一种存储器切换方法及装置制造方法及图纸

技术编号:15437167 阅读:222 留言:0更新日期:2017-05-25 19:21
本发明专利技术提供了一种存储器切换方法,所述方法包括:将高速缓冲存储器Cache RAM配置为紧耦合存储器TCM RAM;判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为Cache RAM时,生成访问Cache RAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCM RAM,生成访问TCM RAM的请求;将生成的访问请求发送到对应的RAM。本发明专利技术还提供了一种存储器切换装置。

Memory switching method and device

The present invention provides a memory switching method, the method comprises the following steps: cache Cache RAM configuration for tightly coupled memory TCM RAM memory; judging the received request to access the memory, when receiving a request to visit the Cache RAM, Cache RAM generating access the type of memory request; when receiving the request to visit the TCM RAM, TCM RAM generating access request; the access request is sent to the corresponding RAM. The invention also provides a memory switching device.

【技术实现步骤摘要】
一种存储器切换方法及装置
本专利技术涉及数据存储技术,尤其涉及一种实现高速缓冲存储器(Cache)和紧耦合存储器(TCM,TightlyCoupledMemory)动态切换的存储器切换方法及装置。
技术介绍
处理器架构中,存储系统是分层次的,离核心越近的存储器,规模越小,读写速度越快。现有的处理器系统中,除了L1Cache,L2Cache之外,大多数处理器系统还有L1TCM;L1TCM的速度很快,访问时间是确定的,但是通常规模较小,无法完全满足实际需求。当对访问速度要求较高的程序工作或者数据在L1TCM放不下时,通常的做法是将程序或对应的数据定义为可Cache的属性,存储到Cache中。但是,这样做的缺点是Cache经过查询的延时之后,如果命中则访问时间相对较短,如果没有命中则访问时间依然很长。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例期望提供一种存储器切换方法及装置,能够有效缩短存储器的访问时间,提高访问性能。为达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:本专利技术实施例提供了一种存储器切换方法,包括:将CacheRAM配置为TCMRAM;判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,生成访问CacheRAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,生成访问TCMRAM的请求;将生成的访问请求发送到对应的RAM。上述方案中,所述将CacheRAM配置为TCMRAM包括:将部分CacheRAM配置为TCMRAM;或者,将全部CacheRAM配置为TCMRAM。上述方案中,所述将CacheRAM配置为TCMRAM包括:改变CacheRAM的分配算法,对将要配置为TCMRAM的CacheRAM不进行查询和分配;将所述不进行查询和分配的CacheRAM建立TCM地址空间和TCMRAM的一一映射,将所述CacheRAM配置为TCMRAM。上述方案中,所述方法还包括:将所述将要配置为TCMRAM的CacheRAM中的数据转移到内存。上述方案中,所述方法还包括:将所述TCMRAM恢复为CacheRAM,并将所述TCMRAM中的数据转移到内存。本专利技术实施例还提供了一种存储器切换装置,所述装置包括:配置模块、控制模块,其中,所述配置模块,用于将CacheRAM配置为TCMRAM;所述控制模块,用于判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,生成访问CacheRAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,生成访问TCMRAM的请求;将生成的访问请求发送到对应的RAM。上述方案中,所述配置模块具体用于:将部分CacheRAM配置为TCMRAM;或者,将全部CacheRAM配置为TCMRAM。上述方案中,所述配置模块具体用于:改变CacheRAM的分配算法,对将要配置为TCMRAM的CacheRAM不进行查询和分配;将所述不进行查询和分配的CacheRAM建立TCM地址空间和TCMRAM的一一映射,将所述CacheRAM配置为TCMRAM。上述方案中,所述配置模块还用于:将所述将要配置为TCMRAM的CacheRAM中的数据转移到内存。上述方案中,所述配置模块还用于:将所述TCMRAM恢复为CacheRAM,并将所述TCMRAM中的数据转移到内存。本专利技术实施例所提供的存储器切换方法及装置,将CacheRAM配置为TCMRAM;判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,生成访问CacheRAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,生成访问TCMRAM的请求,然后将生成的访问请求发送到对应的RAM。如此,能够将已有的CacheRAM来动态的作为TCM使用,在不增加RAM成本的情况下,实现TCM和Cache的动态切换;能够同时实现对CacheRAM和TCMRAM的访问,显著提高数据访问速度,并且保证数据一致性。附图说明图1为本专利技术实施例一存储器切换方法流程示意图;图2为本专利技术实施例二存储器切换方法流程示意图;图3为本专利技术实施例存储器切换装置结构示意图;图4为本专利技术实施例控制模块结构示意图。具体实施方式本专利技术实施例中,先将CacheRAM配置为TCMRAM;再判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,生成访问CacheRAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,生成访问TCMRAM的请求,然后将生成的访问请求发送到对应的RAM。下面结合附图及具体实施例,对本专利技术技术方案的实施作进一步的详细描述。图1为本专利技术实施例一存储器切换方法流程示意图,如图1所示,本实施例存储器切换方法包括以下步骤:步骤101:将CacheRAM配置为TCMRAM;所述将CacheRAM配置为TCMRAM包括:将部分CacheRAM配置为TCMRAM;或者,将全部CacheRAM配置为TCMRAM;在实际应用中,可以根据实际需求,选择将部分或全部CacheRAM配置为TCMRAM,例如,当系统对数据读写的速度要求较高,且涉及的数据量较大时,可以将全部CacheRAM配置为TCMRAM;当系统对数据读写的速度要求一般,且涉及的数据量较小时,可以将一部分CacheRAM配置为TCMRAM,并根据实际需求确定将要配置为TCMRAM的CacheRAM地址范围。具体的,通过更改的CacheRAM的lockdownbyway配置,改变CacheRAM的分配算法,对将要配置为TCMRAM的CacheRAM不进行查询和分配;将所述不进行查询和分配的CacheRAM建立TCM地址空间和TCMRAM的一一映射,将所述CacheRAM配置为TCMRAM。本专利技术实施例中,在将CacheRAM配置为TCMRAM之前,所述方法还包括:将所述将要配置为TCMRAM的CacheRAM中的数据转移到内存。步骤102:判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,执行步骤103;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,执行步骤104;步骤103:生成访问CacheRAM的请求;步骤104:生成访问TCMRAM的请求;本专利技术实施例中,由于TCM地址空间和TCMRAM是一一映射的,即访问TCMRAM相当于100%命中,因此,可以直接产生访问TCMRAM的请求;而访问CacheRAM则需要先查询是否命中,如果命中则生成访问CacheRAM的请求去访问对应的RAM;如果没有命中还需要去访问下一级存储结构。步骤105:将生成的访问请求发送到对应的RAM。本专利技术实施例中,访问CacheRAM和访问TCMRAM的请求产生后,分别进行仲裁处理,得到仲裁后的请求,并发送到相应的RAM。本专利技术实施例中,TCMRAM和CacheRAM可以同时访问,对TCMRAM和CacheRAM的访问控制过程相互独立,从而提高了并行性。在同时访问TCMRAM和CacheRAM的情况下,TCMRAM和CacheRAM可能同时返回数据时,因此,需要同时对数据进行处理,完成数据的读操作和/或写操作,并返回数据和响应。本专利技术实施例中,所述本文档来自技高网...
一种存储器切换方法及装置

【技术保护点】
一种存储器切换方法,其特征在于,所述方法包括:将高速缓冲存储器Cache RAM配置为紧耦合存储器TCM RAM;判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为Cache RAM时,生成访问Cache RAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCM RAM,生成访问TCM RAM的请求;将生成的访问请求发送到对应的RAM。

【技术特征摘要】
1.一种存储器切换方法,其特征在于,所述方法包括:将高速缓冲存储器CacheRAM配置为紧耦合存储器TCMRAM;判断接收到的请求所要访问的存储器,当接收到的请求所要访问的存储器为CacheRAM时,生成访问CacheRAM的请求;当接收到的请求所要访问的存储器类型为TCMRAM,生成访问TCMRAM的请求;将生成的访问请求发送到对应的RAM。2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述将CacheRAM配置为TCMRAM包括:将部分CacheRAM配置为TCMRAM;或者,将全部CacheRAM配置为TCMRAM。3.根据权利要求1或2所述方法,其特征在于,所述将CacheRAM配置为TCMRAM包括:改变CacheRAM的分配算法,对将要配置为TCMRAM的CacheRAM不进行查询和分配;将所述不进行查询和分配的CacheRAM建立TCM地址空间和TCMRAM的一一映射,将所述CacheRAM配置为TCMRAM。4.根据权利要求3所述方法,其特征在于,所述方法还包括:将所述将要配置为TCMRAM的CacheRAM中的数据转移到内存。5.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述方法还包括:将所述TCMRAM恢复为CacheRAM,并将所述TCMRAM中的数据转移到内存。6.一种存储器切...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵世凡孙志文
申请(专利权)人:深圳市中兴微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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