发光二极管封装件制造技术

本发明专利技术涉及发光二极管封装件。根据本发明专利技术提供发光二极管封装件，包括：生长基板；钝化层，设置于所述生长基板的一侧表面上；以及封装件基板，具备主体部和壁部，所述壁部设置于所述主体部上，其中，至少所述主体部、壁部以及钝化层之间的空间与外部形成封闭。

LED package

The invention relates to a light emitting diode package. According to the present invention provides a light emitting diode package: growth substrate; a passivation layer is arranged on the side surface of the growth substrate; and package substrate, with the main body and the wall, the wall is arranged on the main body part, wherein at least a space between the body and the external part, the wall and the passivation layer to form a closed.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管封装件
本专利技术涉及发光二极管封装件。
技术介绍
发光二极管基本上是作为P型半导体和N型半导体的接合的PN结二极管。在所述发光二极管中，在使P型半导体和N型半导体接合之后，若对所述P型半导体和N型半导体施加电压以使电流流过，则所述P型半导体的空穴朝所述N型半导体侧移动，与此相反，所述N型半导体的电子朝所述P型半导体侧移动，由此所述电子和空穴将朝所述PN结部移送。移动到所述PN结部的电子在从导带（conductionband）跌落至价带（valenceband）的同时与空穴结合。此时，将会产生与所述导带和价带的高度差（即，能量差）相当的能量，所述能量以光的形态释放。这种发光二极管是用于发出光的半导体元件，具有环保、低电压、长寿命以及低成本等特征，以往大多应用在诸如显示用灯或数字等简单的信息显示中，然而，最近随着产业技术的发展，尤其信息显示技术和半导体技术的发展，甚至使用在显示领域、汽车头灯、投影仪等多个方面。图1为示出以往的发光二极管封装件的剖面图。若参照图1进行说明，则以往的发光二极管封装件100可包括发光二极管芯片110、封装件基板120、隔壁130以及玻璃140。此时，所述发光二极管芯片110包括生长基板（未图示）和在所述生长基板（未图示）的一侧表面上具有所述发光二极管（未图示）的发光二极管元件112，且所述发光二极管芯片110可以是以通过凸点114倒装键合于基台（submount）160的形态具备所述二极管元件112的倒装芯片。所述发光二极管芯片110可贴装于所述封装件基板120的一侧表面上而配备。所述封装件基板120可具备电极垫122，该电极垫122贯穿所述封装件基板120而从所述封装件基板120的一侧表面延伸至另一侧表面。此时，所述发光二极管芯片110可通过引线118连接于电极垫122。另一方面，以往的发光二极管封装件100沿着所述封装件基板120的边缘位置具备隔壁130，在所述隔壁130上利用粘接剂150等来粘接玻璃140，由此封闭了所述发光二极管芯片110。因此，在对以往的发光二极管封装件100，尤其倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，由于其结构复杂，所以不仅生产成本高，而且还存在工艺复杂的问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的在于提供一种在对倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，通过在芯片级进行封装而使其结构得以简单化的发光二极管封装件。本专利技术的另一目的在于提供一种光提取效率高的发光二极管封装件。技术方案为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面提供发光二极管封装件：包括：生长基板；钝化层，设置于所述生长基板的一侧表面上；以及封装件基板，具备主体部和壁部，所述壁部设置于所述主体部上，其中，至少所述主体部、壁部以及钝化层之间的空间与外部形成封闭。所述发光二极管封装件还包括半导体结构体层，该半导体结构体层设置于所述生长基板与钝化层之间，且包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，而且所述钝化层可具备使所述第一型半导体层及第二型半导体层的一部分暴露的开口部。所述发光二极管封装件还可包括第一凸点及第二凸点，该第一凸点及第二凸点设置于所述钝化层上，且通过所述钝化层的开口部分别与所述第一型半导体层和第二型半导体层电连接。所述第一凸点及第二凸点可以与分别设置于所述主体部的预定区域，且贯穿所述主体部而设置的第一电极垫及第二电极垫接触。所述凸点和所述电极垫的接触可通过导电性物质而形成。所述半导体结构体层可被设置成表面和侧面被所述钝化层覆盖的形态或者其中的侧面没有被覆盖的形态。所述活性层可被设置成在所述活性层的侧面方向上具有所述封装件基板的壁部。所述钝化层和壁部可通过密封部件而连接。所述密封部件可以是导电性物质。所述钝化层与密封部件之间或所述密封部件与壁部之间可设有密封垫。所述生长基板在其另一侧表面上可形成凹凸。