TEM模式谐振器制造技术

本发明专利技术提供了一种TEM模式谐振器。该TEM模式谐振器包括腔室，其由顶面，底面以及在所述顶面和所述底面之间延伸的环绕壁限定；负载元件，其设置在所述腔室内邻近所述腔室的所述底面；以及谐振杆，其设置在所述腔内，所述谐振杆具有连接至所述腔室的所述顶面的第一端以及插入所述负载元件的第二端。所述谐振杆的所述第二端插入所述负载元件的长度取决于所述TEM模式谐振器的调谐频率。

TEM mode resonator

The present invention provides a TEM mode resonator. The TEM mode resonator comprises a chamber, from the top, bottom and extending around between the top and the bottom wall defining; load element, which is set in the bottom of the chamber adjacent the chamber; and the resonant rod arranged in the cavity, the the resonant rod is connected to the chamber of the top surface of the first end and inserted into the second end of the load element. The length of the second end of the resonant rod inserted into the load element depends on the tuning frequency of the TEM mode resonator.

【技术实现步骤摘要】
TEM模式谐振器
本专利技术概括而言涉及谐振器，更具体而言，涉及TEM模式谐振器。
技术介绍
谐振器是具有谐振频率的电子结构。谐振器可以运行于横向电磁波(TEM)模式。在TEM模式中，电磁信号以垂直于与其相关联的电场和磁场的方向传播。如图1所示，一种传统的尺寸减小的TEM模式谐振器10典型地包括从谐振器腔室101延伸的附加的圆柱体102并且允许内部谐振杆103插入附加的圆柱体102，由此形成负载端负载。这种类型的谐振器能够减小尺寸，但是对谐振器调谐范围和功率处理能力有限制。
技术实现思路
基于上述考量，本专利技术的基本构思在于将所述负载圆柱体重新设置为位于谐振器腔室内，谐振杆插入负载圆柱体内的程度取决于谐振器的调谐频率。通过这种结构设计，谐振器总是为电容负载，且在最低的调谐频率处具有最大负载。除了电容负载，还有来自负载圆柱体的外表上的电流的期望的电感额外负载效应，其增加了总体的谐振器负载。本专利技术的一个实施例提供了一种TEM模式谐振器。该TEM模式谐振器包括：腔室，其由顶面，底面以及在所述顶面和所述底面之间延伸的环绕壁限定；负载元件，其设置在所述腔室内邻近所述腔室的所述底面；以及谐振杆，其设置在所述腔内，所述谐振杆具有连接至所述腔室的所述顶面的第一端以及插入所述负载元件的第二端。所述谐振杆的所述第二端插入所述负载元件的长度取决于所述TEM模式谐振器的调谐频率。在一个例子中，所述负载元件和所述谐振杆是同心的。对于本专利技术的TEM模式谐振器，其负载元件的内壁具有电容负载效应，而负载元件的外壁等同于串联电感，其产生进一步的谐振器负载增强。相比于现有的紧凑型谐振器的技术方案，这种组合的电容和电感串联类型的负载增加了朝向调谐范围低端的谐振器调谐频率，同时维持了高的空载品质因数和高的功率处理能力。附图说明在下文中将参照以下附图仅通过例子更具体地描述本专利技术的实施例：图1示出了传统的尺寸减少的TEM模式谐振器；图2示出了根据本专利技术的一个实施例的TEM模式谐振器；以及图3示出了图2的谐振器的等效电路。在上述的各附图中，相似的附图标记应被理解为表示相同、相似或者相应的特征或功能。具体实施方式以下将参照附图描述本专利技术的各个方面。参照图2，示例的TEM模式谐振器20包括腔室201，其由顶面202、底面203以及在该顶面和底面之间延伸的环绕壁204来限定。顶面202、底面203以及环绕壁204为电传导的。腔室201可以是各种形状的，只有能够提供足够的内部容量即可，例如，腔室201可以是圆柱形或者长方体形状。谐振器20还包括负载元件205，其设置在腔室201内并且邻近腔室201的底面203。例如，负载元件205可以从谐振器20的底面203朝向腔室201的内部延伸。负载元件205可以是例如圆柱形。负载元件205由导电材料制成，例如，金属等。负载元件205与腔室201的高度比取决于谐振器20的期望调谐范围以及在给定的电子性能下所期望的紧凑程度。谐振器20还包括设置在腔室201内的谐振杆206，该谐振杆的第一端2061连接至谐振器20的顶面202，第二端2062插入负载元件205，由此形成电容谐振器负载。谐振杆206和负载元件205可以是例如同心的。谐振杆206的第二端2062插入负载元件205的长度取决于谐振器20的调谐频率。换言之，谐振器20的调谐频率能够通过调节谐振杆206的第二端2062插入负载元件205的长度来调节。在一个例子中，谐振杆206可以是圆柱形。在运作中，谐振器20的电场集中在负载元件205的内部。电场矢量的方向绝大部分地从谐振杆206辐射至负载元件205的内壁。由于每个TEM模式谐振器形成一个关于表面电流的闭环，负载元件205的内壁上的电场转变为向上朝着负载元件205的边缘的表面电流。从负载元件205的边缘，电流继续在负载元件205的外壁上往下流至谐振器20的底面203，然后，从该底面电流径向地延伸并经由谐振器20的环绕壁204流回谐振杆206的第一端2061。如此，在负载元件205的内壁和外壁上存在有RF电流。如图3中所示，负载元件205的内壁具有电容负载效应，负载元件205的外壁等同于串联电感，其产生进一步的谐振器负载增强。这种电感负载增强降低了最小谐振器频率以及扩展了谐振器调谐范围。需要说明的是，与传统的谐振器相比，本专利技术的谐振器20的负载元件205具有双重用途：(a)电容端负载；(b)电感负载。电感负载有效地增加了谐振杆206的电长度，这实现了可调的TEM模式的高功率谐振器的极大的紧凑性。本公开的以上描述用于使本领域的任何普通技术人员能够实现或使用本专利技术。对于本领域普通技术人员来说，本公开的各种修改都是显而易见的，并且本文定义的一般性原理也可以在不脱离本发明的精神和保护范围的情况下应用于其它变形。因此，本专利技术并不限于本文所述的实例和设计，而是与本文公开的原理和新颖性特性的最广范围相一致。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TEM模式谐振器，包括：腔室，其由顶面，底面以及在所述顶面和所述底面之间延伸的环绕壁限定；负载元件，其设置在所述腔室内邻近所述腔室的所述底面；以及谐振杆，其设置在所述腔内，所述谐振杆具有连接至所述腔室的所述顶面的第一端以及插入所述负载元件的第二端。

【技术特征摘要】
1.一种TEM模式谐振器，包括：腔室，其由顶面，底面以及在所述顶面和所述底面之间延伸的环绕壁限定；负载元件，其设置在所述腔室内邻近所述腔室的所述底面；以及谐振杆，其设置在所述腔内，所述谐振杆具有连接至所述腔室的所述顶面的第一端以及插入所述负载元件的第二端。2.根据权利要求1所述的TEM模式谐振器，其中所述谐振杆的所述第二端插入所述负载元件的长度取决于所述TEM模式谐振器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪特尔·佩尔兹，
申请(专利权)人：上海贝尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31