The invention relates to a method for regulating the polarized light induced current of GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas. The method by changing the sample temperature control GaAs/AlGaA two-dimensional electron gas of polarized light induced current: first, the growth of GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas samples by molecular beam epitaxy, and deposited indium electrode in the sample on the diagonal; secondly, to adjust the optical path, the wavelength of the incident laser is 1064nm; finally, the sample is placed in a dewar, the temperature of the sample from 77K to 300K at room temperature, measured with temperature changes linearly polarized light induced current. The method of the invention has remarkable control effect and is easy to implement.
【技术实现步骤摘要】
调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法
本专利技术涉及半导体及固体电子学领域,具体涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法。
技术介绍
线偏振光致电流与光致激发过程、声子散射、静态缺陷散射、载流子在非对称中心散射及光子摇曳效应等相关,因此研究线偏振光电流有利于更好地研究散射机制等多种物理机制。同时,研究线偏振光致电流有利于制备实用的线偏振光相关光电器件,例如偏振探测器,线偏振光伏器件,及光开关等。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法,该方法调控效果显著,且实施简便。为实现上述目的,本专利技术的技术方案包括如下步骤:S1:用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品,并在样品对角上沉积铟电极;S2:调整光路,使入射激光波长为1064nm,并经过光路入射至GaAs/AlGaAs二维电子气样品上;S3:将所述样品置于杜瓦瓶中,使样品温度由77K至室温300K变化,测量样品随温度变化的线偏振光致电流。在本专利技术的实施例中,所述步骤S1中的条件为:用分子束外延法在(001)面GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品;所述样品的生长过程如下,首先在样品上生长10个周期GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格作为缓冲层,再生长大于1μm的GaAs缓冲层,然后生长30nm厚的Al0.3Ga0.7As,进行Si-δ掺杂后再生长50nm厚的Al0.3Ga0.7As,最后生长10nm厚的GaAs。在本专利技术的实施例中,所述GaAs/AlGaA ...
【技术保护点】
一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法,其特征在于:包括如下步骤,S1:用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品,并在样品对角上沉积铟电极;S2:调整光路,使入射激光波长为1064nm,并经过斩波器、起偏器、四分之一波片后入射至GaAs/AlGaAs二维电子气样品上;S3:将所述GaAs/AlGaAs二维电子气样品置于杜瓦瓶中,使样品温度由77K至室温300K变化,测量样品随温度变化的线偏振光致电流。
【技术特征摘要】
1.一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法,其特征在于:包括如下步骤,S1:用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品,并在样品对角上沉积铟电极;S2:调整光路,使入射激光波长为1064nm,并经过斩波器、起偏器、四分之一波片后入射至GaAs/AlGaAs二维电子气样品上;S3:将所述GaAs/AlGaAs二维电子气样品置于杜瓦瓶中,使样品温度由77K至室温300K变化,测量样品随温度变化的线偏振光致电流。2.根据权利要求1所述的调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流的方法,其特征在于:所述步骤S1中的条件为:用分子束外延法在(001)面GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs二维电子气样品;所述样品的生长过程如下,首先在样品上生长10个周期GaAs/Al0.3Ga0.7As超晶格作为缓冲层,再生长大于1μm的GaAs缓冲层,然后生长30nm厚的Al0.3Ga0.7As...
【专利技术属性】
技术研发人员:俞金玲,曾晓琳,程树英,陈涌海,赖云锋,郑巧,
申请(专利权)人:福州大学,
类型:发明
国别省市:福建,35
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