所述封装件基板的主体部和壁部可以是一体型。所述封装件基板的主体部和壁部可由互不相同的物质构成。专利技术效果根据本专利技术，具有如下效果：提供一种在对倒装芯片形态的发光二极管芯片进行封装时，通过在芯片级进行封装而使其结构得以简单化的发光二极管封装件。另外，根据本专利技术，具有如下效果：提供一种光提取效率高的发光二极管封装件。附图说明图1为示出现有的发光二极管封装件的剖面图。图2为示出根据本专利技术的一个实施例的发光二极管封装件的剖面图。图3为示出根据本专利技术的另一实施例的发光二极管封装件的剖面图。图4为示出根据本专利技术的又一实施例的发光二极管封装件的剖面图。具体实施方式以下，参照附图对根据本专利技术的实施例进行详细说明。图2为示出根据本专利技术的一个实施例的发光二极管封装件的剖面图。若参照图2进行说明，根据本专利技术的一个实施例的发光二极管封装件1000可包括发光二极管芯片200及与所述发光二极管芯片200对应的封装件基板300。所述发光二极管芯片200可包括生长基板210、半导体结构体层220、钝化层230以及凸点240。所述封装件基板300可包括主体部310和壁部320。所述主体部310可包括电极垫330。所述生长基板210可以是能够形成以后将说明的半导体结构体层220的任意的基板（即，蓝宝石基板、碳化硅基板或硅基板等），优选地，所述生长基板210可以是蓝宝石基板。所述生长基板210可被设置成120μm以上的厚度，优选为120μm至300μm范围的厚度。此时，优选地，所述生长基板210中厚度与横向长度和纵向长度中的较长的长度之比为0.26以上。例如，当所述生长基板210的一个边的长度为1000μm的正方形时，所述生长基板210的厚度优选为设置成260μm以上，这是因为，所述生长基板210的厚度越厚，光提取效率越高。所述生长基板210在其一侧表面上具备所述半导体结构体层220，所述生长基板210的一侧表面或另一侧表面可具备PPS图案（图形蓝宝石衬底（PatternedSapphireSubstrate））（未图示）。所述PPS图案（未图示）在所述半导体结构体层220中产生的光通过所述生长基板210的另一侧表面向外部发出时，起到减少在所述生长基板210中朝内部全反射而导致的光的损失的作用。即，从光的特性上来讲，光在经过具有互不相同的折射率的两个介质之间时（即，光从所述生长基板210朝外部（即，大气中）行进时），在其边界面（即，所述生长基板210与外部的边界面）上产生反射和透射，而所述PSS图案（未图示）起到使所述反射最小化以增加通过所述生长基板210朝外部发出的光量，从而提高发光效率的作用。所述PSS图案（未图示）在所述生长基板210的另一侧表面上可由半球形的多个突出部形成，但其形态并不局限于此，可形成为多种形态，例如形成为圆锥形态或包括金字塔形态在内的多棱锥形态的凹凸等。所述半导体结构体层220可包括第一型半导体层222、活性层224以及第二型半导体层226。并且，所述半导体结构体层220还可包括缓冲层（未图示）、超晶格层（未图示）或者电子阻挡层（未图示）。此时，所述半导体结构体层220中，除了所述活性层224之外的其他层可被省略。并且，所述半导体结构体层220可被设置成所述第二半导体层226及活性层224的一部分被台面蚀刻而使所述第一型半导体层222的一部分暴露的形态。所述第一型半导体层222可以是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装件，包括：生长基板；钝化层，设置于所述生长基板的一侧表面上；以及封装件基板，具备主体部和壁部，所述壁部设置于所述主体部上，其中，至少所述主体部、壁部以及钝化层之间的空间与外部形成封闭，所述封装件基板的主体部和壁部为一体型，其中，所述发光二极管封装件还包括半导体结构体层，该半导体结构体层设置于所述生长基板与钝化层之间，且包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，所述钝化层具备使所述第一型半导体层及第二型半导体层的一部分暴露的开口部，所述发光二极管封装件还包括第一凸点及第二凸点，该第一凸点及第二凸点设置于所述钝化层上，且通过所述钝化层的开口部分别与所述第一型半导体层和第二型半导体层电连接，所述第一凸点及第二凸点与分别设置于所述主体部的预定区域，且贯穿所述主体部而设置的第一电极垫及第二电极垫接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.07 KR 10-2011-01026891.一种发光二极管封装件，包括：生长基板；钝化层，设置于所述生长基板的一侧表面上；以及封装件基板，具备主体部和壁部，所述壁部设置于所述主体部上，其中，至少所述主体部、壁部以及钝化层之间的空间与外部形成封闭，所述封装件基板的主体部和壁部为一体型，其中，所述发光二极管封装件还包括半导体结构体层，该半导体结构体层设置于所述生长基板与钝化层之间，且包括第一型半导体层、活性层以及第二型半导体层，所述钝化层具备使所述第一型半导体层及第二型半导体层的一部分暴露的开口部，所述发光二极管封装件还包括第一凸点及第二凸点，该第一凸点及第二凸点设置于所述钝化层上，且通过所述钝化层的开口部分别与所述第一型半导体层和第二型半导体层电连接，所述第一凸点及第二凸点与分别设置于所述主体部的预定区域，且贯穿所述主体部而...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴浚镕，徐大雄，张宝榄羡，丁熙哲，李圭浩，金昶勋，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR