一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法技术

技术编号:15439731 阅读:462 留言:0更新日期:2017-05-26 05:23
本发明专利技术公开了一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,包括以下步骤:将衬底玻璃磨边;在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;第一次氯化镉活化处理;第一次活化后清洗;在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;第二次氯化镉活化处理;第二次活化后清洗;P1激光刻线;沉积缓冲层;P2激光刻线;沉积金属背电极;P3激光刻画背电极;激光扫边;封装测试。本发明专利技术结合碲化镉电池特点和现有技术进行工艺改善,不但提高电池的转化效率,还有效降低电池的开路电压。

Process for manufacturing double layer laminated parallel cadmium telluride thin film solar cell

The invention discloses a cadmium telluride thin film solar cell double stacked parallel process method, which comprises the following steps: grinding of glass substrate; the substrate glass deposited on TCO conductive glass and cleaning; depositing a first layer of cadmium sulfide on TCO conductive glass; deposition in the first layer of the first layer of tellurium cadmium sulfide the first time of cadmium; cadmium chloride activation; the first activation after cleaning; in the first layer of cadmium telluride deposited on second layers of cadmium sulfide; in the second layer second layer deposited on CDs CdTe; second cadmium chloride activation treatment; second activation after cleaning; P1 laser scribing; buffer layer deposition; P2 laser scribing; deposited metal back electrode; P3 laser etch back electrode; laser scan; packaging and testing. The invention combines the characteristics of the cadmium telluride battery and the existing technology to improve the process, not only improves the conversion efficiency of the battery, but also effectively reduces the open circuit voltage of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法
本专利技术涉及光伏太阳能电池
,尤其是一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法。
技术介绍
薄膜太阳能电池作为未来电池发展的方向,特别是碲化镉薄膜太阳能电池,碲化镉电池和晶硅电池比较主要特点是弱光性好,衰减率低,温度系数好等优点而受到很多机构的研究。但是其有一定的缺点,比如转化效率还没有晶硅电池高,开路电压较高,本工艺制作专利技术可解决此缺点,给碲化镉电池发展带来明显优势。现在国内外已有的碲化镉电池工艺设计制造均为单节电池(即只有一个PN结),主要工艺流程如图1所示,依次为:玻璃磨边,导电玻璃清洗,激光刻线(TCO薄膜),沉积硫化镉,沉积碲化镉,氯化镉活化处理,激光刻线,沉积缓冲层(复合背接触层),后处理活化,沉积金属背电极,激光刻画背电极,激光扫边,封装测试。该工艺所制作的电池结构如图2所示,自下而上依次为:玻璃衬底10、TCO层20、硫化镉30、碲化镉40、缓冲层70、背电极层80。这种已有电池制作工艺虽然简单,但是转化效率不高,在产品市场化后,竞争力不够,由于薄膜太阳能电池开路电压都偏高,虽然有的厂商已设计了并联刻线连接的方式制作电池组件,将开路电压降低,但是对转化效率没有明显改善,也难于适应市场竞争。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术目的是提供一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法。本专利技术采用的技术方案是:一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;(8)在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。所述第一层硫化镉厚度为100nm,第一层碲化镉厚度为500nm,第二层硫化镉厚度为400nm,第二层碲化镉厚度为3um。所述步骤(11)、(13)和(15)采用并联的方式刻线,P1\P2\P3激光刻线重合,封装的时候再用并联连接的方式连接线路。所述第一层硫化镉与第一层碲化镉组成的第一个PN结,第二层硫化镉与第二层碲化镉组成的第二个PN结,第一个PN结与第二个PN结串联。本专利技术的有益效果:本专利技术有效提高电池的转化效率,提高电池产品的市场竞争力,有效降低了产品的成本;同时打开的碲化镉电池研究的工艺窗口,结合并联刻线的工艺方法,有效解决电池电压偏高的情况。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做进一步的说明。图1是传统碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺流程图;图2是传统碲化镉薄膜太阳能电池的剖面结构图;图3是本专利技术碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺流程图;图4是本专利技术碲化镉薄膜太阳能电池的剖面结构图。具体实施方式参照图3-图4所示,为本专利技术的一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,包括以下步骤:(1)将衬底玻璃10磨边;(2)在衬底玻璃10上沉积TCO导电玻璃20并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉30(CdS);(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉40(CdTe);(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉40上面沉积第二层硫化镉50(CdS);(8)在第二层硫化镉50上面沉积第二层碲化镉60(CdTe);(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层70;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极80;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。镀膜过程中,适当减薄窗口层CdS的厚度,可减少入射光的损失,从而增加电池短波响应以提高短路电流密度,因此第一个PN结中的硫化镉厚度控制在100nm左右,碲化镉厚度500nm;保证光透过第一个PN结被第二个PN结吸收,第二个PN结的硫化镉膜厚约400nm,碲化镉膜厚3µm。有效提高电池转化效率约2%。由于薄膜电池电压偏高,因此采用并联的方式刻线,P1\P2\P3激光刻线需重合,封装的时候才用并联连接的方式连接线路。以上所述仅为本专利技术的优先实施方式,本专利技术并不限定于上述实施方式,只要以基本相同手段实现本专利技术目的的技术方案都属于本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法

【技术保护点】
一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;(8)在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。

【技术特征摘要】
1.一种双节叠层并联的碲化镉薄膜太阳能电池制造工艺方法,其特征在于:包括以下步骤(1)将衬底玻璃磨边;(2)在衬底玻璃上沉积TCO导电玻璃并清洗;(3)在TCO导电玻璃上沉积第一层硫化镉;(4)在第一层硫化镉上沉积第一层碲化镉;(5)第一次氯化镉活化处理;(6)第一次活化后清洗;(7)在第一层碲化镉上面沉积第二层硫化镉;(8)在第二层硫化镉上面沉积第二层碲化镉;(9)第二次氯化镉活化处理;(10)第二次活化后清洗;(11)P1激光刻线;(12)沉积缓冲层;(13)P2激光刻线;(14)沉积金属背电极;(15)P3激光刻画背电极;(16)激光扫边;(17)封装测试。2.根据权利要求1所述的一种双节...

【专利技术属性】
技术研发人员:鄢开均何光俊齐鹏飞陈金良赖新暖牛改宇
申请(专利权)人:中山瑞科新能源有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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