The utility model provides an adaptive bias RF power amplifier, including front-end power amplifier, the RF input signal of front-end power amplifier; intermediate power amplifier, RF signal of intermediate power amplifier; the sampling circuit, the output of the front-end power amplifier after RF front signal amplified voltage sampling sampling voltage; rectifier circuit, the sampling voltage into a DC voltage; a low-pass filter circuit, a low-pass filter on the DC voltage; voltage current conversion circuit, the DC voltage through the low-pass filter into the output DC current to the intermediate power amplifier at the bias current; the first field effect transistor, after receiving the RF signal to the intermediate power amplifier, the RF signal is amplified to lose RF output signal. The gain of the adaptive bias radio frequency power amplifier in the utility model is directly adjusted based on the power magnitude of the radio-frequency input signal.
【技术实现步骤摘要】
一种自适应偏置射频功率放大器
本技术涉及一种功率放大器,特别是涉及自适应偏置射频功率放大器。
技术介绍
现有技术中,射频功率放大器(PA)一般分为由三级或四级放大器串联形成,其中,前两级或前三级放大器的增益固定或者根据vramp的值线性增加,末端放大器(输出级放大器)的偏置则由前一级放大器提供。射频功率放大器包括一系列系统参数,其中PVT、开关谱/调制谱等参数,对射频功率放大器在小功率到大功率之间切换的特性做了详细的规定。由于射频功率放大器的增益与vramp呈线性,较难满足所有的系统指标,往往出现满足了小功率开关谱/调制谱,大功率饱和功率却下降;而将大功率饱和功率调大了,却导致小功率开关谱/调制谱指标不通过的现象,两者难以兼顾。
技术实现思路
针对上述问题,本技术针的目的是提供一种自适应偏置射频功率放大器。按照本技术的技术方案:前端功率放大器,其输入端通过第一输入电容接收外部输入的射频输入信号,对射频输入信号进行前端功率放大,并通过其输出端输出经过前端功率放大后的射频信号;中间功率放大器,其输入端通过第二输入电容接收所述前端功率放大器输出的经过前端放大后的射频信号,对所述射频信号进行中间功率放大,并通过其输出端输出经过中间功率放大后的射频信号;采样电路,其输入端通过第三输入电容对所述前端功率放大器输出的经过前端功率放大后的射频信号进行电压采样得到采样电压;整流电路,将所述采样电压转换成直流采样电压;低通滤波电路,对所述直流采样电压进行低通滤波;电压-电流转换电路,将经过低通滤波后的所述直流电压转化成直流采样电流为所述中间功率放大器的输出端提供偏置电流;第一场效应晶 ...
【技术保护点】
一种自适应偏置射频功率放大器,其特征在于,其包括:前端功率放大器,其输入端通过第一输入电容接收外部输入的射频输入信号,对射频输入信号进行前端功率放大,并通过其输出端输出经过前端功率放大后的射频信号;中间功率放大器,其输入端通过第二输入电容接收所述前端功率放大器输出的经过前端放大后的射频信号,对所述射频信号进行中间功率放大,并通过其输出端输出经过中间功率放大后的射频信号;采样电路,其输入端通过第三输入电容对所述前端功率放大器输出的经过前端功率放大后的射频信号进行电压采样得到采样电压;整流电路,将所述采样电压转换成直流采样电压;低通滤波电路,对所述直流采样电压进行低通滤波;电压‑电流转换电路,将经过低通滤波后的所述直流采样电压转化成直流采样电流为所述中间功率放大器的输出端提供偏置电流;第一场效应晶体管,其栅极接受所述中间功率放大器输出的经过中间功率放大后的射频信号,对所述射频信号进行放大后,并通过其漏级输出射频输出信号。
【技术特征摘要】
1.一种自适应偏置射频功率放大器,其特征在于,其包括:前端功率放大器,其输入端通过第一输入电容接收外部输入的射频输入信号,对射频输入信号进行前端功率放大,并通过其输出端输出经过前端功率放大后的射频信号;中间功率放大器,其输入端通过第二输入电容接收所述前端功率放大器输出的经过前端放大后的射频信号,对所述射频信号进行中间功率放大,并通过其输出端输出经过中间功率放大后的射频信号;采样电路,其输入端通过第三输入电容对所述前端功率放大器输出的经过前端功率放大后的射频信号进行电压采样得到采样电压;整流电路,将所述采样电压转换成直流采样电压;低通滤波电路,对所述直流采样电压进行低通滤波;电压-电流转换电路,将经过低通滤波后的所述直流采样电压转化成直流采样电流为所述中间功率放大器的输出端提供偏置电流;第一场效应晶体管,其栅极接受所述中间功率放大器输出的经过中间功率放大后的射频信号,对所述射频信号进行放大后,并通过其漏级输出射频输出信号。2.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器,其特征在于:所述第一场效应晶体管的栅极连接所述中间功率放大器的输出端,所述第一场效应晶体管的源极接地,所述第一场效应晶体管的漏级通过扼流电感与电源端连接,所述第一场效应晶体管的漏级与所述扼流电感的连接点为所述自适应偏置射频功率放大器的输出端。3.如权利要求1所述的自适应偏置射频功率放大器,其特征在于:所述采样电路包括第二场效应晶体管、第三场效应晶体管及第四场效应晶体管,其中:所述第二场效应晶体管的栅极与所述第三场效应晶体管的栅极相连,其连接点为所述采样电路的输入端;所述第二场效应晶体管的源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷良军,承继,
申请(专利权)人:无锡中普微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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