Device for providing end isolation blocking voltage and method for forming the same. In particular embodiments, including blocking voltage device is electrically connected to the first terminal of the P trap, the anode is electrically connected to the first terminal of the n trap, the cathode is electrically connected to the second P well grounding terminal, as well as for the first isolation of P wells and P type substrate n type isolation layer. The first P well and the first n trap operate as blocking diodes. The blocking voltage device also includes an PNPN silicon controlled rectifier (SCR) associated with a P+ region formed in the first n trap, a first n trap, a first p trap, and a N+ region formed in the first p trap. In addition, the blocking voltage device also includes a NPNPN bidirectional SCR associated with the N+ region formed in the first p trap, the first p trap, the N type isolation layer, the second P trap, and the N+ region formed in the second P trap.
【技术实现步骤摘要】
具有集成保护结构的结隔离阻断电压装置及其形成方法
本专利技术的实施例涉及电子系统,更具体地说涉及对集成电路(IC)的保护。
技术介绍
一些电子系统可能暴露至瞬间电事件,或者暴露至具有相对短持续时间、相对较快的改变电压和高功率的电信号。例如,瞬间电事件可包括静电放电(ESD)事件和/或电磁干扰(EMI)事件。瞬间电事件可能由于相对于较小面积的IC的过压情况和/或高程度的功耗而损坏电子系统内的集成电路(IC)。高功耗可增大电路温度,并导致大量问题,例如栅氧击穿、结损坏、金属损坏和/或表面电荷累计。而且,瞬间电事件可引起锁定(换言之,低阻抗路径的不利出现),从而使得IC的功能混乱并且潜在地导致了对IC的永久损害。因此,需要提供一种具有针对这种瞬间电事件(例如在IC的上电和掉电的情况期间)的保护的IC。
技术实现思路
在一个实施例中,一种设备包括p型衬底,布置在p型衬底中的第一p型阱,布置在p型衬底中的与第一p型阱邻接的第一n型阱,布置在p型衬底中的第二p型阱,以及处于第一p型阱、第一n型阱以及第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层。第一p型阱包括电连接至第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区。此外,第一n型阱包括电连接至第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区。而且,第二p型阱包括电连接至第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区。第一p型阱和第一n型阱被配置成操作作为阻塞二极管。此外,第一n型阱的至少一个p型有源区、第一n型阱、第一p型阱以及第一p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为PNPN硅控整流器。而且,第一p型阱的至少一个n型有源 ...
【技术保护点】
一种电子设备,包括:p型衬底;布置在p型衬底中的第一p型阱,其中第一p型阱包括电连接至第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;布置在p型衬底中的与第一p型阱邻接的第一n型阱,其中第一n型阱包括电连接至第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;布置在p型衬底中的第二p型阱,其中第二p型阱包括电连接至第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;以及处于第一p型阱、第一n型阱以及第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层,其中第一p型阱和第一n型阱被配置成操作作为阻塞二极管,其中第一n型阱的至少一个p型有源区、第一n型阱、第一p型阱以及第一p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为PNPN硅控整流器,以及其中第一p型阱的至少一个n型有源区、第一p型阱、n型隔离层、第二p型阱和第二p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为NPNPN双向硅控整流器。
【技术特征摘要】
2012.11.20 US 13/682,2841.一种电子设备,包括:p型衬底;布置在p型衬底中的第一p型阱,其中第一p型阱包括电连接至第一终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;布置在p型衬底中的与第一p型阱邻接的第一n型阱,其中第一n型阱包括电连接至第二终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;布置在p型衬底中的第二p型阱,其中第二p型阱包括电连接至第三终端的至少一个p型有源区和至少一个n型有源区;以及处于第一p型阱、第一n型阱以及第二p型阱的至少一部分下方的n型隔离层,其中第一p型阱和第一n型阱被配置成操作作为阻塞二极管,其中第一n型阱的至少一个p型有源区、第一n型阱、第一p型阱以及第一p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为PNPN硅控整流器,以及其中第一p型阱的至少一个n型有源区、第一p型阱、n型隔离层、第二p型阱和第二p型阱的至少一个n型有源区被配置成操作作为NPNPN双向硅控整流器。2.根据权利要求1所述的电子设备,其中第一n型阱被配置成围绕第一p型阱,而且其中第二p型阱被配置成围绕第一n型阱。3.根据权利要求2所述的电子设备,进一步包括被配置成围绕第二p型阱的第二n型阱,其中n型隔离层延伸至第一p型阱、第一n型阱、第二p型阱以及第二n型阱的至少一部分下方。4.根据权利要求3所述的电子设备,进一步包括被配置成围绕第二n型阱的第三p型阱,其中第三p型阱不毗连第二n型阱,而且其中第三p型阱包括电连接至衬底电压的p型有源区。5.根据权利要求3所述的电子设备,进一步包括第一浅n型区域和第二浅n型区域,其中第一浅n型区域布置在第一n型阱中并处于第一p型阱与第一n型阱的至少一个n型有源区之间,而且其中第二浅n型区域布置在第一n型阱中并处于第二p型阱与第一n型阱的至少一个n型有源区之间。6.根据权利要求5所述的电子设备,其中第一p型阱的至少一个n型有源区包括第一n型有源区和第二n型有源区,而且其中第一p型阱的至少一个p型有源区包括布置在第一和第二n型有源区之间的第一p型有源区。7.根据权利要求6所述的电子设备,其中第一n型阱的至少一个n型有源区包括第三n型有源区和第四n型有源区,而且其中第一n型阱的至少一个p型有源区包括布置在第三和第四n型有源区之间的第二p型有源区。8.根据权利要求7所述的电子设备,其中第二p型阱的至少一个n型有源区包括第五n型有源区和第六n型有源区,而且其中第二p型阱的至少一个p型有源区包括布置在第五和第六n型有源区之间的第三p型有源区。9.根据权利要求8所述的电子设备,进一步包括第一n型有源区下方的第一浅p型区域、第一p型有源区下方的第二浅p型区域、第二n型有源区下方的第三浅p型区域、第五n型有源区下方的第四浅p型区域、第三p型有源区下方的第五浅p型区域、以及第六n型有源区下方的第六浅p型区域。10.根据权利要求9所述的电子设备,其中相对于第一和第二浅n型区域,第一至第六浅p型区域更浅、更窄并具有更高的掺杂浓度。11.根据权利要求5所述的电子设备,其中第一p型阱的至少一个p型有源区包括第一p型有源区和第二p型有源区,而且其中第一p型阱的至少一个n型有源区包括布置在第一和第二p型有源区之间的第一n型有源区。12.根据权利要求6所述的电子设备,其中第一n型阱的至少一个p型有源区包括第三p型有源区和第四p型有源区,而且其中第一n型阱的至少一个n型有源区包括布置在第三和第四p型有源区之间的第二n型有源区。13.根据权利要求7所述的电子设备,其中第二p型阱的至少一个p型有源区包括第五p型有源区和第六p型有源区,而且其中第二p型阱的至少一个n型有源区包括布置在第五和第六p型有源区之间的第三n型有源区。14.根据权利要求1所述的电子设备,其中第一终端是阳极终端,第二终端是阴极终端,而且第三终端是接地终端。15.根据权利要求1所述的电子设...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·J·克拉克,J·A·塞尔瑟多,B·B·莫阿尼,罗娟,S·穆奈尼,K·K·赫弗南,J·特沃米伊,S·D·赫弗南,G·P·考斯格拉维,
申请(专利权)人:美国亚德诺半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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