The invention provides a thin film transistor and a preparation method thereof, display substrate and preparation method thereof, belonging to the field of display technology, which can solve the existing thin film transistor preparation method, source and drain the source and drain metal material by reaction gas corrosion is formed due to the ohmic contact layer according to the problem of poor. The preparation method includes thin film transistor of the present invention: through a patterning process, including the active layer and the active layer in the contact region and the source drain contact ohmic contact layer on the graph formed in the substrate; the substrate to complete the above steps, through the composition process, which includes the source and drain graphics.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法
本专利技术属于显示
,具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法。
技术介绍
在现有的Touch量产产品中,通常在有源层上方设置欧姆接触层,在欧姆接触层上设置有源极和漏极,欧姆接触层主要用于增强有源层与源极、漏极之间的导电性。在现有的形成上述结构的工艺中,首先在衬底上沉积有源层材料,再在有源层材料上沉积欧姆接触层材料,然后沉积源漏金属材料;随后,对源漏金属材料进行刻蚀,以形成源极和漏极;再后,通过干刻工艺,即通过氯气、六氟化硫、氦气等反应气体对欧姆接触层材料进行刻蚀,以形成位于源极与有源层之间及漏极与有源层之间的欧姆接触层。但现有技术中至少存在如下问题:为了增强源极和漏极的导电性,通常采用三层结构(如Mo-Al-Mo)搭配或两层结构(如Mo-Al,其中Mo可替换为其他金属材料)制备源极和漏极,源极与漏极相连的欧姆接触层,需要在源漏极刻蚀完成后采用气体刻蚀,而欧姆接触层刻蚀的主反应气体氯气,与源极和漏极膜层中使用的Al膜层有化学反应,即对Al具有腐蚀性,在刻蚀工艺结束后,容易出现Al膜层断裂、缺失、或氧化等反应(如图1和图2所示),导致数据线断路或电阻增大的产品显示不良,严重影响产品性能。在图1中,由于Al被腐蚀,导致图1中出现膜层断裂(图1圈中所示),从而使在薄膜晶体管开启时,电流无法通过;在图2中,由于Al被腐蚀,导致两层Mo金属之间的间距越来越小(图2圈中所示),由于金属层减薄使电阻增加,从而导致功耗加大。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种能够避免 ...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有源层采用非晶硅或多晶硅制成,所述欧姆接触层采用N+a-Si制成。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形包括:在所述衬底的上方依次沉积有源层材料、欧姆接触层材料和光刻胶层;对光刻胶层进行不同精度的曝光,形成完全曝光光刻胶图形、部分曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形;对曝光后的光刻胶层进行显影,去除所述完全曝光光刻胶图形以暴露出部分所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料;对暴露出的所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料进行刻蚀,以形成所述有源层;去除所述部分曝光光刻胶图形;对所述部分曝光光刻胶图形对...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖志莲,肖红玺,赵海生,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。