The invention discloses a preparation method of PERC solar cell and PERC solar cells, including the formation of suede in front of the P type silicon; diffusion in front, forming a N type emitter; phosphorus silicon glass forming removal in the diffusion process and the surrounding PN junction, on the back side of the polishing; annealing in front of depositing a silicon oxide film and; in front of the silicon nitride film deposited on the back, and then successively deposited alumina film and silicon nitride film; or on the back are deposited aluminum oxide film and a silicon nitride film, and then in front of the silicon nitride film deposited on the back; open slot, slot through the back of the silicon nitride film and oxide film; on the back of the back electrode paste printing and drying on the back of aluminum paste and printing; drying; printing is in positive electrode paste; high temperature sintering, the formation of the silver electrode, back back aluminum and silver electrode, aluminum back field is located in the slot and P type Silicon connected; resistant to LID annealing. The invention can improve the open circuit voltage and short circuit current of the battery, and improve the photoelectric conversion efficiency of the battery.
【技术实现步骤摘要】
PERC太阳能电池的制备方法及其PERC太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池技术,尤其涉及一种PERC太阳能电池的制备方法,还涉及由该制备方法制得的PERC太阳能电池。
技术介绍
晶硅太阳能电池是一种有效吸收太阳辐射能,利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件。当太阳光照射在半导体P-N结上时,会形成新的空穴-电子对,在P-N结电场的作用下,空穴由N区流向P区,电子由P区流向N区,接通电路后就形成电流。传统的晶硅太阳能电池一般只采用正面钝化技术,在硅片的正面使用PECVD方式沉积一层氮化硅,降低少子在前表面的复合速率,可以大幅度提升晶硅太阳能电池的开路电压和短路电流,从而提升晶硅太阳电池的光电转换效率。随着当前对晶硅太阳能电池光电转换效率的要求越来越高,人们开始研究PERC背钝化太阳电池技术。但是,具体如何提高PERC太阳能电池的光电转换效率是目前业界亟待解决的技术难题。
技术实现思路
本专利技术的第一个目的在于提供一种能够大幅度提高电池的光电转换效率、成本低、工艺简单且与传统生产线兼容性好的PERC太阳能电池的制备方法。本专利技术的第二个目的在于提供一种由上述PERC太阳能电池的制备方法制得的PERC太阳能电池。本专利技术的第一个目的通过如下的技术方案来实现:一种PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤:⑴在P型硅的正面形成绒面;⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散,形成N型发射极;⑶去除由步骤⑵所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结;⑷对由步骤⑶所得产品的背面进行抛光;⑸在由步骤⑷所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火;⑹在由步骤⑸所得产品 ...
【技术保护点】
一种PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤:⑴在P型硅的正面形成绒面;⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散,形成N型发射极;⑶去除由步骤⑵所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结;⑷对由步骤⑶所得产品的背面进行抛光;⑸在由步骤⑷所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火;⑹在由步骤⑸所得产品的正面沉积氮化硅膜,即为正面氮化硅膜,再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜,所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜;或者在由步骤⑸所得产品的背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜,所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜,再在正面沉积氮化硅膜,即为正面氮化硅膜;⑺在由步骤⑹所得产品的背面上开设开槽,开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜;⑻在由步骤⑺所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干;⑼在由步骤⑻所得产品的背面印刷铝浆并烘干;⑽在由步骤⑼所得产品的正面印刷正电极浆料;⑾对由步骤⑽所得产品进行高温烧结,形成背银电极、全铝背场和正银电极,全铝背场位于开槽内的部分与P型硅相连;⑿对由步骤⑾所得产品进行抗LID退火即得。
【技术特征摘要】
1.一种PERC太阳能电池的制备方法,其特征在于具体包括以下步骤:⑴在P型硅的正面形成绒面;⑵在由步骤⑴所得产品的正面进行扩散,形成N型发射极;⑶去除由步骤⑵所得产品在扩散过程中形成的磷硅玻璃和周边PN结;⑷对由步骤⑶所得产品的背面进行抛光;⑸在由步骤⑷所得产品的正面上沉积氧化硅膜并退火;⑹在由步骤⑸所得产品的正面沉积氮化硅膜,即为正面氮化硅膜,再在背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜,所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜;或者在由步骤⑸所得产品的背面依次沉积氧化铝膜和氮化硅膜,所沉积的氮化硅膜即为背面氮化硅膜,再在正面沉积氮化硅膜,即为正面氮化硅膜;⑺在由步骤⑹所得产品的背面上开设开槽,开槽贯通背面氮化硅膜和氧化铝膜;⑻在由步骤⑺所得产品的背面印刷背电极浆料并烘干;⑼在由步骤⑻所得产品的背面印刷铝浆并烘干;⑽在由步骤⑼所得产品的正面印刷正电极浆料;⑾对由步骤⑽所得产品进行高温烧结,形成背银电极、全铝背场和正银电极,全铝背场位于开槽内的部分与P型硅相连;⑿对由步骤⑾所得产品进行抗LID退...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖俊文,方结彬,陈刚,
申请(专利权)人:广东爱康太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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