像素结构、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

一种像素结构、阵列基板和显示装置，该像素结构包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘。在该像素结构中，所述第一存储电极和所述第二存储电极都包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。本发明专利技术实施例可以提高像素结构的存储电容。

Pixel structure, array substrate and display device

A pixel structure, array substrate and display device, the pixel structure includes a signal line; a common electrode line, the extension and the signal line in the same direction; the transistor includes a semiconductor layer, a semiconductor layer including a source region and a drain region; a first storage electrode, the insulation, and the common electrode in line with the semiconductor layer of the drain region is connected; second storage electrode with the common electrode line connected and insulated from the first storage electrode. In the pixel structure, the first memory electrode and the second storage electrode both comprise portions arranged between the signal line and the common electrode line and overlap each other to form a first storage capacitor. The embodiment of the invention can improve the memory capacity of the pixel structure.

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板和显示装置
本专利技术实施例涉及一种像素结构、阵列基板和显示装置。
技术介绍
液晶显示器是一种通过电场改变液晶分子的排列状态来调制背光的透过情况以实现显示的显示器件。目前，用户对液晶显示器的性能要求越来越高，例如不断追求更高的分辨率、亮度和对比度，更大的屏幕尺寸，更快的响应速度等性能。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种像素结构、阵列基板和显示装置，本专利技术实施例可以提高像素结构的存储电容。本专利技术的至少一个实施例提供一种像素结构，其包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；以及第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘。在该像素结构中，所述第一存储电极和所述第二存储电极都包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。例如，所述第一存储电极还与所述公共电极线交叠，以形成第二存储电容。例如，所述第一存储电极与所述半导体层同层设置。例如，所述第二存储电极与所述公共电极线同层设置。例如，所述的像素结构还包括第三存储电极，所述第三存储电极与所述第一存储电极连接且与所述第二存储电极绝缘，并且所述第三存储电极与所述第二存储电极彼此交叠以形成第三存储电容。例如，所述第三存储电极通过过孔与所述第一存储电极连接，所述过孔位于所述公共电极线与所述信号线之间。例如，所述的像素结构还包括像素电极，所述第三存储电极设置于所述像素电极与所述第一存储电极之间，并且所述第三存储电极与所述像素电极连接。例如，所述半导体层包括彼此连接且延伸方向相交的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部包括所述源极区，所述第二延伸部沿所述公共电极线延伸且与所述第一存储电极连接。例如，所述第二延伸部与所述公共电极线彼此绝缘并且彼此交叠，以形成第四存储电容。例如，所述的像素结构还包括与所述公共电极线相交且与所述源极区连接的数据线，所述数据线与所述第一延伸部彼此交叠。例如，所述第一延伸部包括依次连接的所述源极区、第一沟道区、连接区、第二沟道区和所述漏极区。例如，所述信号线为栅线，所述第一沟道区与所述信号线彼此交叠。例如，所述信号线包括凸出部，所述凸出部与所述第二沟道区彼此交叠。本专利技术的至少一个实施例还提供一种阵列基板，其包括根据以上任一项所述的像素结构。本专利技术的至少一个实施例还提供一种显示装置，其包括以上所述的阵列基板。