一种柔性全无机QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。本发明专利技术通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高QLED器件的发光效率。

Flexible full inorganic QLED device and preparation method thereof

The invention discloses a flexible inorganic QLED device and a preparation method thereof, wherein the preparation method comprises the following steps: on the mica substrate after cleaning the deposited on the bottom electrode; by pulsed laser deposition on the bottom electrode deposited on the hole transport layer; depositing in quantum dots the hole transport layer light emitting layer; in the quantum dot light-emitting layer deposited on the electron transport layer; in the electron transport layer deposited on the top electrode. The invention is characterized in high temperature resistant mica substrate, using pulsed laser deposition method, the inorganic QLED devices have high crystallinity and less crystal defects, the interfacial roughness of small high quality hole transport layer; hole transport layer of high quality can effectively improve the transmission efficiency of the carrier hole transport layer. To improve the luminous efficiency of QLED devices.

【技术实现步骤摘要】
一种柔性全无机QLED器件及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种柔性全无机QLED器件及其制备方法。
技术介绍
近年来，LED以其耗能低、产热少、寿命长等优点正逐步取代传统的照明材料，成为新一代的照明光源。有机发光二极管(OLED)也是目前新一代LED的研究热点，但其在高温环境下高分子涂层易老化，空气中易氧化，使用寿命也受到一定影响。无机材料作为量子点LED(QLED)的传输层，不仅降低OLED在封装上的严格要求，还可以延长使用寿命。因此，QLED成为了目前新型LED的研究热点，具有广阔的前景。目前QLED（量子点发光二极管）主要有两种，有机载流子传输层QLED以及无机载流子传输层QLED。有机载流子传输层材料空气稳定性差，不耐高温，封装技术要求高，存在较大问题。而无机载流子传输层虽然空气稳定性好，无需严密封装，但仍存在一定问题：空穴传输层空穴注入量子点的速率与和电子传输层将电子注入量子点的速率存在很大的差异，一般电子注入速率高，从而导致电子在量子点中堆积，过量的电子将会导致量子点充电以及非辐射复合。解决无机载流子传输层的传输速率对QLED器件的发光效率十分重要，现有全无机QLED器件制备方法制备的空穴功能层（包括空穴注入层及空穴传输层）的结晶度较低、结构缺陷较多，导致空穴传输层的载流子传输效率较低。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，旨在解决采用现有全无机QLED器件制备方法制备的空穴功能层，结晶度较低、结构缺陷较多，导致空穴传输层的载流子传输效率较低的问题。本专利技术的技术方案如下：一种柔性全无机QLED器件的制备方法，包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述空穴传输层为无机金属化合物，所述无机金属化合物包括NiO、WO3；所述空穴传输层的厚度为50~100nm。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，激光能量密度为2~3J/cm2。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，脉冲数为3000~5000。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，沉积之前控制沉积腔体内的基础压力不高于1×10-5Torr；和/或，沉积过程中的氧气压力为10~100mTorr；和/或，沉积过程中的衬底温度为500~800℃。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述底电极为ITO电极，厚度为40~80nm。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述量子点发光层为CdSe/ZnS量子点层，厚度为40~60nm。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述电子传输层为ZnO薄膜，厚度为40~80nm。所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其中，所述顶电极为金属铝，厚度为50~100nm。一种柔性全无机QLED器件，采用如以上任一项所述的柔性全无机QLED器件的制备方法制成。有益效果：本专利技术通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高QLED器件的发光效率。附图说明图1为本专利技术柔性全无机QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图。图2为本专利技术柔性全无机QLED器件的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种柔性全无机QLED器件及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图1，图1为本专利技术柔性全无机QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：S1、在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；S2、采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；S3、在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；S4、在所述量子点发光层上沉积电子传输层；S5、在所述电子传输层上沉积顶电极。本专利技术通过在耐高温的云母片柔性衬底上，采用激光脉冲沉积方法，获得拥有结晶性高、晶体缺陷少、界面粗糙度小的高质量的空穴传输层的全无机QLED器件；高质量的空穴传输层可有效提高空穴传输层的载流子传输效率，从而提高QLED器件的发光效率。进一步的，在本实施例中，所述云母片柔性衬底为薄云母片，其为柔性透明状，且可以耐高温。由于采用了耐高温的柔性云母片作为衬底，因此可以利用激光脉冲沉积方法获得拥有结晶性高，晶体缺陷少，界面粗糙度小的空穴传输层的全无机QLED器件。本专利技术所述脉冲激光沉积，也被称为脉冲激光烧蚀，是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由于激光能量很高，可溅射制备很多困难的镀层：如高温超导薄膜，陶瓷氧化物薄膜，多层金属薄膜等；其可以非常容易的连续融化多个材料，实现多层膜制备。其中，脉冲数和能量密度是控制膜层的关键因素，可以通过控制激光能量和脉冲数，精密的控制高的膜厚沉积速率，以制备均匀的薄膜。进一步的，在本实施例中，所述空穴传输层为无机金属化合物，所述无机金属化合物包括但不限于NiO、WO3。由于所选衬底能耐较高温度，所以可采用脉冲激光沉积法制备高质量的无机金属氧化物薄膜，以提高空穴注入效率。本专利技术中以NiO靶、WO3靶等靶材脉冲激光沉积所述空穴传输层。进一步的，在本实施例中，所述空穴传输层的厚度为50~100nm。例如，50nm、80nm、100nm。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，激光能量密度为2~3J/cm2。例如2J/cm2、3J/cm2。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，脉冲数为3000~5000，其中，脉冲数=靶向时间（s）*频率（HZ）。例如，当靶向时间为15min、脉冲激光频率为5Hz时，则脉冲数为4500。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，沉积之前控制沉积腔体内的基础压力不高于1×10-5Torr（托）。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，沉积过程中的氧气压力为10~100mTorr。例如10mTorr、50mTorr、100mTorr。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，沉积过程中的衬底温度为500~800℃，例如500℃、600℃、800℃。进一步的，在本实施例中，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，靶材和基板之间的距离为45mm。进一步的，在本实施例中，所述步骤S1之前还包括清洗云母片柔性衬底；具体的，首先对云母片进行清洗，按次序先后置于超纯水、丙酮水以及异丙醇中进行超声清洗，每步超声清洗的时间均为1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。

【技术特征摘要】
1.一种柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：在清洗后的云母片柔性衬底上沉积底电极；采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积量子点发光层；在所述量子点发光层上沉积电子传输层；在所述电子传输层上沉积顶电极。2.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层为无机金属化合物，所述无机金属化合物包括NiO、WO3；所述空穴传输层的厚度为50~100nm。3.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，激光能量密度为2~3J/cm2。4.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，采用脉冲激光沉积法在所述底电极上沉积空穴传输层时，脉冲数为3000~5000。5.根据权利要求1所述的柔性全无机QLED器件的制备方法，其特征在于，采用脉...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，向超宇，张滔，辛征航，张东华，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44