电子设备制造技术

技术编号:15439075 阅读:185 留言:0更新日期:2017-05-26 04:51
提供了一种电子设备。该电子设备包括半导体存储器。该半导体存储器可以包括:单元阵列,包括按照多个列和多个行布置的多个电阻式存储单元;以及访问电路,施加第一电压或第二电压给多个电阻式存储单元的选中存储单元的第一端,以及施加第三电压给选中存储单元的第二端,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。

Electronic equipment

An electronic device is provided. The electronic device includes a semiconductor memory. The semiconductor memory can include array with multiple columns and multiple rows arranged a plurality of resistive memory cells; and access circuit, a first voltage or the second voltage to the first end of the selected memory multiple resistive memory cell, and applying a third voltage to the selected memory of the second end. The third voltage with the same amplitude and the essence of the first voltage's amplitude, and has the opposite polarity and polarity of the first voltage.

【技术实现步骤摘要】
电子设备相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月13日提交的申请号为10-2015-0159668的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体合并于此。
本公开的示例性实施例涉及一种存储电路或器件及该存储电路或器件在电子设备中的一些应用。
技术介绍
近来,已经对用于取代DRAM和快闪存储器的存储器件积极地进行了研究。这些存储器件中的一种为使用具有如下电阻值的材料的电阻式存储器件,该材料的电阻值根据施加给其的偏置而改变且在不同电阻态之间切换。即,电阻式存储器件使用可变电阻材料。电阻式存储器件的代表示例可以包括电阻式随机存取存储(RRAM)器件、相变随机存取存储(PRAM)器件、磁随机存取存储(MRAM)器件和铁电随机存取存储(FRAM)器件。
技术实现思路
各种实施例针对一种电子设备,在该电子设备中用于施加特定电压给选中电阻式存储单元的两端的电路占据比现有技术的面积小的面积。在一个实施例中,一种电子设备包括半导体存储器。半导体存储器可以包括:单元阵列,包括按照多个列和多个行布置的多个电阻式存储单元;以及访问电路,施加第一电压或第二电压给多个电阻式存储单元的选中存储单元的第一端,以及施加第三电压给选中存储单元的第二端,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。多个电阻式存储单元中的每个电阻式存储单元可以根据多个电阻式存储单元的每个电阻式存储单元中储存的数据的值而具有高电阻态或低电阻态。当执行写入操作时,选中存储单元的电阻值在写入电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时改变,且数据被储存在选中存储单元中,以及当执行读取操作时,与选中存储单元的电阻值相对应的读取电流在读取电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时流经选中存储单元。第一电压可以具有与写入电压的一半相对应的幅度,且与写入电压具有相同的极性。第二电压可以具有与通过从读取电压减去写入电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与读取电压具有相同的极性。第一电压可以具有与读取电压的一半相对应的幅度,且与读取电压具有相同的极性。第二电压可以具有与通过从写入电压减去读取电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与写入电压具有相同的极性。写入电压可以根据要写入至选中存储单元中的数据的值而变化。访问电路可以包括:第一电压泵至第三电压泵,分别产生第一电压至第三电压;第一驱动单元至第三驱动单元,施加第一电压至第三电压给选中存储单元的第一端和第二端;以及第一电容器至第三电容器,第一电容器至第三电容器中的每个耦接在第一电压泵至第三电压泵中的对应的电压泵与第一驱动单元至第三驱动单元中的对应的驱动单元之间。