具有电磁干扰遮蔽的半导体装置制造方法及图纸

具有电磁干扰遮蔽的半导体装置。一种用于形成一具有一电磁干扰遮蔽的半导体装置的方法被揭示，并且其可包含耦合一半导体晶粒至一基板的一第一表面；利用一囊封材料以囊封所述半导体晶粒以及所述基板的部分；将所述经囊封的基板以及半导体晶粒设置在一黏着带上以及在所述囊封材料上、在所述基板的侧表面上、以及在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上形成一电磁干扰(EMI)遮蔽层。所述黏着带可以从所述经囊封的基板以及半导体晶粒加以剥离，藉此在所述囊封材料上以及在所述基板的侧表面上留下所述EMI遮蔽层的部分，其中所述EMI遮蔽层的其它部分是保持在所述黏着带的部分上。接点可被形成在与所述基板的所述第一表面相对的所述基板的一第二表面上。

Semiconductor device with electromagnetic interference shielding

Semiconductor device with electromagnetic interference shielding. A method for forming a semiconductor device with a method of electromagnetic interference shielding is revealed, and it may include a semiconductor crystal coupled to a substrate with a first surface; using a encapsulation encapsulation to the semiconductor die and a portion of the substrate; the substrate and the semiconductor encapsulation of grain set in the adhesion belt and in the encapsulation material and the substrate on the side surface, and in the adjacent zone of the substrate adhesion and encapsulated part of semiconductor grains formed on the electromagnetic interference (EMI) shielding layer. The adhesive tape can be peeled from the substrate and the encapsulation of semiconductor chips to the encapsulation material and the substrate on the side surface of the left part of the EMI shielding layer, wherein the EMI shielding layer is maintained in other parts of the adhesive tape on the part of. The contact may be formed on a second surface of the substrate opposite to the first surface of the substrate.

