应用于多频率射频信号源的衰减电路制造技术

本实用新型专利技术公开了应用于多频率射频信号源的衰减电路，包括二极管衰减电路，二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接，二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接，二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接。本实用新型专利技术使用多个PIN二极管，组成两条支路，达到阻抗不变的特性，通过选择合适的二极管偏置电流，使得上下两条支路的阻抗从输入端看进去始终保持在一定的阻值，从而使射频信号源中衰减电路之前的滤波器的阻抗失配的影响降到最低。

Attenuation circuit applied to multi frequency radio signal source

The utility model discloses a damping circuit applied to multi frequency RF signal source, including diode attenuator circuit, diode attenuation circuit includes a signal input terminal IN, a resistor R1 and a resistor R2, a resistor R3 and a resistor R4, a capacitor C5, a capacitor C6, a capacitor C7, a diode V8, a diode V9, a diode V10 and a signal output terminal of the OUT the anode, the signal input IN and the diode V8 is connected with anode, cathode and diode V9 diode V8 is connected with the signal output end, the cathode of the diode V9 is connected with OUT. The utility model uses a plurality of PIN diodes, composed of two branches, to achieve constant characteristic impedance, by selecting the appropriate diode bias current, the impedance of the two branches of the input from the see remained in certain resistance, so that the effect of RF signal source impedance attenuation filter circuit before the loss reduction with the lowest.

【技术实现步骤摘要】
应用于多频率射频信号源的衰减电路
本技术涉及衰减电路，具体涉及应用于多频率射频信号源的衰减电路。
技术介绍
PIN二极管有一项已知且特殊的特性，那就是它在射频下的电阻可以随变偏置电流的变化而变化。单一的PIN二极管衰减器是非常简单的，但是这样简单的设计很难达到良好的阻抗匹配，因为二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变，多频率射频信号源中，衰减电路之前连接有滤波电路，它们之间不良的阻抗匹配会带来问题，因为连接到衰减器的滤波器的响应通常会因负载的不同而改变。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是二极管的阻抗会随着偏置电压的变化而改变，衰减器与连接的滤波器之间不良的阻抗匹配会带来问题，目的在于提供应用于多频率射频信号源的衰减电路，使用多个PIN二极管，组成两条支路，使衰减电路的阻抗特性不变，使衰减电路对连接的滤波器的阻抗失配的影响降到最低程度。本技术通过下述技术方案实现：应用于多频率射频信号源的衰减电路，包括二极管衰减电路，二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接，二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接，二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接；电容C5一端连接在二极管V8的阳极，其另一端与二极管V10的阳极连接，二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接；所述电阻R1一端与信号输入端IN连接，其另一端接地；所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上，其另一端接地；电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端，其另一端与电容C6连接；电容C6与电阻R3连接的另一端接地，电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。二极管V8、二极管V9、二极管V10均采用PIN二极管，使用多个PIN二极管，组成两条支路，达到不变的阻抗特性，使衰减电路对连接的滤波器的阻抗失配的影响降到最低程度。进一步地，应用于多频率射频信号源的衰减电路，还包括控制输入端电路，所述控制输入端电路包括电阻R5、电阻R6、电位器R7、电容C8、电感L2、控制输入端ATT，所述电感L2一端连接在电容C5与二极管V10连接的线路上，其另一端与控制输入端ATT连接，电容C8一端连接在电感L2与控制输入端ATT连接的线路上，其另一端接地；电位器R7的中心抽头连接在电感L2与电容C8连接的线路上，电阻R5的一端接正12V电压，其另一端与电位器R7的固定上端连接，电位器R7的固定下端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端接地。为了方便调试，电路中增加了一路由电位器R7的中心抽头给出的控制电压；当控制输入端ATT电压不够高时，整个衰减电路的射频衰减量很大，当控制输入端ATT电压较高时，整个衰减器的射频衰减量减小，当控制输入端ATT电压控制在一定程度时，衰减电路的射频衰减量可以达到最小。进一步地，在信号输入端IN与二极管V8之间还连接有输入调理电路，所述输入调理电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C3、晶振F1，信号输入端IN与二极管V8连接的线路上依次连接有电阻R8、晶振F1、电阻R12、电容C3，所述电阻R11一端连接在电阻R8与晶振F1连接的线路上，其另一端接地；电阻R9一端连接在信号输入端IN与电阻R8连接的线路上，其另一端与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端接地。使用晶振F1为衰减电路提供基本的时钟信号，使用的电阻起到限流、降压、升压的作用。本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本技术使用多个PIN二极管，组成两条支路，达到阻抗不变的特性，通过选择合适的二极管偏置电流，使得上下两条支路的阻抗从输入端看进去始终保持在一定的阻值，从而使射频信号源中衰减电路之前的滤波器的阻抗失配的影响降到最低。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：图1为本技术结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。实施例如图1所示，应用于多频率射频信号源的衰减电路，包括二极管衰减电路，所述二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、电容C9、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接，二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接，二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接，电容C9连接在二极管C9与信号输出端OUT连接的线路上；电容C5一端连接在二极管V8的阳极，其另一端与二极管V10的阳极连接，二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接；所述电阻R1一端与信号输入端IN连接，其另一端接地；所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上，其另一端接地；电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端，其另一端与电容C6连接；电阻R2和电阻R3接地的那一端还连接有电容C4的右端，电容C4左端接地；电容C6与电阻R3连接的另一端接地，电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。控制输入端电路，所述控制输入端电路包括电阻R5、电阻R6、电位器R7、电容C8、电感L2、控制输入端ATT，所述电感L2一端连接在电容C5与二极管V10连接的线路上，其另一端与控制输入端ATT连接，电容C8一端连接在电感L2与控制输入端ATT连接的线路上，其另一端接地；电位器R7的中心抽头连接在电感L2与电容C8连接的线路上，电阻R5的一端接正12V电压，其另一端与电位器R7的固定上端连接，电位器R7的固定下端与电阻R6的一端连接，电阻R6的另一端接地。在信号输入端IN与二极管V8之间还连接有输入调理电路，所述输入调理电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电容C3、晶振F1，信号输入端IN与二极管V8连接的线路上依次连接有电阻R8、晶振F1、电阻R12、电容C3，所述电阻R11一端连接在电阻R8与晶振F1连接的线路上，其另一端接地；电阻R9一端连接在信号输入端IN与电阻R8连接的线路上，其另一端与电阻R10的一端连接，电阻R10的另一端接地。控制输入端ATT是衰减电路的控制电压输入端口，当控制输入端ATT的电压不够高时，由于二极管V10处于反偏状态，所以流经二极管V10的电流极小，二极管V10的电阻很大，从而使电容C5和二极管V10的支路射频通路的电阻很大，而此时二极管V8和二极管V9支路从电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4获得直流正向偏置，有电流流过二极管V8和二极管V9，使二极管V8和二极管V9呈现较低的阻抗，从而使二极管V8、电容C7组成的射频通路的阻抗很低，射频功率从该支路旁路到地，使得整个衰减电路的射频衰减量很大。当控制输入端口ATT的控制电压较高时，二极管V10获得正向偏置，从而有电流从上流过，该电流在降低二极管V10阻抗的同时会在电阻R4上提高其两端的电压，从而使二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
应用于多频率射频信号源的衰减电路，其特征在于，包括二极管衰减电路，所述二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接，二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接，二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接；电容C5一端连接在二极管V8的阳极，其另一端与二极管V10的阳极连接，二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接；所述电阻R1一端与信号输入端IN连接，其另一端接地；所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上，其另一端接地；电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端，其另一端与电容C6连接；电容C6与电阻R3连接的另一端接地，电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。

【技术特征摘要】
1.应用于多频率射频信号源的衰减电路，其特征在于，包括二极管衰减电路，所述二极管衰减电路包括信号输入端IN、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C5、电容C6、电容C7、二极管V8、二极管V9、二极管V10、信号输出端OUT，所述信号输入端IN与二极管V8的阳极连接，二极管V8的阴极与二极管V9的阳极连接，二极管V9的阴极与信号输出端OUT连接；电容C5一端连接在二极管V8的阳极，其另一端与二极管V10的阳极连接，二极管V10的阴极与二极管V9的阴极连接；所述电阻R1一端与信号输入端IN连接，其另一端接地；所述电阻R2一端连接在电阻R1与信号输入端IN连接的线路上，其另一端接地；电阻R3一端连接在电阻R2接地的一端，其另一端与电容C6连接；电容C6与电阻R3连接的另一端接地，电容C6与电阻R3连接的线路上接正12V电压。2.根据权利要求1所述的应用于多频率射频信号源的衰减电路，其特征在于，还包括控制输入端电路，所述控制输入端电路包括电阻R5、电阻R6、电位器R7...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖威，
申请(专利权)人：成都意科科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川,51