The object of the present invention is to provide an optical semiconductor device having a thin and high efficiency of light extraction. Including the method of manufacturing optical semiconductor device of the present invention: formed in the supporting substrate a plurality of first step away from each other in the first and two conductive member; second process matrix composed of light blocking resin between the first and the two conductive component; the third step the first and the two conductive member mounted optical semiconductor element; with the sealing member covering the optical semiconductor element fourth processes is made of transparent resin; removing the supporting substrate after fifth step optical semiconductor device chip integration. Further, it is characterized in that the first and two conductive members are plated. As a result, an optical semiconductor device having a thin and high light extraction efficiency can be obtained.
【技术实现步骤摘要】
光半导体装置本申请是申请日为2009年9月8日、申请号为200910170535.2、专利技术名称为“光半导体装置及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光灯光源等发光装置、或能够用于摄影机、数码相机等受光装置等的光半导体装置及其制造方法,尤其涉及薄型/小型之类的光的取出效率或对比度优良、能够得到良好成品率的光半导体装置及其制造方法。
技术介绍
近年来,伴随电子设备的小型化/轻量化,搭载于电子设备的发光装置(发光二极管等)或受光装置(CCD或光电二极管等)等光半导体装置也逐渐向小型化开发。这些光半导体装置例如在绝缘基板的双面分别形成了一对金属导体图案的双面通孔印制电路板上使用。具有如在双面通孔印制电路板载置发光元件或受光元件等光半导体元件,使用丝等电导通金属导通图案和光半导体元件的构造。但是,对于这种光半导体装置,使用双面通孔印制电路板是必要条件。该双面通孔印制电路板至少具有0.1mm左右以上的厚度,因此,成为妨碍表面安装型光半导体装置彻底薄型化的原因。所以,需要开发不使用这种印制电路板的构造的光半导体装置(例如专利文献1)。【专利文献1】日本特开2005-79329号公报。在专利文献1公开的发光装置在基板上通过蒸镀等形成薄的金属膜作为电极,并与发光元件一起利用透光性树脂密封,从而,与现有的表面安装型的发光装置相比,能够实现薄型化。但是,由于仅使用透光性树脂,所以光从发光元件向下表面方向漏出,光的取出效率容易降低。虽然公开了设置研钵状的金属膜来反射光之类的构造,但是,为了设置这种金属膜必须在基板 ...
【技术保护点】
一种光半导体装置,其特征在于,具有:光半导体元件,其在下表面具有正负电极;第一导电构件,其与所述光半导体元件的所述正负电极的一方电连接,下表面形成所述光半导体装置的外表面;第二导电构件,其远离所述第一导电构件,连接所述光半导体元件的所述正负电极的另一方,下表面形成所述光半导体装置的外表面;基体,其以对所述第一导电构件和所述第二导电构件之间进行遮光的方式设置,下表面形成所述光半导体装置的外表面且由遮光性树脂构成,所述正负电极与所述第一导电构件及所述第二导电构件在不使用导电性丝的情况下连接,所述基体包围所述光半导体元件的周围,且在所述光半导体元件的各侧面与所述光半导体元件的至少一部分相接。
【技术特征摘要】
2008.09.09 JP 2008-231569;2009.03.11 JP 2009-057251.一种光半导体装置,其特征在于,具有:光半导体元件,其在下表面具有正负电极;第一导电构件,其与所述光半导体元件的所述正负电极的一方电连接,下表面形成所述光半导体装置的外表面;第二导电构件,其远离所述第一导电构件,连接所述光半导体元件的所述正负电极的另一方,下表面形成所述光半导体装置的外表面;基体,其以对所述第一导电构件和所述第二导电构件之间进行遮光的方式设置,下表面形成所述光半导体装置的外表面且由遮光性树脂构成,所述正负电极与所述第一导电构件及所述第二导电构件在不使用导电性丝的情况下连接,所述基体包围所述光半导体元件的周围,且在...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤友正人,玉置宽人,西岛慎二,反田祐一郎,三木伦英,
申请(专利权)人:日亚化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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