【技术实现步骤摘要】
具有电磁干扰遮蔽的半导体装置
本揭露内容的某些范例实施例是有关于半导体芯片封装。更明确地说，本揭露内容的某些范例实施例是有关于一种具有一电磁干扰(EMI)遮蔽的半导体装置。相关的申请案的交互参照本申请案是参考到2015年11月18日申请的韩国专利申请案号10-2015-0162075、主张其优先权并且主张其益处，所述韩国专利申请案的内容是藉此以其整体被纳入在此作为参考。
技术介绍
当半导体封装持续倾向小型化时，被纳入到产品中的半导体装置亦需要具有增进的功能以及缩小的尺寸。此外，为了缩减半导体装置的尺寸，所述半导体装置的面积与厚度是需要加以缩减的。习知及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，通过此种系统与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本揭露内容的比较将会变成是明显的。
技术实现思路
一种具有一电磁干扰(EMI)遮蔽的半导体装置，其实质如同在图式中的至少一图中所示且/或相关所述图叙述的，即如同更完整地在所述权利要求中阐述的。本揭露内容的各种优点、特点以及新颖的特征、以及各种支持实施例的所描绘的例子的细节从以下的说明及图式将会更完整地了解。附图说明图1A及1B是描绘根据本揭露内容的实施例的半导体装置的横截面图。图2A至2E是依序地描绘根据本揭露内容的一实施例的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。图3A至3D是依序地描绘根据本揭露内容的另一实施例的一种制造一半导体装置的方法的横截面图。具体实施方式本揭露内容的某些特点可见于一种具有一电磁干扰(EMI)遮蔽的半导体装置中。本揭露内容的范例特点可包括耦合一半导体晶粒至一基板的一第一表面；利用一囊封材料来囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分；将所述经囊封的基板以及半导体晶粒设置在一黏着带上；以及在所述囊封材料上、在所述基板的侧表面上、以及在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上形成一电磁干扰(EMI)遮蔽层。所述黏着带可以从所述经囊封的基板以及半导体晶粒加以剥离，藉此在所述囊封材料上以及在所述基板的侧表面上留下所述EMI遮蔽层的部分，其中所述EMI遮蔽层的其它部分是保持在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上。接点可被形成在与所述基板的所述第一表面相对的所述基板的一第二表面上。所述接点可包括导电的凸块或是导电的焊盘(lands)。一黏着层可被设置在所述接点以及所述基板的所述第二表面上，使得所述接点是通过所述黏着层而被囊封。所述黏着层可以在所述黏着带的所述剥离中被移除。所述EMI遮蔽层可包括银、铜、铝、镍、钯、以及铬中的一或多种。所述EMI遮蔽层可以耦合至所述基板的一接地电路图案。此揭露内容是提供支持的范例实施例。本揭露内容的范畴并不限于这些范例实施例。例如是在结构、尺寸、材料的类型、以及制程上的变化的许多变化，不论是明确由所述说明书提供的、或是由所述说明书所意涵的，都可以由熟习此项技术者鉴于此揭露内容下加以实施。参照图1A及1B，描绘根据本揭露内容的实施例的半导体装置101及102的横截面图。如同在图1A及1B中所绘，根据本揭露内容的实施例的半导体装置101及102的每一个是包括一基板110、一半导体晶粒120、一模制部分130、以及一电磁干扰(EMI)遮蔽层140。此外，根据本揭露内容的实施例的半导体装置101及102分别可包括导电的凸块150及151。所述基板110可以具有一实质平面的顶表面111、一与所述顶表面111相对的实质平面的底表面112、以及四个被形成在所述顶表面111与所述底表面112之间的侧表面113及114。所述基板110可包括复数个被形成在一绝缘主体115内及/或在所述绝缘主体115的一表面上的电路图案116。所述基板110可以在所述半导体晶粒120与一外部的装置之间提供一电性信号路径，同时提供机械式支撑给所述半导体晶粒120。所述基板110可包括一刚性印刷电路板、一挠性印刷电路板、一陶瓷电路板、一中介体、以及类似的结构中的一种。一刚性印刷电路板可被配置成使得复数个电路图案可被形成在其表面上及/或内部，其利用一苯酚树脂或是一环氧树脂作为一主要的材料。一挠性印刷电路板可被配置成使得复数个电路图案可被形成在其表面上及/或内部，其利用一聚酰亚胺树脂作为一主要的材料。一陶瓷电路板可被配置成使得复数个电路图案被形成在其表面上及/或内部，其利用一陶瓷材料作为一主要的材料。一中介体可包括一硅基的中介体或是一介电材料基的中介体。此外，各种类型的基板都可以在无限制下被利用于本揭露内容中。所述半导体晶粒120可以电连接至所述基板110的电路图案116。所述半导体晶粒120可以例如是通过微凸块121来电连接至所述基板110的电路图案116、或是可以通过导线(未显示)来电连接至所述基板110的电路图案116。所述半导体晶粒120例如可以是通过一质量回焊制程、一热压缩制程或是一雷射接合制程来电连接至所述基板110的电路图案116。所述半导体晶粒120可包括在一水平的方向及/或一垂直的方向上的复数个半导体晶粒。再者，所述半导体晶粒120可包括从一半导体晶圆分开的集成电路芯片。此外，所述半导体晶粒120例如可包括像是中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器、电源管理单元、音频处理器、RF电路、无线基频系统单芯片(SoC)处理器、传感器以及特殊应用集成电路的电路。所述半导体晶粒120的微凸块121可被用来电耦合至例如是焊料球的导电球、例如是铜柱的导电柱、及/或分别具有一被形成在一铜柱上的焊料盖的导电柱。所述模制部分130可以囊封在所述基板110上的半导体晶粒120，藉此保护所述半导体晶粒120以对抗外部的机械/电性/化学的污染或冲击。所述模制部分130可包括一平的顶表面131、以及四个从所述顶表面131在一实质垂直的方向上延伸至所述基板110的侧表面132及133。在一范例情节中，被形成在所述模制部分130上的四个侧表面132及133可以是与所述基板110的四个侧表面113及114共平面的。若所述模制部分130的各种成分中的一填充物在尺寸上是小于在所述半导体晶粒120与基板110之间的一间隙，则所述填充物可以填入在所述半导体晶粒120与基板110之间的空间内，其被称为一种模制的底胶填充(underfill)。在某些情形中，一底胶填充(未显示)可以先被填入在所述半导体晶粒120与基板110之间的间隙中。此外，所述模制部分130例如可包括一囊封材料，例如是一环氧模制化合物、或是一环氧树脂模制化合物。所述模制部分130可以通过例如是转移模制、压缩模制或是注入模制来加以形成。然而，本揭露内容并未将所述模制部分130的材料、以及用于形成所述模制部分130的方法限制到在此揭露者。此外，当一相对刚性的半导体装置被利用时，一种具有一相对高的模数的材料可被使用作为所述模制部分130的材料。当一相对挠性的半导体装置被利用时，一种具有一相对低的模数的材料可被使用作为所述模制部分130的材料。所述电磁干扰(EMI)遮蔽层140可以覆盖或围绕所述基板110以及模制部分130，藉此防止EMI冲击到所述半导体装置。所述EMI遮蔽层140可包括一覆盖所述模制部分130的顶表面131的第一区域141、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成一半导体装置的方法，所述方法包括：耦合一半导体晶粒至一基板的一第一表面；利用一囊封材料以囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分；将所述经囊封的基板以及半导体晶粒设置在一黏着带上；在所述囊封材料上、在所述基板的侧表面上以及在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上形成一电磁干扰遮蔽层；从所述经囊封的基板以及半导体晶粒剥离所述黏着带，藉此在所述囊封材料上以及在所述基板的侧表面上留下所述电磁干扰遮蔽层的部分，其中所述电磁干扰遮蔽层的其它部分是保持在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上。

【技术特征摘要】
2015.11.18 KR 10-2015-0162075;2016.05.09 US 15/1491.一种形成一半导体装置的方法，所述方法包括：耦合一半导体晶粒至一基板的一第一表面；利用一囊封材料以囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分；将所述经囊封的基板以及半导体晶粒设置在一黏着带上；在所述囊封材料上、在所述基板的侧表面上以及在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上形成一电磁干扰遮蔽层；从所述经囊封的基板以及半导体晶粒剥离所述黏着带，藉此在所述囊封材料上以及在所述基板的侧表面上留下所述电磁干扰遮蔽层的部分，其中所述电磁干扰遮蔽层的其它部分是保持在所述黏着带的相邻所述经囊封的基板以及半导体晶粒的部分上。2.根据权利要求1所述的方法，其包括在与所述基板的所述第一表面相对的所述基板的一第二表面上形成接点。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述接点包括导电凸块。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述接点包括导电的焊盘。5.根据权利要求2所述的方法，其包括在所述接点以及所述基板的所述第二表面上设置一黏着层，使得所述接点是通过所述黏着层而被囊封。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述黏着层是在所述黏着带的所述剥离中被移除。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述电磁干扰遮蔽层包括以下的一或多种：银、铜、铝、镍、钯、及/或铬。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电磁干扰遮蔽层是耦合至所述基板的一接地电路图案。9.一种半导体装置，其包括：一基板，其包括一第一表面以及一与所述第一表面相对的第二表面；一半导体晶粒，其是耦合至所述基板的所述第一表面；一囊封材料，其囊封所述半导体晶粒以及所述基板的所述第一表面的部分；以及一电磁干扰遮蔽层，其是在所述囊封材料以及所述基板的在所述第一及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑金硕，山坤书，金凯领，权样义，辛基东，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US