一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，绝缘基板包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层和下桥臂金属层，上桥臂金属层上设有上桥臂芯片单元，下桥臂金属层上设有下桥臂芯片单元，下桥臂金属层包括接线区，上桥臂芯片单元与接线区通过邦定线相连，下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。本实用新型专利技术能够保护靠近直流输入端子的功率器件，降低器件因过载而烧毁的风险，均衡了并联器件的寄生参数，尤其是寄生电感及回路电阻，从而达到均流的效果，避免了某些器件因过流而烧毁，提高了功率模块的可靠性。

Insulated substrate structure and power module using the same

The utility model discloses a power module structure and insulating substrate using the substrate, an insulating substrate comprises a ceramic insulating layer and the metal layer is formed on the ceramic insulating layer, the metal layer includes a metal layer on the bridge arm and the lower bridge arm metal layer, a bridge arm chip unit located on the metal bridge arm layer, metal layer is arranged on the lower bridge arm under the bridge arm chip unit, under the bridge arm metal layer includes wiring area, ARM chip unit and the connection line is connected via a bonding zone, balanced slot insulation is provided between the unit in the connection area and the lower bridge arm chip metal layer under the bridge arm. The utility model can protect the power device near the DC input terminal of the device, reduce the risk due to overload and burn, balance the parasitic parameters of paralleling devices, especially parasitic inductance and loop resistance, thereby achieving both flow effect, avoids certain devices due to over-current and burned, improve the reliability of power modules.

