半导体结构制造技术

技术编号:15439669 阅读:263 留言:0更新日期:2017-05-26 05:21
本揭示案提供一种半导体结构。半导体结构包括具有第一区域及第二区域的基板;形成于基板上的第一区域内的第一鳍特征;及形成于基板上的第二区域内的第二鳍特征。第一鳍特征包括第一半导体材料的第一半导体特征形成于介电特征上,此介电特征是第二半导体材料的氧化物。第二鳍特征包括第一半导体材料的第二半导体特征形成于第二半导体材料的第三半导体特征上。

Semiconductor structure

The present disclosure provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a substrate having a first region and a two region; a first fin feature formed in a first region on the substrate; and a second fin characteristic formed in a second region on the substrate. The first fin feature includes a first semiconductor characteristic of the first semiconductor material formed on a dielectric characteristic that is an oxide of the second semiconductor material. The second fin feature includes a second semiconductor characteristic of the first semiconductor material formed on a third semiconductor feature of the second semiconductor material.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例是有关于一种半导体结构。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit;IC)工业已经历指数性成长。IC材料及设计的技术进步已生产数代IC,其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在IC发展过程中,功能密度(亦即每一晶片面积中的互连装置数目)已普遍增大,而几何尺寸(亦即可通过使用制造制程产生的最小元件(或线路))已缩小。此按比例缩小流程一般通过提高生产效率及降低相关成本而提供益处。为了实现此等发展,此种按比例缩小亦已增加处理及制造IC的复杂度。IC处理及制造亦需要类似发展。例如,已引入诸如鳍式场效晶体管(fin-likefield-effecttransistor;FinFET)的三维晶体管以替换平面晶体管。FinFET可被视为自基板中挤出而进入栅极内的典型平面装置。典型的FinFET利用自基板向上延伸的薄“鳍(fin)”(或鳍结构)制造而成。FET通道形成于此垂直鳍中,且提供一栅极于鳍的通道区域上方(例如卷绕)。在鳍周围卷绕栅极提高了通道区域与栅极之间的接触面积,且允许栅极控制来自多侧的通道。此举可以数个方式利用,且在一些应用中,FinFET提供降低的短通道效应、减少的漏损,及更高的电流。换言之,上述者可比平面装置更快、更小,及更高效。然而,由于FinFET及其他非平面装置内固有的复杂性,用于制造平面晶体管的数个技术并非非常适合用于制造非平面装置。仅举一个实例,用于形成FinFET的习用技术可能产生不良的磊晶生长降解,以及在其他装置区域中诱发磊晶生长出相关缺陷及空隙,此等装置诸如双极接面晶体管(bipolarjunctiontransistor;BJT)、二极管,或诸如拾取器特征的被动装置。因此,尽管现有制造技术已普遍适用于平面装置,但为了便于继续满足日益提高的设计需求,需要进一步发展。
技术实现思路
本揭示案提供依据一些实施例的一半导体结构。半导体结构包括具有第一区域及第二区域的基板;形成于基板上的第一区域内的第一鳍特征;及形成于基板上第二区域内的第二鳍特征。第一鳍特征包括第一半导体材料的第一半导体特征形成于介电特征上,此介电特征是第二半导体材料的氧化物。第二鳍特征包括第一半导体材料的第二半导体特征,此特征形成于第二半导体材料的第三半导体特征上。附图说明本揭示案的态样最佳在阅读附图时根据下文的详细说明来进行理解。应注意,依据行业中的标准实践,多个特征并未按比例绘制。实际上,多个特征的尺寸可以任意增大或缩小,以便使论述明晰。图1是依据一些实施例建构的一半导体结构的透视图;图2是依据一些实施例的一集成电路制造方法的流程图;图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17及图18是依据一些实施例建构的一半导体结构在多个制造阶段中的透视图;图18A是依据一些实施例建构的图18的半导体结构的剖视图;图19是依据一些实施例的一集成电路制造方法的流程图;图20、图21、图22、图23、图24、图25、图26、图27、图28、图29、图30、图31、图32、图33、图34、及图35是依据一些实施例建构的一半导体结构在多个制造阶段中的透视图;图35A是依据一些实施例建构的图35中的半导体结构的剖视图;图36是依据一些实施例的一集成电路制造方法的流程图;图37、图38、图39、图40、图41、图42、图43、图44、图45、图46、图47、图48、图49、图50、图51、图52、图53、图54及图55是依据一些实施例建构的一半导体结构在多个制造阶段中的透视图;图55A是依据一些实施例建构的图55中的半导体结构的剖视图。具体实施方式本揭示案一般是关于IC装置制造,及更特定而言,是关于绝缘形成于基板上的鳍式场效晶体管与基板之间的绝缘层;及是关于调控由绝缘层产生的通道应变,以适用于鳍式场效晶体管的通道类型。以下揭示内容提供众多不同的实施例或实例以用于实施本揭示的不同特征。下文中描述组件及排列的特定实例以简化本揭示案。此等组件及排列当然仅为实例,而不意欲进行限制。例如,在下文的描述中,第一特征在第二特征上方或之上的形成可包括其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施例,及亦可包括其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征并非直接接触的实施例。此外,本揭示案可在多个实例中重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的,及其自身并不规定所论述的多个实施例及/或配置之间的关系。此外,本案中可使用诸如“下方(beneath)”、“以下(below)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等等的空间相对术语在以便于描述,以描述一个元件或特征与另一或多个元件或特征的关系,如附图中所图示。除附图中绘示的定向以外,空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置的不同定向。例如,如若附图中的装置翻转,则被描述为位于其他元件或特征“以下”或“下方”的元件将定向在其他元件或特征“上方”。由此,示例性术语“以下”可包含以上及以下的定向两者。设备可以其他方式定向(旋转90度或处于其他定向),且本案中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。本揭示案是针对但不以其他方式限定于鳍式场效晶体管(fin-likefield-effecttransistor;FinFET)装置。FinFET装置例如可为互补金氧半导体(complementarymetal-oxide-semiconductor;CMOS)装置,此装置包括P型金氧半导体(P-typemetal-oxide-semiconductor;PMOS)FinFET装置及N型金氧半导体(N-typemetal-oxide-semiconductor;NMOS)FinFET装置。以下揭示案将继续介绍FinFET实例以说明本专利技术的多个实施例。然而,应理解的是,除非本案特别主张,否则本申请案将不限定于特定类型的装置。图1是根据本揭示案的多个态样的工件100的一部分的透视图。为明晰及更佳地图示本揭示案概念起见,已简化图1。额外的特征可并入工件100,以及下述一些特征可针对工件100的其他实施例作替换或消除。工件100包括具有第一区域102A及第二区域102B的基板102或晶圆。在本案实施例中,第一区域102设计用于核心装置,如一或多个场效晶体管(field-effecttransistor;FET),特定而言,一或多个鳍式FET(fin-likeFET;FinFET)。第二区域102B经设计以形成非核心装置,如二极管、接触拾取器、双极接面晶体管,及上述组合。工件100包括形成于基板102上的鳍式结构104。鳍式结构104具有凸起主动区域(鳍特征)。如图1中图示,工件100包括形成于第一区域102A中的第一鳍特征104A及形成于第二区域102中的第二鳍特征104B。在一些实施例中,第一鳍特征104A包括一或多个FinFET,更多实施例包括形成于基板102上方的第一区域102A内的其他凸起主动及被动装置。在一些实施例中,图示的第一鳍特征104A包括FinFET106,如N通道(NMOS)FinFET及/或P通道(PMOS)FinFET。接着,每一F本文档来自技高网
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半导体结构

【技术保护点】
一种半导体结构,其特征在于,包含:一基板,具有一第一区域及一第二区域;一第一鳍特征,形成于该基板上的该第一区域内;及一第二鳍特征,形成于该基板上的该第二区域内,其中该第一鳍特征包括一第一半导体材料的一第一半导体特征形成于一介电特征上,该介电特征为一第二半导体材料的一氧化物;及该第二鳍特征包括该第一半导体材料的一第二半导体特征形成于该第二半导体材料的一第三半导体特征上。

【技术特征摘要】
2015.11.16 US 14/942,7401.一种半导体结构,其特征在于,包含:一基板,具有一第一区域及一第二区域;一第一鳍特征,形成于该基板上的该第一区域内;及一第二鳍特征,形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:江国诚蔡庆威吴忠政王志豪谢文兴梁英强
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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