A compound semiconductor electrostatic protection element includes three types, each of which comprises a gate gate enhancement type field effect transistor. The first type, a source electrode at least a first resistor is connected with at least one through the gate electrode, and a drain electrode by at least a second resistor is connected with at least one gate electrode; type second, a plurality of gate electrodes in at least one of the at least one fourth resistor is connected between two adjacent gate area; type third. A gate electrode is connected to the source or drain electrode by at least a seventh resistor; the above three types of compound semiconductor electrostatic protection element in any two gate electrode may be a resistor is connected. Protection of electrostatic compound semiconductor device of the present invention provides compound semiconductor using multi gate E FET algebra tandem E FET diode, it can significantly reduce the surface area of element.
【技术实现步骤摘要】
化合物半导体静电保护元件
本专利技术有关一种化合物半导体元件,尤指一种具有静电保护功能的化合物半导体元件。
技术介绍
与外部连接的积体电路容易受到来自操作环境及外围设备如人体或机器所产生的静电放电(electrostaticdischarge,ESD)脉冲所破坏,一次静电放电事件可能在短短几百奈秒(ns)时间即产生瞬间的高电流或高电压脉冲,导致元件性能下降或损坏。为了保护易受破坏的积体电路免受静电放电脉冲的损害,积体电路主要元件的对外端子皆应与静电保护电路连接。化合物半导体元件已被广泛运用于射频电路市场,例如化合物半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)开关,因其在射频波段的高性能,近年来常被应用于3G行动通讯产品中。然而缺乏良好的静电保护装置已成为高电子迁移率晶体管开关在应用上的一个主要缺点。传统上,静电保护电路是由串联二极管所构成。将单一一个增强型场效晶体管(enhancement-modeFET,E-FET)的栅极以一电阻连接到源极,可以等同于一个具有不同正向(Von_forward)及反向(Von_reverse)启动电压的二极管(以下简称为E-FET二极管),如图7A所示:正向导通电压为小且等于E-FET的夹止电压,而反向导通电压为大且由反向栅极漏电流所导致电阻两端的电压降决定。使用不同电阻值的电阻可调整反向导通电压至某种程度,因此,一栅极与源极以一电阻相连的E-FET可用以作为静电保护元件。图7B显示顺向串联两个以上E-FET二极管时,可使正、负启动电压值(Von_p及Von_n)倍增,若两个E-FET二极管以反向相接,则正、负启动电压值皆由单一E ...
【技术保护点】
一种化合物半导体静电保护元件,其特征在于,包括:一个多栅栅极增强型场效晶体管,其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于源极电极与漏极电极间的栅极电极;至少一个第一电阻,通过该第一电阻使该源极电极与该栅极电极中的至少一个连接;以及至少一个第二电阻,通过该第二电阻使该漏极电极与该栅极电极中的至少一个连接,其中该栅极电极中的两个以一个第三电阻连接,且该第三电阻的电阻值为介于2×10
【技术特征摘要】
2012.12.31 US 13/731,9771.一种化合物半导体静电保护元件,其特征在于,包括:一个多栅栅极增强型场效晶体管,其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于源极电极与漏极电极间的栅极电极;至少一个第一电阻,通过该第一电阻使该源极电极与该栅极电极中的至少一个连接;以及至少一个第二电阻,通过该第二电阻使该漏极电极与该栅极电极中的至少一个连接,其中该栅极电极中的两个以一个第三电阻连接,且该第三电阻的电阻值为介于2×102至2×104欧姆之间。2.如权利要求1所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一砷化镓场效晶体管。3.如权利要求2所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一个高电子迁移率场效晶体管或一个伪晶型高电子迁移率场效晶体管。4.如权利要求1所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一个氮化镓场效晶体管。5.如权利要求1所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该第一电阻的电阻值为介于2×102至2×104欧姆之间。6.一种化合物半导体静电保护元件,其特征在于,包括:一个多栅栅极增强型场效晶体管,其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于源极电极与漏极电极间的栅极电极;至少一个第一电阻,通过该第一电阻使该源极电极与该栅极电极中的至少一个连接;以及至少一个第二电阻,通过该第二电阻使该漏极电极与该栅极电极中的至少一个连接,其中该源极电极以及该漏极电极为多指型电极,彼此交叉相邻,而数个栅极电极为设置于源极与漏极多指型电极间的曲折型电极。7.如权利要求6所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一个砷化镓场效晶体管。8.如权利要求7所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一个高电子迁移率场效晶体管或一个伪晶型高电子迁移率场效晶体管。9.如权利要求6所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该多栅栅极增强型场效晶体管为一个氮化镓场效晶体管。10.如权利要求6所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该第一电阻的电阻值为介于2×102至2×104欧姆之间。11.一种化合物半导体静电保护元件,其特征在于,包括:一个多栅栅极增强型场效晶体管,其包括一个源极电极、一个漏极电极以及数个位于源极电极与漏极电极间的栅极电极;以及至少一个第四电阻,通过该第四电阻使该栅极电极中的至少一个与两相邻栅极电极间的栅极间区域连接,其中数个栅极电极中的两个以一个第六电阻连接。12.如权利要求11所述的化合物半导体静电保护元件,其特征在于,该第六电阻的电阻值为介于2×102至2×104欧姆...
【专利技术属性】
技术研发人员:高谷信一郎,锺荣涛,王志伟,苑承刚,刘世明,
申请(专利权)人:稳懋半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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