本专利技术实施例在用于液晶显示装置中时，像素结构的存储电容除了包括由像素电极和公共电极形成的液晶电容之外，还包括由第一存储电极和第二存储电极形成的第一存储电容，该第一存储电容与液晶电容并联以增大像素结构的存储电容，因此本专利技术实施例可以有效提高像素有效充放电时间和像素电压保持能力、降低漏电流造成的电荷损失比例；另一方面，本专利技术实施例由于增大了像素结构的存储电容，可以有效改善因栅线、数据线等制作工艺波动造成的驱动电阻增大、闪烁(flicker)和串扰等不良；再一方面，本专利技术实施例通过利用信号线与公共电极线之间的区域形成第一存储电容，充分利用了像素结构中的闲置空间，减少了空间浪费。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1a为一种像素结构的俯视示意图；图1b为图1a所示的像素结构的电路图；图2a为本专利技术实施例提供的像素结构的俯视示意图一；图2b为图2a中的第一存储电极与半导体层的示意图；图2c为图2a中的第二存储电极与公共电极线的示意图；图2d为图2a中的信号线的示意图；图2e为沿图2a中A-A和B-B的剖视示意图；图3为本专利技术实施例提供的像素结构的俯视示意图二；图4a为本专利技术实施例提供的像素结构的俯视示意图三；图4b为沿图4a中A-A和B-B的剖视示意图；图5为本专利技术实施例提供的像素结构的电路示意图；图6为本专利技术实施例提供的像素结构的电压保持能力的示意图；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的俯视示意图；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板在工作时栅扫描信号的时序示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。图1a为一种像素结构的俯视示意图；图1b为图1a所示的像素结构的电路图。如图1a和图1b所示，该像素结构包括栅线5、数据线7、晶体管3和像素电极9。该晶体管3的半导体层3a包括两个与遮光层4和栅线5交叠的沟道区，并且包括与数据线7通过过孔6c连接的源极区以及与像素电极9通过过孔6a连接的漏极区；该晶体管为双栅极晶体管，包括如图1b所示的源极晶体管MOS-1和漏极晶体管MOS-2。在液晶显示器中，该像素结构的存储电容由像素电极和公共电极(公共电极在工作时被施加电压Vcom)之间形成的液晶电容LC构成。本申请的专利技术人注意到，在大尺寸、高分辨率的液晶显示器中，如图1a和图1b所示的像素结构的因存储电容不足而存在像素有效充放电时间不足、像素电压保持能力不足等问题。本专利技术实施例公开了一种像素结构、阵列基板和显示装置，下面结合附图对本专利技术实施例进行详细说明。本专利技术的至少一个实施例提供一种像素结构，如图2a至图2e所示，该像素结构包括：信号线51；公共电极线52，其与信号线51的延伸方向大致相同；晶体管30，其包括半导体层31，半导体层31包括源极区31a和漏极区31b；第一存储电极11，其与公共电极线52绝缘(例如通过如图2e所示的绝缘层62与公共电极线52绝缘)，并且与半导体层31的漏极区31b连接；第二存储电极12，其与公共电极线52连接以在工作时被施加公共电极信号，并且与第一存储电极11绝缘(例如通过绝缘层62与第一存储电极11绝缘)。在该像素结构中，第一存储电极11和第二存储电极12包括设置于信号线51和公共电极线52之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。本专利技术实施例在用于液晶显示装置中时，像素结构的存储电容除了包括由像素电极和公共电极形成的液晶电容之外，还包括由例如与像素电极不同层设置的第一存储电极11和例如与公共电极不同层设置的第二存储电极12形成的第一存储电容，该第一存储电容与液晶电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；以及第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括：信号线；公共电极线，其与所述信号线的延伸方向相同；晶体管，其包括半导体层，所述半导体层包括源极区和漏极区；第一存储电极，其与所述公共电极线绝缘、与所述半导体层的漏极区连接；以及第二存储电极，其与所述公共电极线连接且与所述第一存储电极绝缘，其中，所述第一存储电极和所述第二存储电极包括设置于所述信号线和所述公共电极线之间且彼此交叠的部分，以形成第一存储电容。2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第一存储电极还与所述公共电极线交叠，以形成第二存储电容。3.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第一存储电极与所述半导体层同层设置。4.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述第二存储电极与所述公共电极线同层设置。5.根据权利要求1所述的像素结构，还包括第三存储电极，其中，所述第三存储电极与所述第一存储电极连接且与所述第二存储电极绝缘，并且所述第三存储电极与所述第二存储电极彼此交叠以形成第三存储电容。6.根据权利要求5所述的像素结构，其中，所述第三存储电极通过过孔与所述第一存储电极连接，所述过孔位于所述公共电极线与所述信号线之间。7.根据权利要求5或6所述的像素结构，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁多龙，刘华锋，赵生伟，孙超超，王超，吕景萍，杨盟，杨磊，胡重粮，谢霖，顺布乐，孙士民，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11