The utility model discloses an electrochemical plating equipment, the electrochemical plating equipment includes at least one module for electroplating and electroplating process of wafer for at least one edge metal cleaning module, wafer cleaning process of wafer edge at least one module used for isolating electroplating and edge metal cleaning work space isolation module part. By adding components to achieve the electroplating isolation isolation module and edge metal cleaning module working space, in order to avoid the presence of electroplating and wafer edge cleaning process of the same workspace, the wafer bevel cleaning by chemical production process adjustment in the presence of droplet splashing and evaporation phenomenon, leading to the wafer electroplating process the pollution problems, improve the electroplating process of working space cleanliness, improve product yield.
【技术实现步骤摘要】
一种电化学电镀设备
本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种电化学电镀设备。
技术介绍
在半导体制作工艺中,电化学电镀(ElectroChemicalPlating,简称ECP)制作工艺属于金属化制作工艺的其中一阶段,主要是使用电流以提供电子将金属离子转换成金属原子,并于某一界面的金属薄膜沉积的制作工艺,通常是以物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,简称PVD)将铜种层增长为铜金属层。电化学电镀制作工艺主要包括电镀(PlatingCell)、晶片斜边清洗(EdgeBevelRemove,EBR)及回火(Anneal)等制作工艺所组成;其中,晶片斜边清除(EBR)主要是将晶片边缘残余的铜通过例如是过氧化氢(H2O2)与硫酸(H2SO4)的化学调剂进行清洗,以避免晶片边缘残余的铜在而后的化学机械研磨过程中剥离而伤害金属表面,影响后续制作工艺,故必须通过晶片斜边清洗(EBR)制作工艺进行残余铜去除的动作。然而,通常的电化学电镀设备中,在进行晶片斜边清洗(EBR)制作工艺时,其采用的化学调剂存在液滴飞溅及蒸发的现象,会对当前进行电镀工艺的晶片造成污染,导致大量不良芯片(BadDie)的产生,因此急需提供一种新的电化学电镀设备,以解决进行电镀工艺的模块与进行晶片斜边清除工艺的模块存在相互影响,导致产品良率低的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种电化学电镀设备,以解决现有技术中电化学电镀设备存在两种工艺相互影响,导致产品良率低的问题。为了解决上述技术问题,本技术提供一种电化学电镀设备,所述电化学电镀设备,包括:至少一个用于对晶片进行电镀工艺 ...
【技术保护点】
一种电化学电镀设备,其特征在于,包括:至少一个用于对晶片进行电镀工艺的电镀模块、至少一个用于对晶片进行晶片斜边清洗工艺的边缘金属清洗模块、至少一个用于隔离电镀模块和边缘金属清洗模块的工作空间的隔离部件。
【技术特征摘要】
1.一种电化学电镀设备,其特征在于,包括:至少一个用于对晶片进行电镀工艺的电镀模块、至少一个用于对晶片进行晶片斜边清洗工艺的边缘金属清洗模块、至少一个用于隔离电镀模块和边缘金属清洗模块的工作空间的隔离部件。2.如权利要求1所述的电化学电镀设备,其特征在于,还包括用于搬运所述晶片的机械手臂,设置于所述电镀模块、所述边缘金属清洗模块之间。3.如权利要求2所述的电化学电镀设备,其特征在于,所述隔离部件的数量为一个,设置于所述隔离电镀模块和所述边缘金属清洗模块之间,所有的所述电镀模块在同一个工作空间中,所有的所述边缘金属清洗模块在另一个工作空间中。4.如权利要求3所述的电化学电镀设备,其特征在于,所述隔离部件为隔离板。5.如权利要求4所述的电化学电镀设备,其特征在于,所述隔...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊锡宗,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造天津有限公司,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:新型
国别省市:天津,12
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