The invention provides a transmission electron microscope sample preparation method and observation method, the preparation method comprises the following steps: providing the observation chip, the chip includes address unit failure observed by electron beam; failure in the first protective layer is formed on the formation of a unit address; tag chip in the observation and the mark on the first side of the protective layer; by ion beam on the first protective layer and the protective layer is formed on the second mark. TEM samples of the present invention provides the preparation method and observation method, through the marker mark the failure to address the location of the unit, TEM sample observation prepared, can quickly and accurately find the failure locations, through the two protective layer can affect the effective protection unit does not address the failure by other operations, formed by ion beam second protective layer is formed by electron beam of the first protective layer is more compact, so as to achieve effective protection for address unit failure.
【技术实现步骤摘要】
透射电镜样品的制备方法及观测方法
本专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种透射电镜样品的制备方法及观测方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的发展,元器件的尺寸日益微缩,半导体芯片在研制、生产和使用过程中不可避免的会出现失效的情况。随着现在半导体芯片对质量和可靠性要求的不断提高,失效分析工作也显得越来越重要,通过芯片失效分析,可以帮助芯片设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。对于芯片中单一比特失效的分析案例,产品失效分析工程师往往需要将这个比特从芯片里切割出来制成样品并放到透射电镜(TransmissionElectronMicroscope,TEM)中去观察该样品是否结构异常。对于在透射电镜中观测的透射电镜样品,通常会观测到完全相同的重复结构,失效地址单元和旁边的正常区域也许只有尺寸上面很细微的差别,以至于技术人员很难的将失效地址单元与正常区域区分开来,在使用聚焦离子束制备透射电镜样品时,如何从一个包含了成百万同样结构的芯片中准确快速的将目标找到至关重要,技术人员往往需要花费较多的时间与精力来定位失效地址单元,导致样品制备的复杂度升高和时间的浪费。因此,如何快速又准确的定位到失效地址单元是本领域技术人员努力的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种透射电镜样品的制备方法及观测方法,以解决现有技术不能即快速又准确的定位到失效地址单元的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种透射电镜样品的制备方法,包括如下步骤:提供待观测芯片,所述待观测芯片包括失效地址单元;通过电子束在所述失效地址单元上形成第一保护层;在所述待观测 ...
【技术保护点】
一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供待观测芯片,所述待观测芯片包括失效地址单元;通过电子束在所述失效地址单元上形成第一保护层;在所述待观测芯片上形成一标记,所述标记在所述第一保护层一侧;通过离子束在所述第一保护层和所述标记上形成第二保护层,以得到透射电镜样品。
【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供待观测芯片,所述待观测芯片包括失效地址单元;通过电子束在所述失效地址单元上形成第一保护层;在所述待观测芯片上形成一标记,所述标记在所述第一保护层一侧;通过离子束在所述第一保护层和所述标记上形成第二保护层,以得到透射电镜样品。2.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法,其特征在于,所述第一保护层的厚度为≥0.5um。3.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法,其特征在于,所述第二保护层的厚度为≥0.3um。4.根据权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层的材料都为金属。5.根据权利要求4所述的透射电镜样品的制备方法,其特征在于,所述第一保护层和所述第二保护层的材料均为金、银、铜、铝和铂中一种。6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:高慧敏,张顺勇,汤光敏,卢勤,
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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