一种变频器及其微波变频电路制造技术

技术编号:15441246 阅读:12 留言:0更新日期:2017-05-26 06:27
本发明专利技术提供一种变频器及其微波变频电路,其中,微波变频电路包括射频放大模块、滤波模块、控制模块、晶振模块和稳压模块,所述滤波模块包括电容器件和长宽比范围为1~2的微带滤波结构。本发明专利技术通过采用由电容器件和长宽比范围为1~2的平面式微带滤波结构构成的新型滤波结构对射频放大模块输出的信号进行滤波,可以有效减小变频器的PCB板面积,降低变频器的重量,节约成本。

Frequency converter and microwave frequency conversion circuit thereof

The present invention provides a microwave frequency converter and frequency conversion circuit, wherein, the microwave frequency conversion circuit including RF amplifier module, filter module, control module, oscillator module and power module, the module includes a filter capacitor and the ratio of length to width ranges from 1 to 2 of the microstrip filter structure. The invention adopts a capacitor device and signal aspect ratio ranges from 1 to a new filtering structure composed of planar microstrip filter 2 for RF amplifier module output filter, PCB board area can effectively reduce the frequency, reduce the frequency of weight, cost savings.

【技术实现步骤摘要】
一种变频器及其微波变频电路
本专利技术实施例属于微波
,尤其涉及一种变频器及其微波变频电路。
技术介绍
随着微波技术的迅速发展,通过微波变频器来实现微波信号处理的电子产品也越来越多。然而,现有的微波变频器的微波变频电路中,通常采用由多条微带线沿同一方向并排设置构成的滤波结构对射频信号进行滤波,导致微波变频电路布设在PCB板上之后,造成微波变频器的PCB板的面积较大,从而增大了微波变频器的重量,增加了制造成本。
技术实现思路
本专利技术提供一种变频器及其微波变频电路,可以有效减小变频器的PCB板面积,降低变频器的重量,节约成本。本专利技术一方面提供一种变频器的微波变频电路,其包括射频放大模块、滤波模块、控制模块、晶振模块和稳压模块,所述滤波模块包括电容器件和长宽比范围为1~2的平面式微带滤波结构;所述电容器件的输入端为所述滤波模块的输入端,所述电容器件的输出端接所述微带滤波结构的输入端,所述微带滤波结构的输出端为所述滤波模块的输出端;所述射频放大模块的第一输入端接入水平极化信号,所述射频放大模块的第二输入端接入垂直极化信号,所述射频放大模块的第一受控端、第二受控端、第三受控端、第一电源端、第二电源端和第三电源端分别与所述稳压模块的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供电端、第二供电端和第三供电端一一对应连接,所述射频放大模块的输出端接所述滤波模块的输入端,所述滤波模块的输出端接所述控制模块的射频信号输入端,所述控制模块的本振信号输入端和晶振控制端分别与所述晶振模块的本振信号输出端和受控端一一对应连接,所述控制模块的输入输出端外接接收机并输入所述接收机输出的控制信号,所述稳压模块的第四供电端接所述控制模块的电源端,所述稳压模块的输入端外接所述接收机并输入所述接收机输出的电压信号;所述射频放大模块受所述稳压模块控制对所述水平极化信号和所述垂直极化信号进行放大,所述滤波模块将所述放大后的所述水平极化信号、放大后的所述垂直极化信号滤波为频率在预设频率范围内的射频信号,所述控制模块根据所述控制信号控制所述晶振模块输出预设频率的本振信号,所述控制模块将所述射频信号和所述本振信号混频处理为中频信号并输出给所述接收机,所述稳压模块将所述电压信号的电压调节至预设值分别为所述射频放大模块和所述控制模块供电。优选的,所述微带滤波结构的长度范围为0mm~6.6mm、宽度范围为0mm~6.1mm,所述放大后的所述水平极化信号、放大后的所述垂直极化信号由所述微带滤波结构的左侧输入,经所述微带滤波结构滤波后输出频率在预设频率范围内的射频信号。