The invention discloses a cadmium telluride thin film solar cell double stacked parallel process method, which comprises the following steps: grinding of glass substrate; the substrate glass deposited on TCO conductive glass and cleaning; depositing a first layer of cadmium sulfide on TCO conductive glass; deposition in the first layer of the first layer of tellurium cadmium sulfide the first time of cadmium; cadmium chloride activation; the first activation after cleaning; in the first layer of cadmium telluride deposited on second layers of cadmium sulfide; in the second layer second layer deposited on CDs CdTe; second cadmium chloride activation treatment; second activation after cleaning; P1 laser scribing; buffer layer deposition; P2 laser scribing; deposited metal back electrode; P3 laser etch back electrode; laser scan; packaging and testing. The invention combines the characteristics of the cadmium telluride battery and the existing technology to improve the process, not only improves the conversion efficiency of the battery, but also effectively reduces the open circuit voltage of the battery.
【技术实现步骤摘要】
一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法
本专利技术涉及光伏太阳能电池
,尤其是一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法。
技术介绍
薄膜太阳能电池作为未来电池发展的方向,特别是碲化镉薄膜太阳能电池,碲化镉电池和晶硅电池比较主要特点是弱光性好,衰减率低,温度系数好等优点而受到很多机构的研究。但是其有一定的缺点,比如转化效率还没有晶硅电池高,开路电压较高,本工艺制作专利技术可解决此缺点,给碲化镉电池发展带来明显优势。现在国内外已有的碲化镉电池工艺设计制造均为单节电池(即只有一个PN结),主要工艺流程如图1所示,依次为:玻璃磨边,导电玻璃清洗,激光刻线(TCO薄膜),沉积硫化镉,沉积碲化镉,氯化镉活化处理,激光刻线,沉积缓冲层(复合背接触层),后处理活化,沉积金属背电极,激光刻画背电极,激光扫边,封装测试。该工艺所制作的电池结构如图2所示,自下而上依次为:玻璃衬底10、TCO层20、硫化镉30、碲化镉40、缓冲层70、背电极层80。这种已有电池制作工艺虽然简单,但是转化效率不高,在产品市场化后,竞争力不够,由于薄膜太阳能电池开路电压都偏高,虽然有的厂商已设计了并联刻线连接的方式制作电池组件,将开路电压降低,但是对转化效率没有明显改善,也难于适应市场竞争。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术目的是提供一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法。本专利技术采用的技术方案是:一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上 ...
【技术保护点】
一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;(8)在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。
【技术特征摘要】
1.一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;(8)在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。2.根据权利要求1所述的一种双节...
【专利技术属性】
技术研发人员:鄢开均,何光俊,齐鹏飞,陈金良,赖新暖,牛改宇,
申请(专利权)人:中山瑞科新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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