半导体发光器件封装件制造技术

提供了半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。

Semiconductor light emitting device package

A semiconductor light emitting device package is provided by the semiconductor light emitting device package includes a light emitting diode (LED) chip, which comprises a first electrode and a second electrode, the LED chip is provided with a first surface of the first electrode and the second electrode and a second surface opposite to the first surface; the dam structure is arranged on the first surface. The outer edge of the outer edge of the coplanar with the LED chip structure of the dam; the wavelength conversion layer, set the side surface of the LED chip, LED chip second on the surface and the dam structure on the side surface of the wavelength conversion layer includes a wavelength converting material.

【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件封装件本申请要求于2015年11月12日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0159217号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
根据本公开的设备、器件和制品涉及一种半导体发光器件封装件。
技术介绍
当电流施加到半导体发光器件时，半导体发光器件利用电子和空穴复合的原理来发光，半导体发光器件因其各种优点(诸如低功耗、高亮度和紧凑的尺寸)而被广泛用作光源。具体来说，由于已经开发了氮基发光器件，所以半导体发光器件的使用程度一直在扩展，并且已经在光源模块、家用照明器材、车辆照明等中采用半导体发光器件。随着半导体发光器件的使用增加，半导体发光器件的应用已经扩展为包括高电流和高输出光源领域。如此，随着半导体发光器件被用于高电流和高输出光源领域，在现有技术中已经研究了发光效率的改善。具体地，在与光源模块有关的领域中，正在研究使从设置有半导体发光器件的封装件发射的光的方位角(orientationangle)增大的方法。
技术实现思路
一个或更多个示例实施例提供一种颜色质量改善且光的方位角增大的半导体发光器件封装件。根据示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，具有其上设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、所述第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包含波长转换材料。根据另一示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：LED芯片，具有其上设置有第一电极和第二电极的第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及将第一表面连接到第二表面的至少一个侧表面；波长转换层，具有暴露第一电极和第二电极中的每者的至少一部分的开口部分，波长转换层设置在LED芯片的第一表面、第二表面以及所述至少一个侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。根据另一示例实施例的一方面，提供一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括基底、设置在基底上的发光结构以及设置在发光结构的与基底相对的表面上的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极电连接到发光结构；波长转换层，设置为覆盖LED芯片的至少一个侧表面和基底。附图说明通过以下结合附图进行的对示例实施例的详细描述，以上和/或其它方面将被更清楚地理解，其中：图1是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性透视图；图2是沿着图1的半导体发光器件封装件的线I-I'截取的示意性剖视图；图3是图2的半导体发光器件封装件的发光二极管(LED)芯片的示意性剖视图；图4是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性剖视图；图5是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性剖视图；图6是图5的半导体发光器件封装件的LED芯片的示意性剖视图；图7是在根据示例实施例的半导体发光器件封装件中采用的LED芯片的平面图；图8A和图8B分别是根据示例实施例的LED芯片的剖视图；图9A至图9F是示出根据示例实施例的制造图8A的LED芯片的工艺的视图；图10A至图10D是示出根据示例实施例的制造图2的半导体发光器件封装件的工艺的视图；以及图11A至图11E是示出根据示例实施例的制造图4的半导体发光器件封装件的工艺的视图。具体实施方式在下文中，将如下参照附图来描述示例实施例。然而，本专利技术构思可以以许多不同的形式来举例说明，并且不应被解释为限于在此阐述的特定示例实施例。相反，提供这些示例实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，且这些示例实施例将把本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。在整个说明书中，将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”或直接“结合到”所述另一元件，或者可能存在介于其间的其他元件。与此相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，在其间不存在元件或层。同样的附图标记始终表示同样的元件。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。将清楚的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在这里用于描述各种构件、组件、区域、层和/或部分，但是这些构件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例实施例的教导的情况下，下面讨论的“第一”构件、组件、区域、层或部分可被称为“第二”构件、组件、区域、层或部分。为了易于描述，在这里可使用空间相对术语，诸如“在……上方”、“上面的”、“在……下方”和“下面的”等来描述如附图中所示的一个元件与另一(其他)元件的关系。将理解的是，除了附图中描述的方位之外，空间相对术语还意在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件“上方”或“上面”的元件然后将被定位为“在”其它元件或特征的“下方”或“下面”。因此，术语“在……上方”可根据附图的具体方向包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并可相应地解释在这里使用的空间相对描述语。在此使用的术语仅描述特定的示例实施例并且本专利技术构思不限于此。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包含”、“包括”和/或其变型当在本说明书中使用时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、构件、元件和/或它们的组。在下文中，将参照示出示例实施例的示意图来描述示例实施例。在附图中，例如，可预计由制造技术和/或公差引起的示出形状的变化。因此，示例实施例不应解释为限于这里示出的区域的特定形状，例如，以包括制造导致的形状的改变。以下示例实施例也可以由一个示例实施例或其组合构成。下面描述的本专利技术构思的内容可以具有各种构造，而在这里仅提出了需要的构造，但是不限于此。图1是根据示例实施例的半导体发光器件封装件的示意性透视图。图2是沿着图1的半导体发光器件封装件的线I-I'截取的示意性剖视图。图3是图2的半导体发光器件封装件的发光二极管(LED)芯片的示意性剖视图。参照图1和图2，根据示例实施例的半导体发光器件封装件100可以包括包含第一电极113和第二电极114的LED芯片110、设置在LED芯片110的侧表面上的侧面波长转换层120、以及覆盖LED芯片110的上表面的上波长转换层130。参照图3，LED芯片110可以具有在其上设置第一电极113和第二电极114的第一表面B以及与第一表面B相对的第二表面C。LED芯片110可以包括透光基底111和设置在透光基底111上的发光结构112。发光结构112的表面可以形成LED芯片110的第一表面B，第一电极113和第二电极114可以连接到发光结构112。透光基底111可以是包括诸如蓝宝石、SiC、M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：LED芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在LED芯片的第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；以及波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包含波长转换材料。

【技术特征摘要】
2015.11.12 KR 10-2015-01592171.一种半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：LED芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在LED芯片的第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；以及波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包含波长转换材料。2.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，波长转换层包括设置在LED芯片的侧表面上的第一区域，以及设置在LED芯片的第二表面上的第二区域。3.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，波长转换层的第一区域具有第一均匀厚度，波长转换层的第二区域具有第二均匀厚度。4.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，第二区域的波长转换层延伸以在接触区域接触第一区域的波长转换层，接触区域和第二表面形成共面表面。5.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，波长转换层设置在LED芯片的所有侧表面上。6.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构包括邻近LED芯片的边缘设置的第一坝结构，以及设置在第一电极和第二电极之间的第二坝结构。7.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构覆盖除了第一电极和第二电极的区域之外的第一表面，使得坝结构暴露第一电极和第二电极。8.根据权利要求6所述的半导体发光器件封装件，其中，LED芯片的侧表面和第一坝结构的侧表面形成共面表面。9.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构的下表面与第一区域的波长转换层的下表面形成共面表面。10.根据权利要求1所述的半导体发光器件封装件，其中，坝结构的高度大于第一电极的高度，并且大于第二电极的高度。11.根据权利要求2所述的半导体发光器件封装件，其中，第一区域的波长转换层的设置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：金学焕，玉政泰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR