一种多晶硅还原炉的绝缘组件，包括石墨支撑底座，石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂。多晶硅还原炉的绝缘组件还包括绝缘支撑台，该绝缘支撑台包括用于支撑第一导电臂的第一支撑臂和用于支撑第二导电臂的第二支撑臂。本发明专利技术的多晶硅还原炉的绝缘组件，对于多导电臂的石墨支撑底座对应设计，可以稳定支撑石墨支撑底座，保证多晶硅还原炉内可以高密度生长大量硅棒。
【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉的绝缘组件
本专利技术涉及一种绝缘组件，尤其涉及一种多晶硅还原炉的绝缘组件。
技术介绍
多晶硅生产过程中，还原炉内电极穿过还原炉底盘，将硅芯通过石墨套件及绝缘套件固定在电极上，通过电极为硅芯接通电流，加热硅芯，从而达到发生还原化学气相沉积所需温度。其中石墨套件主要起到固定硅芯、支撑硅棒和与硅芯接触导通电流的作用，绝缘陶瓷环主要起到隔绝电极与还原炉底盘，绝缘保护、避免放电现象发生的作用。一般绝缘套件为陶瓷套件，呈圆环形，嵌套在电极上，起到绝缘隔离电极与还原炉底盘的作用。但是对于异形的电极及石墨结构，这种绝缘套件就难以稳定支撑。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种可以稳定支撑的多晶硅还原炉绝缘组件。一种多晶硅还原炉的绝缘组件，包括石墨支撑底座，石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂。多晶硅还原炉的绝缘组件还包括绝缘支撑台，该绝缘支撑台包括用于支撑第一导电臂的第一支撑臂和用于支撑第二导电臂的第二支撑臂。本专利技术的多晶硅还原炉的绝缘组件，对于多导电臂的石墨支撑底座对应设计，可以稳定支撑石墨支撑底座，保证多晶硅还原炉内可以高密度生长大量硅棒。附图说明图1为本专利技术实施方式一多晶硅还原炉的绝缘组件的示意图。图2为图1所示的多晶硅还原炉的绝缘组件的绝缘支撑台的剖视图。图3为图2所示的绝缘支撑台的俯视图。图4为本专利技术实施方式二的绝缘支撑台的俯视图。图5为本专利技术实施方式三的绝缘支撑台的俯视图。图6为本专利技术实施方式四的绝缘支撑台的剖视图。图7为本专利技术实施方式五的多晶硅还原炉的绝缘组件的剖视图。图8本专利技术实施方式六的绝缘支撑台的俯视图。图9本专利技术实施方式七的绝缘支撑台的俯视图。具体实施方式下面结合图示对本专利技术的多晶硅还原炉的绝缘组件进行详细说明。请参见图1到图3，本专利技术实施方式一的多晶硅还原炉的绝缘组件包括石墨支撑底座21、设置在石墨支撑底座21上的石墨卡瓣23、设置在石墨卡瓣23外部的石墨卡套25、绝缘套31和绝缘支撑台33。其中，石墨卡瓣23用于夹持硅芯，石墨卡套25在石墨卡瓣23夹持硅芯后套在石墨卡瓣23外部，保持石墨卡瓣23能够稳定夹持硅芯。在实施方式一中，石墨支撑底座21与电极12配合固定。石墨支撑底座21包括第一导电臂213和第二导电臂215，第一导电臂213和第二导电臂215对称。第一导电臂213相对于卡槽211的远端端部设置有第一安装部2131，同样地，第二导电臂215相对于卡槽211的远端端部设置有第二安装部2151。第一安装部2131和第二安装部2151上可以分别设置一个石墨卡瓣23和石墨卡套25，用于分别安装一个硅芯，可以提高还原炉使用时多晶硅硅棒的密度。对应地，本案实施方式一的绝缘套31环绕电极设置，绝缘支撑台33与石墨支撑底座21形状相应，包括用于支撑第一导电臂213的第一支撑臂331和用于支撑第二导电臂215的第二支撑臂333。第一支撑臂331上对应于第一安装部2131设置有第一支撑部3311。第二支撑臂333对应于第二安装部2151设置有第二支撑部3331。绝缘支撑台33设置在绝缘套31和石墨支撑底座21之间，这样既能够保持绝缘，又可以对石墨支撑底座21起到支撑作用，即使在硅棒生长的后期，第一支撑部和第二支撑部3331分别对应于第一安装部和第二安装部，可以有效支撑硅棒的重量，也能够保持石墨支撑底座21的稳定。当然，绝缘套31可以省略。请参见图4，本专利技术实施方式二与实施方式一相似，但实施方式二的绝缘支撑台33除了包括第一支撑臂331和第二支撑臂333之外，还包括第三支撑臂335。第一支撑臂331、第二支撑臂333和第三支撑臂335结构相同，三者均匀分布，相邻两者的夹角为120度。每个支撑臂的末端设置有一个支撑部，对应支撑硅芯。