The present invention provides a semiconductor device including a semiconductor substrate and a semiconductor fin disposed on the semiconductor substrate. Wherein, the semiconductor fin has a fin isolation structure at the common boundary shared by the two units. The fin isolation structure has an air gap extending from the top of the semiconductor fin to a stop layer on the semiconductor substrate. The air gap divides the semiconductor fin into two portions of the semiconductor fin. The fin isolation structure includes a dielectric covering covering the top of the air gap. The embodiment of the invention relates to a fin type field effect transistor structure and a manufacturing method thereof.
【技术实现步骤摘要】
鳍式场效晶体管结构及其制造方法
本专利技术实施例涉及鳍式场效晶体管结构及其制造方法。
技术介绍
当通过各种技术节点使诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体器件规模缩小时,器件堆积密度和器件性能受到器件布局和隔离的挑战。为了避免相邻器件(单元)之间的泄露,标准单元布局采用形成在氧化硅限定(OD)区(诸如标准单元的有源区)的边缘的伪多晶硅(poly)片段,即,OD上多晶硅(PODE)。随着半导体IC工业在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本的过程中进入纳米技术工艺节点,来自制造和设计的挑战已经引起了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维(3D)器件的发展。FinFET的优势包括减少短沟道效应以及更高的电流。然而,传统的FinFET器件和制造FinFET器件的方法还没有在采用PODE隔离两个相邻器件(单元)方面完全令人满意。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例,提供了一种半导体器件,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的停止层;位于所述停止层上的半导体鳍;以及位于所述半导体鳍上的彼此邻近的两个单元,所述半导体鳍在所述两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构,所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述停止层的气隙,其中,所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两部分,所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层。根据本专利技术的另一实施例,还提供了一个半导体器件,包括:半导体衬底:位于所述半导体衬底上的停止层;以及位于所述停止层上的半导体鳍,所述半导体鳍的两个相对端的每个端均具有鳍隔离结构,所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的 ...
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的停止层;位于所述停止层上的半导体鳍;以及位于所述半导体鳍上的彼此邻近的两个单元,所述半导体鳍在所述两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构,所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述停止层的气隙,其中,所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两部分,所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层。
【技术特征摘要】
2015.11.12 US 14/939,3101.一种半导体器件,包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底上的停止层;位于所述停止层上的半导体鳍;以及位于所述半导体鳍上的彼此邻近的两个单元,所述半导体鳍在所述两个单元共用的共同边界处具有鳍隔离结构,所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述停止层的气隙,其中,所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两部分,所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述半导体鳍的所述两部分以基本上在从5nm至50nm的范围内的距离隔开。3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述介电覆盖层包括氧化硅或氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述停止层包括SiGeOx、SiGe、SiOx、SiP或SiPOx,其中,x大于0。5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述停止层具有基本上在从1nm至50nm的的范围内的厚度。6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述气隙具有位于所述停止层上的第一气隙以及位于所述第一气隙之上的第二气隙,以及所述第一气隙的底部的宽度大于所...
【专利技术属性】
技术研发人员:张哲诚,林志翰,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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