优选的,所述射频放大模块包括第一射频放大单元、第二射频放大单元和第三射频放大单元;所述第一射频放大单元的输入端、受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第一输入端、第一受控端和第一电源端,所述第一射频放大单元的输出端与所述第二射频放大单元的输出端和所述第三射频放大单元的输入端共接;所述第二射频放大单元的输入端、受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第二输入端、第二受控端和第二电源端;所述第三射频放大单元的受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第三受控端和第三电源端,所述第三射频放大单元的输出端为所述射频放大模块的输出端;所述第一射频放大单元受所述稳压模块控制对所述水平极化信号进行一次放大,所述第二射频放大单元受所述稳压模块控制对所述垂直极化信号进行一次放大,所述第三射频放大单元受所述稳压模块控制对一次放大后的所述水平极化信号和一次放大后的所述垂直极化信号进行二次放大后输出。优选的,所述第一射频放大单元包括第一N型场效应管、第一限流电阻、第二限流电阻、第一旁路电容和第二旁路电容;所述第一N型场效应管的栅极与所述第一限流电阻的一端共接构成所述第一射频放大单元的输入端,所述第一限流电阻的另一端与所述第一旁路电容的阳极共接构成所述第一射频放大单元的受控端,所述第一旁路电容的阴极接地,第一N型场效应管的漏极与所述第二限流电阻的一端共接构成所述第一射频放大单元的输出端,所述第二限流电阻的另一端和所述第二旁路电容的阳极共接构成所述第一射频放大单元的受控端,所述第二旁路电容的阴极接地,所述第一N型场效应管的源极接地。优选的,所述第二射频放大单元包括第二N型场效应管、第三限流电阻、第四限流电阻、第三旁路电容和第四旁路电容;所述第二N型场效应管的栅极与所述第三限流电阻的一端共接构成所述第二射频放大单元的输入端,所述第三限流电阻的另一端与所述第三旁路电容的阳极共接构成所述第二射频放大单元的受控端,所述第三旁路电容的阴极接地,第二N型场效应管的漏极与所述第四限流电阻的一端共接构成所述第二射频放大单元的输出端,所述第四限流电阻的另一端和所述第四旁路电容的阳极共接构成所述第二射频放大单元的受控端,所述第四旁路电容的阴极接地,所述第二N型场效应管的源极接地。优选的,所述第三射频放大单元包括第三N型场效应管、第五限流电阻、第六限流电阻、第五旁路电容和第六旁路电容;所述第三N型场效应管的栅极与所述第五限流电阻的一端共接构成所述第三射频放大单元的输入端,所述第五限流电阻的另一端与所述第五旁路电容的阳极共接构成所述第三射频放大单元的受控端,所述第五旁路电容的阴极接地,第三N型场效应管的漏极与所述第六限流电阻的一端共接构成所述第三射频放大单元的输出端,所述第六限流电阻的另一端和所述第六旁路电容的阳极共接构成所述第三射频放大单元的受控端,所述第六旁路电容的阴极接地,所述第三N型场效应管的源极接地。优选的,所述射频放大模块还包括第一耦合电容和第二耦合电容;所述第一耦合电容的阳极接所述第一射频放大单元的输出端,所述第二耦合电容的阳极接所述第二射频放大单元的输出端,所述第一耦合电容的阴极和所述第二耦合电容的阴极共接于所述第三射频放大单元的输入端。优选的,所述控制模块包括控制芯片、第三耦合电容、第四耦合电容、第七旁路电容和第八旁路电容,所述晶振模块为晶体振荡器;所述控制芯片的射频信号输入端和电源端分别为所述控制模块的射频信号输入端和电源端,所述控制芯片的本振信号输入端与所述第七旁路电容的阳极共接构成所述控制模块的本振信号输入端,所述控制芯片的晶振控制端和所述第八旁路电容的阳极共接构成所述控制模块的晶振控制端,第七旁路电容的阴极和所述第八旁路电容的阴极均接地,所述控制芯片的输入输出端接所述第三耦合电容的阳极,所述第三耦合电容的阳极接所述第四耦合电容的阳极,所述第四耦合电容的阴极为所述控制模块的输入输出端。优选的,所述稳压模块包括稳压芯片、第七限流电阻、第八旁路电容和第九旁路电容;所述稳压芯片的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供电端、第二供电端、第三供电端和第四供电端分别为所述稳压模块的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供电端、第二供电端、第三供电端和第四供电端,所述稳压芯片的输入端与所述第八旁路电容的阳极和所述第七限流电阻的一端共接,所述第七限流电阻的另一端与所述第九旁路电容的阳极共接构成所述稳压模块的输入端,所述第八旁路电容的阴极和所述第九旁路电容的阴极均接地。本专利技术另一方面还提供一种变频器,其包括上述的微波变频电路。本专利技术通过采用由电容器件和长宽比范围为1~2的平面式微带滤波结构构成的新型滤波结构对射频放大模块输出的信号进本文档来自技高网...
一种变频器及其微波变频电路