实施方式二的结构是对应于具有三条导电臂的石墨支撑底座。请参见图5，本专利技术实施方式三与实施方式二类似，但实施方式三的绝缘支撑台33除了包括第一支撑臂331、第二支撑臂333、第三支撑臂335之外，还包括第四支撑臂337。四个支撑臂成十字分布，两两对称。实施方式三是对应相似结构的石墨支撑底座，即具有四个导电臂，且四个导电臂两两对称呈十字形分布的石墨支撑底座。每一个支撑臂对应支撑一个导电臂，使石墨支撑底座可以稳定使用。每个支撑臂的末端设置有一个支撑部，对应支撑安装在导电臂上的硅芯。可以理解，上述实施方式的支撑臂数量对应导电臂数量设置，还可以增加。请参见图6，本专利技术实施方式四与实施方式一类似，对应的石墨支撑底座具有第一导电臂和第二导电臂，第一导电臂除了末端的第一安装部之外，还在中部设置有第一附加安装部，使得在第一导电臂上可以同时安装两个硅芯。第二导电臂的末端有第二安装部，中部设置有第二附加安装部。绝缘支撑台也有对应的结构，除了第一支撑部3311之外，第一支撑臂331额外对应第一附加安装部设置有第一附加支撑部3313。除了第一支撑部3311之外，第一支撑臂331额外对应第一附加安装部设置有第一附加支撑部3313。除了第二支撑部3331之外，第二支撑臂333额外对应第二附加安装部设置有第二附加支撑部3333。请参见图7，图7为本专利技术的实施方式五与实施方式一类似。如果石墨支撑底座的第一导电臂和第二导电臂的高度不同，第一导电臂高于第二导电臂，那么对应地，第一支撑臂331也会有相应结构匹配，第一支撑臂331末端有凸台3315，对应支撑第一导电臂。请参见图8，本专利技术的实施方式六与实施方式一类似，不同在于，第一支撑臂331和第二支撑臂333中间可转动连接，可以与第一导电臂和第二导电臂活动连接的石墨支撑底座配合使用，对应支撑。请参见图9，本专利技术实施方式七的多晶硅还原炉的绝缘组件的绝缘支撑台33与实施方式一相似，不同在于，第一支撑臂331和第二支撑臂333的底部边缘具有切削部，可以减少物料的使用，节约成本。本专利技术的多晶硅还原炉的绝缘组件，对于多导电臂的石墨支撑底座对应设计，可以稳定支撑石墨支撑底座，保证多晶硅还原炉内可以高密度生长大量硅棒。综上所述，以上仅为本专利技术的较佳实施例而已，不应以此限制本专利技术的范围。即凡是依本专利技术权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆应仍属本专利技术专利涵盖的范围内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的绝缘组件，包括石墨支撑底座，其特征在于：石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂，多晶硅还原炉的绝缘组件还包括绝缘支撑台，该绝缘支撑台包括用于支撑第一导电臂的第一支撑臂和用于支撑第二导电臂的第二支撑臂。
【技术特征摘要】
2016.08.31 CN 20161076317421.一种多晶硅还原炉的绝缘组件，包括石墨支撑底座，其特征在于：石墨支撑底座包括第一导电臂和第二导电臂，多晶硅还原炉的绝缘组件还包括绝缘支撑台，该绝缘支撑台包括用于支撑第一导电臂的第一支撑臂和用于支撑第二导电臂的第二支撑臂。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘组件，其特征在于，第一导电臂包括用于安装硅芯的第一安装部，第二导电臂包括用于安装硅芯的第二安装部，第一支撑臂包括用于支撑第一安装部的第一支撑部，第二支撑臂包括用于支撑第二安装部的第二支撑部。3.如权利要求1所述的多晶硅还原炉的绝缘组件，其特征在于，石墨支撑底座还包括第三导电臂，第三导电臂上设置有安装硅芯的第三安装部，绝缘平台还包括用于支撑第三导电臂的第三支撑臂，第三支撑臂包括用于支撑第三安装部的第三支撑部。4.如权利要求3所述的多晶硅还原炉的绝缘组件，其特征在于，第一支撑臂、第二支撑臂和第三支撑臂均匀分布，相邻导电臂的夹角为120度。5.如权利要求3所...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐林喜，喻波，陈建宇，赵亮，郝爱科，
申请(专利权)人：内蒙古盾安光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15
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