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块
本技术涉及功率半导体模块，尤其涉及一种绝缘基板结构及使用该基板的功率模块。
技术介绍
全球能源危机与气候变暖的威胁让人们在追求经济发展的同时越来越重视节能减排、低碳发展。随着绿色环保在国际上的确立与推进，功率半导体的发展、应用前景更加广阔。当前功率模块的功率等级不断提高，尽管现在功率器件的电流、电压等级不断提升，但单个功率器件仍然无法满足大功率变流器的需求，于是功率模块内部器件的并联成为一种必然选择，而并联的多个器件的均流问题也随之凸显。现有的功率模块所有半桥结构共同连接两个直流输入端子，并且由于功率器件在功率模块内部的位置布局不同，往往造成多个并联器件的寄生参数不一致。功率模块在工作时，寄生参数不同会引起并联器件通过的电流不一致，通过电流较大的芯片可能会出现过流烧毁失效，即使没有造成过流烧毁，此芯片损耗也会比较大、发热比较严重，长期如此功率模块的可靠性也会受到影响。
技术实现思路
技术目的：针对上述现有技术存在的缺陷，本技术旨在提供一种改善并联芯片均流性的绝缘基板结构及使用该基板的功率模块，均衡并联芯片的寄生参数，提高功率模块的可靠性。技术方案：一种绝缘基板结构，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层和下桥臂金属层，上桥臂金属层上设有上桥臂芯片单元，下桥臂金属层上设有下桥臂芯片单元，下桥臂金属层包括接线区，上桥臂芯片单元与接线区通过邦定线相连，下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。进一步的，所述均衡槽起始于靠近直流输入端子的下桥臂金属层的边缘，向远离直流输入端子的方向延伸。进一步的，所述均衡槽的延伸方向与邦定线的邦定方向垂直。进一步的，所述下桥臂芯片单元包括多个并联的功率器件，所述均衡槽最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐。进一步的，所述均衡槽为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。进一步的，所述上桥臂芯片单元的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种，下桥臂芯片单元的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种。进一步的，所述上桥臂芯片单元的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种，下桥臂芯片单元的芯片类型为IGBT、MOSFET和FRD中的一种或多种。一种功率模块，使用上述任一种绝缘基板结构。进一步的，包括直流输入端子、输出端子和多个并联的半桥结构，半桥结构包括绝缘基板和绝缘基板上的芯片集合，每个半桥结构分别连接两个直流输入端子和一个输出端子，至少一个绝缘基板的下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。进一步的，包括顺序排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，位于中间的一个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间设有绝缘的均衡槽。进一步的，包括横向排列的三个半桥结构，每个半桥结构包括纵向排列的两个绝缘基板，靠近直流输入端子的一行三个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间均设有绝缘的均衡槽。进一步的，包括两个半桥结构，每个半桥结构包括一个绝缘基板，每个绝缘基板其下桥臂金属层在接线区与下桥臂芯片单元之间均设有绝缘的均衡槽。有益效果：本技术在绝缘基板上设有均衡槽，能够保护靠近直流输入端子的功率器件，降低器件因过载而烧毁的风险；此外，本技术的功率模块使半桥结构直流输入端彼此独立，减少了输入电阻，便于滤波器的安装。本技术采用每个半桥结构分别连接两个直流输入端子和一个输出端子的结构，避免了现有的功率模块所有半桥结构共同连接两个直流输入端子，保护了靠近直流输入端子的功率器件，解决了距离直流输入端子较远的半桥结构的输入电阻偏大以及无法单独安装滤波电容的问题。本技术均衡了并联器件的寄生参数，尤其是寄生电感及回路电阻，从而达到均流的效果，降低器件因过载而烧毁的风险，提高了功率模块的可靠性。附图说明图1是本技术绝缘基板的结构示意图；图2(a)、图2(b)、图2(c)是三种不同的绝缘基板结构示意图；图3是不同的绝缘基板提取到的寄生电感对比图；图4是MOSFET三相桥功率模块示意图；图5是三相桥MOSFET功率模块电气结构拓扑图；图6是MOSFET功率模块示意图；图7是实施例3的电气结构拓扑图；图8是IGBT三相桥功率模块示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术方案进行详细说明。实施例1：一种绝缘基板结构，及使用该结构的功率模块，绝缘基板结构如图1所示，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，金属层的材料采用铜或者铝，表面镀有镍和金或者镍和银，金属层通过厚膜印刷技术或钎焊技术实现，厚度为0.1mm-1mm。金属层包括上桥臂金属层1和下桥臂金属层2，上桥臂金属层1上烧结或焊接有上桥臂芯片单元3，下桥臂金属层2上烧结或焊接有下桥臂芯片单元4，下桥臂金属层2包括接线区5，上桥臂芯片单元3与接线区5通过邦定线6相连，以下所称邦定线6均是英文bonding的译文，接线区5如图所示，即上桥臂芯片单元3的邦线连接在下桥臂芯片单元4所在绝缘基板上的区域，一般情况下本领域的邦线均为图所示的横向平行排布，接线区5即这些邦线与下桥臂芯片的接触点的集合所形成的区域，下桥臂金属层2在接线区5与下桥臂芯片单元4之间设有实现电气均衡目的绝缘的均衡槽7，均衡槽7是金属层通过刻蚀的工艺形成。功率模块的电压、电流等级不断提高，但单个芯片往往无法满足要求，因此每个桥臂通常是由多个芯片进行并联。本实施例中，一个桥臂由7个功率器件并联组成，如图1中所示，上下桥臂共有自上而下顺序排布的7个功率器件组，图中7个虚线框即7个功率器件组。通常离直流输入端位置较近的功率器件最容易失效，原因是此功率器件回路的寄生电感最小，为了均衡并联芯片回路的寄生电感，现设计了两种绝缘基板结构来改善并联芯片的均流，均衡槽7作为调节寄生参数的一个措施，可以平衡芯片组之间的寄生电感，但不宜过长，原因是均衡槽7增加回路电阻，相应会增加功率模块的静态损耗。均衡槽7的宽度一般与绝缘金属基板上表面铜层的绝缘槽宽度一致，为0.6-1.2mm，下桥臂芯片单元4包括多个并联的功率器件，均衡槽7起始于靠近直流输入端子8的下桥臂金属层2的边缘，向远离直流输入端子8的方向延伸，最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐，此处所述的功率器件顶部是以图中所示的绝缘基板摆放位置为参照的，即绝缘基板靠近直流输入端子8的一端为顶端，若绝缘基板的摆放方向变了，前述的“顶部”仍保持以靠近直流输入端子8的一端为顶，不受视角和摆放方向的限定；并且，本实施例中7个功率器件纵向顺序排列，若在其他实施方式中，多个功率器件不排成一列，而是呈矩阵或其他方式排布，则前述“最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐”中的“最后一个功率器件”指的是最靠近接线区5的一列中距离直流输入端子8最远的一个功率器件。均衡槽7的最优长度与芯片位置及数量有关，且均衡槽7为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。本实施例中结合具体的功率模块进行实验，图2(a)为现有技术的绝缘基板，无电气均衡目的的均衡槽7，图2(b)的绝缘基板有一个电气均衡目的的均衡槽7；其均衡槽7延伸至将近与下桥臂的第二个功率器件的底边平齐；图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘基板结构，其特征在于，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层(1)和下桥臂金属层(2)，上桥臂金属层(1)上设有上桥臂芯片单元(3)，下桥臂金属层(2)上设有下桥臂芯片单元(4)，下桥臂金属层(2)包括接线区(5)，上桥臂芯片单元(3)与接线区(5)通过邦定线(6)相连，下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间设有绝缘的均衡槽(7)。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘基板结构，其特征在于，包括陶瓷绝缘层以及形成于该陶瓷绝缘层上的金属层，所述金属层包括上桥臂金属层(1)和下桥臂金属层(2)，上桥臂金属层(1)上设有上桥臂芯片单元(3)，下桥臂金属层(2)上设有下桥臂芯片单元(4)，下桥臂金属层(2)包括接线区(5)，上桥臂芯片单元(3)与接线区(5)通过邦定线(6)相连，下桥臂金属层(2)在接线区(5)与下桥臂芯片单元(4)之间设有绝缘的均衡槽(7)。2.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)起始于靠近直流输入端子(8)的下桥臂金属层(2)的边缘，向远离直流输入端子(8)的方向延伸。3.根据权利要求2所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)的延伸方向与邦定线(6)的邦定方向垂直。4.根据权利要求2所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述下桥臂芯片单元(4)包括多个并联的功率器件，所述均衡槽(7)最短延伸至与第一个功率器件的顶部平齐，最长延伸至与最后一个功率器件的顶部平齐。5.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述均衡槽(7)为单段绝缘槽或者多段绝缘槽。6.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述上桥臂芯片单元(3)的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种，下桥臂芯片单元(4)的材料为Si、SiC和GaN中的一种或多种。7.根据权利要求1所述的一种绝缘基板结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐文辉，滕鹤松，方赏华，刘凯，
申请(专利权)人：扬州国扬电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32