该电子设备还包括微处理器,所述微处理器可以包括:控制单元,被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号,并执行对命令的提取、解码或对微处理器的信号的输入或输出的控制;以及操作单元,被配置成基于控制单元对命令解码的结果来执行操作;以及存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是微处理器中的存储器单元的部件。该电子设备还包括处理器,所述处理器可以包括:核心单元,被配置成通过使用数据而基于从处理器的外部输入的命令来执行与命令相对应的操作;高速缓冲存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址;以及总线接口,连接在核心单元与高速缓冲存储器单元之间,且被配置成在核心单元与高速缓冲存储器单元之间传输数据,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理器中的高速缓冲存储器单元的部件。该电子设备还包括处理系统,所述处理系统可以包括:处理器,被配置成对处理器接收的命令解码,并基于对命令解码的结果来控制针对信息的操作;辅助存储器件,被配置成储存用于对命令解码的程序以及信息;主存储器件,被配置成:从辅助存储器件调用并储存程序和信息,使得处理器在运行程序时能够使用程序和信息来执行操作;以及接口设备,被配置成执行在处理器、辅助存储器件或主存储器件与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部件。该电子设备还包括数据储存系统,所述数据储存系统可以包括:储存器件,被配置成:储存数据,且无论电源如何都保存所储存的数据;控制器,被配置成根据从外部输入的命令来控制将数据输入至储存器件和从储存器件输出数据;暂时储存器件,被配置成暂时地储存在储存器件与外部之间交换的数据;以及接口,被配置成执行储存器件、控制器和暂时储存器件中的至少一种与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是数据储存系统中的储存器件或暂时储存器件的部件。该电子设备还可以包括存储系统。所述存储系统包括:存储器,被配置成:储存数据,且无论电源如何都保存所储存的数据;存储器控制器,被配置成根据从外部输入的命令来控制将数据输入至存储器和从存储器输出数据;缓冲存储器,被配置成对在存储器与外部之间交换的数据进行缓冲;以及接口,被配置成执行存储器、存储器控制器和缓冲存储器中的至少一种与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是存储系统中的存储器或缓冲存储器的部件。在一个实施例中,一种电子设备包括半导体存储器。该半导体存储器可以包括:多个列线;多个行线;多个电阻式存储单元,布置在多个列线与多个行线的相交部分处,多个电阻式存储单元中的每个耦接在多个列线中的对应的列线与多个行线中的对应的行线之间;列电路,施加第一电压或第二电压给多个列线中的选中列线;以及行电路,施加第三电压给多个行线中的选中行线,其中,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。多个电阻式存储单元中的每个可以根据多个电阻式存储单元的所述每个电阻式存储单元中储存的数据的值而具有高电阻态或低电阻态。当执行写入操作可以时,选中电阻式存储单元的电阻值在写入电压被施加给选中电阻式存储单元的第一端和第二端时改变,且数据被储存在选中电阻式存储单元中。当执行读取操作可以时,与选中电阻式存储单元的电阻值相对应的读取电流在读取电压被施加给选中电阻式存储单元时流经选中电阻式存储单元,以及其中,选中电阻式存储单元耦接在选中列线与选中行线之间。第一电压可以具有与写入电压的一半相对应的幅度,且与写入电压具有相同的极性。第二电压可以具有与通过从读取电压减去写入电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与读取电压具有相同的极性。第一电压可以具有与读取电压的一半相对应的幅度,且与读取电压具有相同的极性。第二电压可以具有与通过从写入电压减去读取电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与写入电压具有相同的极性。写入电压可以根据要被写入至选中电阻式存储单元中的数据的值而变化。列电路可以包括:第一电压泵和第二电压泵,分别产生第一电压和第二电压;第一驱动单元和第二驱动单元,分别施加第一电压和第二电压给选中列线;以及第一电容器和第二电容器,第一电容器和第二电容器中的每个耦接在第一电压泵和第二电压泵中的对应的电压泵与第一驱动单元和第二驱动单元中的对应的驱动单元之间。行电路可以包括:第三电压泵,产生第三电压;第本文档来自技高网...
电子设备

【技术保护点】
一种包括半导体存储器的电子设备,其中,半导体存储器包括:单元阵列,包括按照多个列和多个行布置的多个电阻式存储单元;以及访问电路,施加第一电压或第二电压给所述多个电阻式存储单元的选中存储单元的第一端,以及施加第三电压给选中存储单元的第二端,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。

【技术特征摘要】
2015.11.13 KR 10-2015-01596681.一种包括半导体存储器的电子设备,其中,半导体存储器包括:单元阵列,包括按照多个列和多个行布置的多个电阻式存储单元;以及访问电路,施加第一电压或第二电压给所述多个电阻式存储单元的选中存储单元的第一端,以及施加第三电压给选中存储单元的第二端,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。2.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述多个电阻式存储单元中的每个电阻式存储单元根据所述多个电阻式存储单元的所述每个电阻式存储单元中储存的数据的值而具有高电阻态或低电阻态。3.如权利要求1所述的电子设备,其中,当执行写入操作时,选中存储单元的电阻值在写入电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时改变,且数据被储存在选中存储单元中,以及当执行读取操作时,与选中存储单元的电阻值相对应的读取电流在读取电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时流经选中存储单元。4.如权利要求3所述的电子设备,其中,第一电压具有与写入电压的一半相对应的幅度,且与写入电压具有相同的极性,以及第二电压具有与通过从读取电压减去写入电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与读取电压具有相同的极性。5.如权利要求3所述的电子设备,其中,第一电压具有与读取电压的一半相对应的幅度,且与读取电压具有相同的极性,以及第二电压具有与通过从写入电压减去读取电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与写入电压具有相同的极性。6.如权利要求3所述的电子设备,其中,写入电压根据要写入至选中存储单元中的数据的值而变化。7.如权利要求1所述的电子设备,其中,访问电路包括:第一电压泵至第三电压泵,分别产生第一电压至第三电压;第一驱动单元至第三驱动单元,施加第一电压至第三电压给选中存储单元的第一端和第二端;以及第一电容器至第三电容器,第一电容器至第三电容器中的每个耦接在第一电压泵至第三电压泵中的对应的电压泵与第一驱动单元至第三驱动单元中的对应的驱动单元之间。8.如权利要求1所述的电子设备,还包括微处理器,所述微处理器包括:控制单元,被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号,并执行对命令的提取、解码或对微处理器的信号的输入或输出的控制;以及操作单元,被配置成基于控制单元对命令解码的结果来执行操作;以及存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是微处理器中的存储器单元的部件。9.如权利要求1所述的电子设备,还包括处理器,所述处理器包括:核心单元,被配置成通过使用数据而基于从处理器的外部输入的命令来执行与命令相对应的操作;高速缓冲存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址;以及总线接口,连接在核心单元与高速缓冲存储器单元之间,且被配置成在核心单元与高速缓冲存储器单元之间传输数据,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理器中的高速缓冲存储器单元的部件。10.如权利要求1所述的电子设备,还包括处理系统,所述处理系统包括:处理器,被配置成对处理器接收的命令解码,并基于对命令解码的结果控制针对信息的操作;辅助存储器件,被配置成储存用于对命令解码的程序以及信息;主存储器件,被配置成:从辅助存储器件调用并储存程序和信息,使得处理器在运行程序时能够使用程序和信息来执行操作;以及接口设备,被配置成执行处理器、辅助存储器件或主存储器件与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部件。11.如权利要求1所述的电子设备,还包括数据储存系统,所述数据储存系统包括:储存器件,被配置成:储存数据,且无论电源如何都保存所储存的数据;控制器,被配置成根据从外部输入的命令来控制将数据输入至储存器件和从储存器件输出数据;暂时储存器件,被配置成暂时地储存在储存器件与外部之间交换的数据;以及接口,被配置成执行储存器件、控制器和暂时储存器件中的至少一种与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是数据储存系统中的储存器件或暂时储存器件的部件。12.如权利要求1所述的电子设备,还包括存储系统,所述存储系统包括:存储器,被配置成:储存数据,且无论电源如何都保存所储存的数据;存储器控制器,被配置成根据从外部输入的命令来控制将数据输入至存储器和从存储器输出数据;缓冲存储器,被配置成对在存储器与外部之间交换的数据进行缓冲;以及接口,被配置成执行存储器、存储器控制器和缓冲存储器中的至少一种与外部之间的通信,其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是存储系统中的存储器或缓冲存储器的部件。13.一种包括半导体存储器的电子设备,其中,半导体存储器包括:多个列线;多个行线;多个电阻式存储单元,布置在所述多个列线与所述多个行线的相...

【专利技术属性】
技术研发人员:庆箕明尹正赫
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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