The invention is applicable to the technical field of LED package provides an LED package method, the encapsulation method of metal etching prior to etching the upper sheet of a plurality of parallel first half etching groove, then the positive and negative electrode of LED coated wafer are respectively welded to the first half etching groove on both sides, after the metal etched sheets coated fluorescent glue covered LED coated wafer and solidified, then in the metal sheet forming etching transparent silicone covering the fluorescent glue and solidified, and then a second etching groove in the metal sheet at the bottom of the first half etching etching and etching groove communicated, finally cut out the LED. This package from the LED, the chip electrode between the welding electrode application ends of the existing metal etching transition for LED positive and negative, makes use of the LED products in the application of the terminal will not increase the difficulty, a stent is completely equivalent to the use of injection molding.
【技术实现步骤摘要】
一种LED封装方法
本专利技术属于LED封装
,尤其涉及一种LED封装方法。
技术介绍
白光LED产品的封装方式是将LED晶片通过固晶胶粘接或共晶焊接的方式固定在支架上,采用金线将晶片的正极连接于支架的正极,晶片的负极连接于支架的负极,再填充符合目标色区的荧光粉。由于支架、晶片胶体的热膨胀系数不同,在支架、固晶胶、金线、胶体等方面容易出现可靠性问题,且LED支架种类繁多,粘接支架正负极的材质为PPA,PCT,EMC材质,在耐高温性,气密性均有较大缺陷,而影响LED产品可靠性;陶瓷支架具有较好的耐高温性和较好的气密性,但支架成本接近晶片成本,且陶瓷支架封装LED制费昂贵,设备投入大,产能小。总之,支架封装结构的LED照明产品在可靠性,使用寿命,产品价格方面均是LED照明产品替代传统照明的较大阻碍。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种LED封装方法,旨在解决现有封装方法所制LED可靠性低的问题。本专利技术实施例是这样实现的,一种LED封装方法,包括以下步骤:于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽;将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁;于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化;于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化;于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽;切割出各LED;其中,所述第二半蚀刻槽的宽度大于第一半蚀刻槽的宽度,所述第二半蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极。本专利技术实施例先于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽,接着将LED覆晶晶片的正 ...
【技术保护点】
一种LED封装方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽;将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁;于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化;于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化;于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽;切割出各LED;其中,所述第二半蚀刻槽的宽度大于第一半蚀刻槽的宽度,所述第二半蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极;切割出各LED之前,于所述第二半蚀刻槽内填充防焊硅胶;所述第一半蚀刻槽的宽度等于LED覆晶晶片正、负极间的距离;所述第一半蚀刻槽的深度略大于LED覆晶晶片的正、负电极之间的最短距离。
【技术特征摘要】
1.一种LED封装方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:于金属蚀刻片上部蚀刻多条平行的第一半蚀刻槽;将LED覆晶晶片的正、负电极分别焊接于所述第一半蚀刻槽的两旁;于所述金属蚀刻片上涂覆覆盖LED覆晶晶片的荧光胶并使之固化;于所述金属蚀刻片上成型覆盖所述荧光胶的透明封装胶并使之固化;于所述金属蚀刻片底部蚀刻与第一半蚀刻槽相通的第二半蚀刻槽;切割出各LED;其中,所述第二半蚀刻槽的宽度大于第一半蚀刻槽的宽度,所述第二半蚀刻槽两旁的金属蚀刻片分别用作LED的正、负极;切割出各LED之前,于所述第二半蚀刻槽内填充防焊硅胶;所述第一半蚀刻槽的宽度等于LED覆晶晶片正、负极间的距离;所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:裴小明,曹宇星,
申请(专利权)人:上海瑞丰光电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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