一种硅基双栅器件的键合方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基双栅器件的键合方法。本方法包括：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。本发明专利技术通过金属层和硅层的键合，同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合，无须增加额外的键合层，所形成的背栅合金层厚度可以与设计要求极为贴近，并不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容，并且键合形成的中间层很小。

Bonding method of silicon based double grid device

The invention discloses a bonding method of a silicon based double gate device. The method includes: the preparation of functional layer, function layer and in the production side of the metal layer; preparing substrate layer, substrate layer and insulating layer on the insulating side making; silicon layer; the metal layer and the silicon layer by alloying bonding bonding, forming the back gate metal layer. Complete silicon double gate device bonding. The invention of the metal layer and the silicon layer bonding, while achieving the back gate metal fabrication and device and substrate structure between the bonding, without additional bonding layer, the thickness of the back gate alloy layer formed with the design requirements is very close to the device structure, does not increase the parasitic resistance and parasitic capacitance the middle layer is formed, and the bond is very small.

【技术实现步骤摘要】
一种硅基双栅器件的键合方法
本专利技术涉及晶圆键合以及半导体器件制造领域，尤其涉及一种硅基双栅器件的键合方法。
技术介绍
随着集成电路的发展与消费电子市场的驱动，键合作为半导体制作工艺以及封装中的关键步骤，受到了广泛的关注。近年来，晶圆键合技术以其效率高、键合质量好、应用范围广等优点，逐渐成为研究的热点。随着半导体产业的飞速发展，摩尔定律已经逐渐达到极限，在器件特征尺寸难以缩小的情况下，高迁移率材料制作的器件越来越被人们关注。高迁移率器件通常为非硅基材料，如使用III-V族元素所制作的器件。为了达到衬底优秀的支撑作用与工艺兼容性，需要将器件与硅衬底相结合，通常使用键合的方法来实现。双栅器件以其优异的栅控性能，得到了较多的研究。双栅器件通常需要制作背栅金属，所选用的金属材料是根据器件性能要求与金属功函数要求来决定的。具有背栅金属的双栅器件与衬底之间的键合要求较高，既不能影响金属与背栅之间的界面特性，还不能增加器件的寄生电阻与寄生电容。如粘结剂键合等键合方法则不适用于背栅金属与衬底间的键合。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题鉴于上述问题，本专利技术旨在克服键合时对器件的不利影响，提供了一种用于双栅器件的键合方法，可以满足背栅金属与衬底结构间的键合方法。(二)技术方案一种硅基双栅器件的键合方法，包括如下步骤：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。上述方案中，所述金属层为镍、金、铂、钯、铝、铜、钽和钛中的一种。上述方案中，所述金属层为镍金属层。上述方案中，所述合金化键合工艺为热压合金化键合。上述方案中，所述合金化键合工艺的反应温度介于250至500摄氏度，压力为103至3x107帕斯卡之间。上述方案中，在将所述镍金属层和硅层进行键合之前对金属层和硅层表面进行清洁。上述方案中，对所述金属层和硅层进行清洁的步骤包括使用化学清洗方法或等离子体表面清洗。上述方案中，所述功能层为含有多层材料的InP片或GaAs片；所述绝缘层为氧化硅、氧化铝或氧化铪中的一种或多种。上述方案中，所述金属层是在功能层上采用电子束蒸发的方法形成。上述方案中，在所述功能层上进行后续的器件制作工艺。(三)有益效果与现有双栅结构键合技术相比，本专利技术具有如下优点：(1)通过金属层与硅层热压合金化键合，同时实现了背栅金属的制作与器件和衬底结构间的键合；(2)背栅金属的材料选用无须考虑键合工艺的要求；(3)无须增加额外的键合层，所形成的背栅金属层厚度可以与设计要求极为贴近；(4)不增加器件结构的寄生电阻与寄生电容；键合形成的中间层很小，基本不影响器件性能，背栅金属的功函数基本不受影响。附图说明图1是本专利技术实施例中键合方法的流程示意图。图2为本专利技术实施例中键合前的结构示意图。图3为本专利技术实施例中键合后的结构示意图。图4为本专利技术实施例中器件制作后的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图1至图4，对本专利技术作进一步的详细说明。如图1所示，为本专利技术实施例中键合方法的流程示意图，图2至图4为器件键合前后的结构示意图，具体包括以下步骤：S1：制备功能层，并在功能层一面制作金属层。制备含多层材料的功能层1，在本实施例中功能层使用含有多层材料的3寸InP片制备，除此之外，也可以使用含有多层材料的GaAs片制备。在功能层一面制作镍金属层2，在功能层上用电子束蒸发的方法蒸发100nm的镍，以制成该金属层。S2：准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层。准备器件衬底层3，在本实施例中使用4寸Si片作为器件衬底层。在器件衬底层一面制作绝缘层4，使用等离子增强化学气相沉积法PECVD制备30nm氧化硅，以制成该绝缘层，除此之外，绝缘层4也可使用氧化铝或氧化铪或其与氧化硅的任意组合制备。S3：在绝缘层上制作硅层。在绝缘层上制作硅层5，在本实施例中为蒸发100nm的Si。S4：将镍金属层和硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。首先将镍金属层和硅层的表面均进行洁净处理，在本实施例中使用RIE设备进行Ar等离子体表面处理，除此之外，也可使用化学清洗方法进行表面清洗。将洁净处理后的硅层通过镍硅合金化键合方法键合起来，形成背栅金属层6，在本实施例中使用热压合金化键合，将洁净处理后的镍金属层和硅层热压键合，反应温度介于250至500摄氏度，压力为103至3x107帕斯卡之间，在本实施例中反应温度为350摄氏度，压强为105帕斯卡。在器件功能层上进行后续的器件制作工艺，在本实施例中为制备具有双栅结构的半导体器件，在器件功能层上形成结构7，结构7为双栅器件中的顶栅部分。如图2所示，层1为含有多层材料的InP片形成的器件功能层，层2为蒸发的100nm上镍金属层，层3为硅衬底，层4为30nm氧化硅绝缘层，层5为蒸发的100nm硅层。图3为本专利技术实施例中键合后的结构示意图。如图3所示，图2中的层2和层5，即镍金属层和硅层，通过键合形成了层6背栅金属层。图4为本专利技术实施例中器件制作后的结构示意图。如图4所示，结构7为双栅器件中的顶栅部分。本专利技术实施例以镍金属为例进行说明，但并不限于镍金属，除此之外，金属层也可以为金、铂、钯、铝、铜、钽和钛中的一种。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅基双栅器件的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。

【技术特征摘要】
1.一种硅基双栅器件的键合方法，其特征在于，包括如下步骤：制备功能层，并在功能层一面制作金属层；准备衬底层，并在衬底层一面制作绝缘层；在绝缘层上制作硅层；将所述金属层和所述硅层通过合金化键合工艺键合，形成背栅金属层，完成硅基双栅器件的键合。2.根据权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述金属层为镍、金、铂、钯、铝、铜、钽和钛中的一种。3.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，所述金属层为镍金属层。4.根据权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述合金化键合工艺为热压合金化键合。5.根据权利要求4所述的键合方法，其特征在于，所述合金化键合工艺的反应温度介于250至500摄氏度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王盛凯，徐杨，刘洪刚，孙兵，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11