薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法技术

技术编号:15439678 阅读:180 留言:0更新日期:2017-05-26 05:21
本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法,属于显示技术领域,其可解决现有的薄膜晶体管的制备方法中,源极和漏极中的源、漏极所采用的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀而导致显示不良的问题。本发明专利技术的薄膜晶体管的制备方法,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。

Thin film transistor, method for producing the same, display substrate and method for making the same

The invention provides a thin film transistor and a preparation method thereof, display substrate and preparation method thereof, belonging to the field of display technology, which can solve the existing thin film transistor preparation method, source and drain the source and drain metal material by reaction gas corrosion is formed due to the ohmic contact layer according to the problem of poor. The preparation method includes thin film transistor of the present invention: through a patterning process, including the active layer and the active layer in the contact region and the source drain contact ohmic contact layer on the graph formed in the substrate; the substrate to complete the above steps, through the composition process, which includes the source and drain graphics.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法
本专利技术属于显示
,具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法。
技术介绍
在现有的Touch量产产品中,通常在有源层上方设置欧姆接触层,在欧姆接触层上设置有源极和漏极,欧姆接触层主要用于增强有源层与源极、漏极之间的导电性。在现有的形成上述结构的工艺中,首先在衬底上沉积有源层材料,再在有源层材料上沉积欧姆接触层材料,然后沉积源漏金属材料;随后,对源漏金属材料进行刻蚀,以形成源极和漏极;再后,通过干刻工艺,即通过氯气、六氟化硫、氦气等反应气体对欧姆接触层材料进行刻蚀,以形成位于源极与有源层之间及漏极与有源层之间的欧姆接触层。但现有技术中至少存在如下问题:为了增强源极和漏极的导电性,通常采用三层结构(如Mo-Al-Mo)搭配或两层结构(如Mo-Al,其中Mo可替换为其他金属材料)制备源极和漏极,源极与漏极相连的欧姆接触层,需要在源漏极刻蚀完成后采用气体刻蚀,而欧姆接触层刻蚀的主反应气体氯气,与源极和漏极膜层中使用的Al膜层有化学反应,即对Al具有腐蚀性,在刻蚀工艺结束后,容易出现Al膜层断裂、缺失、或氧化等反应(如图1和图2所示),导致数据线断路或电阻增大的产品显示不良,严重影响产品性能。在图1中,由于Al被腐蚀,导致图1中出现膜层断裂(图1圈中所示),从而使在薄膜晶体管开启时,电流无法通过;在图2中,由于Al被腐蚀,导致两层Mo金属之间的间距越来越小(图2圈中所示),由于金属层减薄使电阻增加,从而导致功耗加大。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种能够避免源极和漏极中的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀的薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。其中,所述有源层采用非晶硅或多晶硅制成,所述欧姆接触层采用N+a-Si制成。其中,所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形包括:在所述衬底的上方依次沉积有源层材料、欧姆接触层材料和光刻胶层;对光刻胶层进行不同精度的曝光,形成完全曝光光刻胶图形、部分曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形;对曝光后的光刻胶层进行显影,去除所述完全曝光光刻胶图形以暴露出部分所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料;对暴露出的所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料进行刻蚀,以形成所述有源层;去除所述部分曝光光刻胶图形;对所述部分曝光光刻胶图形对应的所述欧姆接触层材料进行刻蚀;去除所述未曝光光刻胶图形,以形成所述欧姆接触层。其中,所述在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形包括:在所述欧姆接触层上依次沉积第一金属层材料、第二金属层材料和第三金属层材料;对所述欧姆接触层上沉积的金属层材料进行刻蚀工艺,以形成源极和漏极。其中,所述第一金属层材料和所述第三金属层材料采用相同的材料制成。其中,所述第一金属层材料采用钼制成,所述第二金属层材料采用铝制成。