新型封装结构的半导体器件制造技术

本发明专利技术公开一种新型封装结构的半导体器件，包括图像传感芯片、透明盖板，钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层，支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，所述第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口；金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触。本发明专利技术缓解了应力，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，减小了器件的响应时间，能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求。

Semiconductor device with novel packaging structure

A semiconductor device of the present invention discloses a novel packaging structure, including the image sensor chip, a transparent cover plate, a passivation layer and image sensing chip back surface and a blind hole with the pin pad is electrically connected with the metal conductive pattern layer, supported by the upper and lower cofferdam stacked in a supporting layer and second support cofferdam cofferdam the first layer, support layer is in contact with the transparent plate cofferdam, the cofferdam second support layer is in contact with the image sensor chip, the second supporting layer mask with a plurality of cofferdam inside successive V notch, the second support around the four corner weir layer are provided with an arc-shaped gap; a conductive pattern layer made of titanium metal layer, copper layer, nickel layer and palladium layer are sequentially stacked, contact the titanium layer and a passivation layer. The invention relieves stress, environmental exposure, not susceptible to oxidation corrosion, effectively buffer the blind hole on both sides of the metal which occur in hot and cold environment stress deformation, reduces the response time of the device, can meet the high aspect ratio for deep hole continuous metal layer covering the hole wall requirements.