【技术保护点】
一种变频器的微波变频电路,其特征在于,所述微波变频电路包括射频放大模块、滤波模块、控制模块、晶振模块和稳压模块,所述滤波模块包括电容器件和长宽比范围为1~2的平面式微带滤波结构;所述电容器件的输入端为所述滤波模块的输入端,所述电容器件的输出端接所述微带滤波结构的输入端,所述微带滤波结构的输出端为所述滤波模块的输出端;所述射频放大模块的第一输入端接入水平极化信号,所述射频放大模块的第二输入端接入垂直极化信号,所述射频放大模块的第一受控端、第二受控端、第三受控端、第一电源端、第二电源端和第三电源端分别与所述稳压模块的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供电端、第二供电端和第三供电端一一对应连接,所述射频放大模块的输出端接所述滤波模块的输入端,所述滤波模块的输出端接所述控制模块的射频信号输入端,所述控制模块的本振信号输入端和晶振控制端分别与所述晶振模块的本振信号输出端和受控端一一对应连接,所述控制模块的输入输出端外接接收机并输入所述接收机输出的控制信号,所述稳压模块的第四供电端接所述控制模块的电源端,所述稳压模块的输入端外接所述接收机并输入所述接收机输出的电压信号;所述射频放大模块受所述稳压模块控制对所述水平极化信号和所述垂直极化信号进行放大,所述滤波模块将所述放大后的所述水平极化信号、放大后的所述垂直极化信号滤波为频率在预设频率范围内的射频信号,所述控制模块根据所述控制信号控制所述晶振模块输出预设频率的本振信号,所述控制模块将所述射频信号和所述本振信号混频处理为中频信号并输出给所述接收机,所述稳压模块将所述电压信号的电压调节至预设值分别为所述射频放大模块和所述控制模块供电。...

【技术特征摘要】
1.一种变频器的微波变频电路,其特征在于,所述微波变频电路包括射频放大模块、滤波模块、控制模块、晶振模块和稳压模块,所述滤波模块包括电容器件和长宽比范围为1~2的平面式微带滤波结构;所述电容器件的输入端为所述滤波模块的输入端,所述电容器件的输出端接所述微带滤波结构的输入端,所述微带滤波结构的输出端为所述滤波模块的输出端;所述射频放大模块的第一输入端接入水平极化信号,所述射频放大模块的第二输入端接入垂直极化信号,所述射频放大模块的第一受控端、第二受控端、第三受控端、第一电源端、第二电源端和第三电源端分别与所述稳压模块的第一控制端、第二控制端、第三控制端、第一供电端、第二供电端和第三供电端一一对应连接,所述射频放大模块的输出端接所述滤波模块的输入端,所述滤波模块的输出端接所述控制模块的射频信号输入端,所述控制模块的本振信号输入端和晶振控制端分别与所述晶振模块的本振信号输出端和受控端一一对应连接,所述控制模块的输入输出端外接接收机并输入所述接收机输出的控制信号,所述稳压模块的第四供电端接所述控制模块的电源端,所述稳压模块的输入端外接所述接收机并输入所述接收机输出的电压信号;所述射频放大模块受所述稳压模块控制对所述水平极化信号和所述垂直极化信号进行放大,所述滤波模块将所述放大后的所述水平极化信号、放大后的所述垂直极化信号滤波为频率在预设频率范围内的射频信号,所述控制模块根据所述控制信号控制所述晶振模块输出预设频率的本振信号,所述控制模块将所述射频信号和所述本振信号混频处理为中频信号并输出给所述接收机,所述稳压模块将所述电压信号的电压调节至预设值分别为所述射频放大模块和所述控制模块供电。2.如权利要求1所述的变频器的微波变频电路,其特征在于,所述微带滤波结构的长度范围为0mm~6.6mm、宽度范围为0mm~6.1mm,所述放大后的所述水平极化信号、放大后的所述垂直极化信号由所述微带滤波结构的左侧输入,经所述微带滤波结构滤波后输出频率在预设频率范围内的射频信号。3.如权利要求1所述的变频器的微波变频电路,其特征在于,所述射频放大模块包括第一射频放大单元、第二射频放大单元和第三射频放大单元;所述第一射频放大单元的输入端、受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第一输入端、第一受控端和第一电源端,所述第一射频放大单元的输出端与所述第二射频放大单元的输出端和所述第三射频放大单元的输入端共接;所述第二射频放大单元的输入端、受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第二输入端、第二受控端和第二电源端;所述第三射频放大单元的受控端和电源端分别为所述射频放大模块的第三受控端和第三电源端,所述第三射频放大单元的输出端为所述射频放大模块的输出端;所述第一射频放大单元受所述稳压模块控制对所述水平极化信号进行一次放大,所述第二射频放大单元受所述稳压模块控制对所述垂直极化信号进行一次放大,所述第三射频放大单元受所述稳压模块控制对一次放大后的所述水平极化信号和一次放大后的所述垂直极化信号进行二次放大后输出。4.如权利要求3所述的变频器的微波变频电路,其特征在于,所述第一射频放大单元包括第一N型场效应管、第一限流电阻、第二限流电阻、第一旁路电容和第二旁路电容;所述第一N型场效应管的栅极与所述第一限流电阻的一端共接构成所述第一射频放大单元的输入端,所述第一限流电阻的另一端与所述第一旁路电容的阳极共接构成所述第一射频放大单元的受控端,所述第一旁路电容的阴极接地,第一N型场效应管的漏极与所述第二限...

【专利技术属性】
技术研发人员:詹宇昕查明泰
申请(专利权)人:华讯方舟科技湖北有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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