作为另一技术方案,本专利技术还提供一种显示基板的制备方法,包括上述任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法的步骤。其中,在所述欧姆接触层上形成源极和漏极的同时,还包括:形成金属线的图形。作为另一技术方案,本专利技术还提供一种薄膜晶体管,采用上述任意一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备。作为另一技术方案,本专利技术还提供一种显示基板,采用上述任意一项所述的显示基板的制备方法制备。本专利技术的薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法中,该薄膜晶体管的制备方法,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。通过上述制备方法,即在形成有源层和欧姆接触层之后再形成源极和漏极,从而避免在形成欧姆接触层时,刻蚀气体对源极和漏极中的金属造成腐蚀,进而提高产品可靠性。附图说明图1为现有的薄膜晶体管中导致源漏极出现不良的一种扫描电镜图;图2为现有的薄膜晶体管中导致源漏极出现不良的另一种扫描电镜图;图3为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的流程示意图;图4为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S11实施后的结构示意图;图5为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S12实施后的结构示意图;图6为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S13实施后的结构示意图;图7为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S14实施后的结构示意图;图8为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S15实施后的结构示意图;图9为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S16实施后的结构示意图;图10为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S17实施后的结构示意图;图11为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S21实施后的结构示意图;图12为本专利技术的实施例1的薄膜晶体管的制备方法的步骤S22实施后的结构示意图;其中,附图标记为:1、衬底;2、有源层;3、欧姆接触层;4、源极;5、漏极;10、有源层材料;20、欧姆接触层材料;30、光刻胶层;31、完全曝光光刻胶图形;32、部分曝光光刻胶图形;33、未曝光光刻胶图形;40、第一金属层材料;50、第二金属层材料;60、第三金属层材料。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1:请参照图3至图12,本实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法,包括:步骤S1,通过一次构图工艺,在衬底1的上方形成包括有源层2和位于有源层2的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层3的图形。其中,有源层2采用非晶硅或多晶硅制成,欧姆接触层3采用N+a-Si制成。欧姆接触层3之所以采用N+a-Si材料,是为了增加有源层2与源极4、漏极5之间的导电性。步骤S1具体包括:步骤S11,如图4所示,在衬底1的上方依次沉积有源层材料10、欧姆接触层材料20和光刻胶层30。其中,该有源层材料10为非晶硅或多晶硅。该欧姆接触层材料20为N+a-Si,例如,非晶硅材料中掺入磷。需要说明的是,在衬底1和有源层材料10之间,还可以形成栅极、栅绝缘层等结构,由于不涉及本案的专利技术点,故在此不做说明。步骤S12,如图5所示,对光刻胶层30进行不同精度的曝光,形成完全曝光光刻胶图形31、部分曝光光刻胶图形32和未曝光光刻胶图形33。即步骤S12可采用灰度掩膜板或半色调掩膜板对光刻胶层30进行曝光,以半色调掩膜板为例,半色调掩膜板放置在光刻胶层30的上方,其具有不透光区域(深灰色区域)、半透光区域(浅灰色区域)及完全透光区域(白色区域),当光线照射到半色调掩膜板上时,不透光区域无法使光线通过,因此,与不透光区域对应的光刻胶为未曝光光刻胶图形33;半透光区域能使部分光线通过,因此,与半透光区域对应的光刻胶为部分曝光光刻本文档来自技高网...
薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形;在完成上述步骤的衬底上,通过构图工艺,形成包括源极和漏极的图形。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述有源层采用非晶硅或多晶硅制成,所述欧姆接触层采用N+a-Si制成。3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述通过一次构图工艺,在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形包括:在所述衬底的上方依次沉积有源层材料、欧姆接触层材料和光刻胶层;对光刻胶层进行不同精度的曝光,形成完全曝光光刻胶图形、部分曝光光刻胶图形和未曝光光刻胶图形;对曝光后的光刻胶层进行显影,去除所述完全曝光光刻胶图形以暴露出部分所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料;对暴露出的所述欧姆接触层材料及位于所述欧姆接触层材料下方的有源层材料进行刻蚀,以形成所述有源层;去除所述部分曝光光刻胶图形;对所述部分曝光光刻胶图形对...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖志莲肖红玺赵海生
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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