【技术实现步骤摘要】
新型封装结构的半导体器件
本专利技术涉及一种新型封装结构的半导体器件，属于半导体封装

技术介绍
半导体器件是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。现有晶圆级芯片封装结构主要存在以下技术问题：（1）现有的在晶圆上的盲孔内填充的金属良率有一定的局限性，应力大，可靠性水平低，暴露环境中，极易被氧化腐蚀，导致产品失效，化学性质稳定差，且随着晶圆级封装通孔硅互连技术朝高深宽比的方向发展，法满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求，其次，危害，对环境有污染。所以需要找到一种对环境友好，功能上可以与镀金层媲美的金属镀层来替代镀金；（2）现有封装结构中围堰边缘与感应芯片感光区都需要保留一定的距离，防止在玻璃滚胶、压合的过程中，胶体溢到感应芯片感光区，影响成像品质。由于溢胶的限制，围堰的宽度纯在比较大的局限性，直接影响到CIS产品的可靠性，容易出现分层的问题。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种新型封装结构的半导体器件，该半导体器件缓解了应力暴露环境中，不易被氧化腐蚀，化学性质稳定好，且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求，有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，减小了器件的响应时间。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种新型封装结构的半导体器件，包括图像传感芯片、透明盖板，此图像传感芯片的上表面具有感光区，所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔，此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔，所述图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层，此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘，所述钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层，一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面，此防焊层上开有若干个通孔，一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接，所述支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，此第一支撑围堰层与透明盖板接触，此第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，所述第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，所述第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口；所述金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触。上述技术方案中进一步改进的方案如下：上述方案中，所述盲孔中心处具有防焊柱。由于上述技术方案运用，本专利技术与现有技术相比具有下列优点和效果：1.本专利技术新型封装结构的半导体器件，其钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的金属导电图形层，金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成，所述钛层与钝化层接触，缓解了应力，可靠性高，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，化学性质稳定好，且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求；其次，盲孔中心处具有防焊柱有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效，且减小了器件的响应时间。2.本专利技术新型封装结构的半导体器件，其支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合，支撑围堰由上下叠放的第一支撑围堰层和第二支撑围堰层组成，第二支撑围堰层与图像传感芯片接触，第二支撑围堰层内侧面具有若干个连续排列的V形缺口，第二支撑围堰层四个拐角处均设有弧形缺口，与透明盖板接触的第一支撑围堰层采取光滑设计，胶水在键合的过程中，缺口部位可以有效的聚集溢出的胶水，防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。附图说明附图1为本专利技术新型封装结构的半导体器件结构示意图；附图2为本专利技术新型封装结构的半导体器件中支撑围堰结构示意图；附图3为本专利技术新型封装结构的半导体器件局部结构示意图。以上附图中：1、图像传感芯片；2、透明盖板；3、感光区；4、支撑围堰；41、第一支撑围堰层；42、第二支撑围堰层；5、胶水层；6、盲孔；7、钝化层；8、引脚焊盘；9、金属导电图形层；10、防焊层；11、通孔；12、焊球；13、空腔；14、V形缺口；15、弧形缺口；16、钛层；17、铜层；18、镍层；19、钯层；20、防焊柱。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步描述：实施例：一种新型封装结构的半导体器件，包括图像传感芯片1、透明盖板2，此图像传感芯片1的上表面具有感光区3，所述透明盖板2边缘和图像传感芯片1的上表面边缘之间具有支撑围堰4从而在透明盖板2和图像传感芯片1之间形成空腔13，此支撑围堰4与图像传感芯片1之间通过胶水层5粘合，图像传感芯片1下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔6，所述图像传感芯片1下表面和盲孔6侧表面具有钝化层7，此盲孔6底部具有图像传感芯片1的引脚焊盘8，所述钝化层7与图像传感芯片1相背的表面和盲孔6内具有与引脚焊盘8电连接的具有金属导电图形层9，一防焊层10位于金属导电图形层9与钝化层7相背的表面，此防焊层10上开有若干个通孔11，一焊球12通过所述通孔11与金属导电图形层9电连接，所述支撑围堰4由上下叠放的第一支撑围堰层41和第二支撑围堰层42组成，此第一支撑围堰层41与透明盖板2接触，此第二支撑围堰层42与图像传感芯片1接触，所述第二支撑围堰层42内侧面具有若干个连续排列的V形缺口14，所述第二支撑围堰层42四个拐角处均设有弧形缺口15；所述金属导电图形层9由钛层16、铜层17、镍层18和钯层19依次叠放组成，所述钛层16与钝化层7接触。上述盲孔6中心处具有防焊柱20。采用上述新型封装结构的半导体器件时，其缓解了应力，可靠性高，暴露环境中，不易被氧化腐蚀，化学性质稳定好，且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求；其次，盲孔中心处具有防焊柱有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变，防止产品在恶劣环境下失效，且减小了器件的响应时间；再次，其防止胶水扩散，同时与玻璃接错的围堰部分，可以保证原来的宽度，在不减少支撑围堰宽度保图像传感器件封装结合力的前提下，流动的部分聚集到缺口中，防止了胶水扩散，可靠性增加同时进一步减少了器件体积。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型封装结构的半导体器件，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面和盲孔（6）内具有与引脚焊盘（8）电连接的具有金属导电图形层（9），一防焊层（10）位于金属导电图形层（9）与钝化层（7）相背的表面，此防焊层（10）上开有若干个通孔（11），一焊球（12）通过所述通孔（11）与金属导电图形层（9）电连接，所述支撑围堰（4）由上下叠放的第一支撑围堰层（41）和第二支撑围堰层（42）组成，此第一支撑围堰层（41）与透明盖板（2）接触，此第二支撑围堰层（42）与图像传感芯片（1）接触，所述第二支撑围堰层（42）内侧面具有若干个连续排列的V形缺口（14），所述第二支撑围堰层（42）四个拐角处均设有弧形缺口（15）；所述金属导电图形层（9）由钛层（16）、铜层（17）、镍层（18）和钯层（19）依次叠放组成，所述钛层（16）与钝化层（7）接触。...

【技术特征摘要】
1.一种新型封装结构的半导体器件，其特征在于：包括图像传感芯片（1）、透明盖板（2），此图像传感芯片（1）的上表面具有感光区（3），所述透明盖板（2）边缘和图像传感芯片（1）的上表面边缘之间具有支撑围堰（4）从而在透明盖板（2）和图像传感芯片（1）之间形成空腔（13），此支撑围堰（4）与图像传感芯片（1）之间通过胶水层（5）粘合，图像传感芯片（1）下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔（6），所述图像传感芯片（1）下表面和盲孔（6）侧表面具有钝化层（7），此盲孔（6）底部具有图像传感芯片（1）的引脚焊盘（8），所述钝化层（7）与图像传感芯片（1）相背的表面和盲孔（6）内具有与引脚焊盘（8）电连接的具有金属导电图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖芳奇，吕军，张志良，陈胜，
申请(专利权)人：苏州科阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32