在电容C2和电感线圈L2之间，另一端连接并联连接的发光二极管LED1和稳压管D2，发光二极管LED1和稳压管D4的另一端接零线。优选地，所述电感线圈L1和L2线圈材料为非晶合金。本专利技术的有益效果是：与现有技术相比，本专利技术由C1、L1、R1、C2、L2组成的二阶高次谐波吸收电路，改变L1、C1、L2、C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波，适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。L1和L2是由非晶合金材料设计的电感线圈，具有很低的线圈内阻，降低元器件的体积，增强谐波吸收效果。由TVS管D1和压敏电阻RV1组成的过电压吸收电路，可以吸收电网的浪涌、脉冲群、尖峰电压。由C3和R2组成的电路可以对高频谐波形成低阻抗回路，对整个频带内的高次谐波具有吸收作用，其中R2为C3的泄放电阻。附图说明图1是本专利技术的结构图。图2是本专利技术的电路图。具体实施方式如图1，2所示，本专利技术的一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路，还包括熔断器F，熔断器F的一端与火线相连，所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。其中所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈L1和电阻R1，所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F，另一端连接电容器C2，电容器C2的另一端连接电感线圈L2，电感线圈L2的另一端接零线；所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1，压敏电阻RV1和TVS管D1并联在熔断器F和零线之间；所述RC电路为一阶RC电路，包括电阻R2和电容器C3，电阻R2和电容器C3并联在熔断器F和零线之间。由C1、L1、R1、C2、L2组成的二阶高次谐波吸收电路，改变L1、C1、L2、C2的值可以吸收某特定频率的高次谐波，适应于特定场合对某频率段的特征高次谐波进行吸收。由TVS管D1和压敏电阻RV1组成的过电压吸收电路，可以吸收电网的浪涌、脉冲群、尖峰电压。由C3和R2组成的电路可以对高频谐波形成低阻抗回路，对整个频带内的高次谐波具有吸收作用，其中R2为C3的泄放电阻。优选地，本专利技术还包括指示电路和过压吸收元件，所述指示电路包括电阻R3和发光二极管LED1，所述过压吸收元件为稳压管D2，电阻R3的一端连接在电容C2和电感线圈L2之间，另一端连接并联连接的发光二极管LED1和稳压管D2，发光二极管LED1和稳压管D4的另一端接零线。指示电路用于指示电感线圈的电流情况，过压吸收元件为发光二极管LED1提供过压保护。优选地，L1和L2是由非晶合金材料设计的电感线圈，非晶合金材料具有很低的线圈内阻，同时降低元器件的体积，增加谐波吸收效果。以上所述只是本专利技术的优选实施方式，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也被视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路，还包括熔断器F，熔断器F的一端与火线相连，所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。

【技术特征摘要】
1.一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：包括二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路，还包括熔断器F，熔断器F的一端与火线相连，所述二阶高次谐波吸收电路、过电压保护电路和RC电路并联在熔断器F的另一端和零线之间。2.根据权利要求1所述的一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：所述二阶高次谐波吸收电路包括并联连接的电容器C1、电感线圈L1和电阻R1，所述电容器C1、电感线圈L1和电阻R1的一端连接熔断器F，另一端连接电容器C2，电容器C2的另一端连接电感线圈L2，电感线圈L2的另一端接零线。3.根据权利要求1所述的一种二阶高次谐波滤波单元，其特征是：所述过电压保护电路包括压敏电阻RV1和TVS管D1，压敏电阻R...

【专利技术属性】
技术研发人员：董嵩华，
申请(专利权)人：董嵩华，
类型：发明
国别省市：山东,37