光半导体装置制造方法及图纸

技术编号:15398584 阅读:269 留言:0更新日期:2017-05-22 14:13
本发明专利技术的目的在于提供一种薄型且光取出效率高的光半导体装置。本发明专利技术的光半导体装置的制造方法包括:在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序;在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序;在第一及第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序;用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序;除去支承基板之后,将光半导体装置分片化的第五工序。另外,其特征在于,第一及第二导电构件为镀敷件。由此,能够得到薄型且光取出效率高的光半导体装置。

Optical semiconductor device

The object of the present invention is to provide an optical semiconductor device having a thin and high efficiency of light extraction. Including the method of manufacturing optical semiconductor device of the present invention: formed in the supporting substrate a plurality of first step away from each other in the first and two conductive member; second process matrix composed of light blocking resin between the first and the two conductive component; the third step the first and the two conductive member mounted optical semiconductor element; with the sealing member covering the optical semiconductor element fourth processes is made of transparent resin; removing the supporting substrate after fifth step optical semiconductor device chip integration. Further, it is characterized in that the first and two conductive members are plated. As a result, an optical semiconductor device having a thin and high light extraction efficiency can be obtained.

【技术实现步骤摘要】
光半导体装置本申请是申请日为2009年9月8日、申请号为200910170535.2、专利技术名称为“光半导体装置及其制造方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及能够用于显示装置、照明器具、显示器、液晶显示器的背光灯光源等发光装置、或能够用于摄影机、数码相机等受光装置等的光半导体装置及其制造方法,尤其涉及薄型/小型之类的光的取出效率或对比度优良、能够得到良好成品率的光半导体装置及其制造方法。
技术介绍
近年来,伴随电子设备的小型化/轻量化,搭载于电子设备的发光装置(发光二极管等)或受光装置(CCD或光电二极管等)等光半导体装置也逐渐向小型化开发。这些光半导体装置例如在绝缘基板的双面分别形成了一对金属导体图案的双面通孔印制电路板上使用。具有如在双面通孔印制电路板载置发光元件或受光元件等光半导体元件,使用丝等电导通金属导通图案和光半导体元件的构造。但是,对于这种光半导体装置,使用双面通孔印制电路板是必要条件。该双面通孔印制电路板至少具有0.1mm左右以上的厚度,因此,成为妨碍表面安装型光半导体装置彻底薄型化的原因。所以,需要开发不使用这种印制电路板的构造的光半导体装置(例如专利文献1)。【专利文献1】日本特开2005-79329号公报。在专利文献1公开的发光装置在基板上通过蒸镀等形成薄的金属膜作为电极,并与发光元件一起利用透光性树脂密封,从而,与现有的表面安装型的发光装置相比,能够实现薄型化。但是,由于仅使用透光性树脂,所以光从发光元件向下表面方向漏出,光的取出效率容易降低。虽然公开了设置研钵状的金属膜来反射光之类的构造,但是,为了设置这种金属膜必须在基板上设置凹凸。从而,由于发光装置小型化,所以该凹凸极其微细,不仅加工困难,也容易产生由于凹凸构造使得基板的剥离时容易破损而使成品率降低等问题。另外,用于显示器等情况下,若仅使用透光性树脂,则对比度容易变差。
技术实现思路
为了解决以上课题,本专利技术的光半导体装置的制造方法的特征在于,包括:在支承基板上形成多个相互远离的第一及第二导电构件的第一工序;在第一及第二导电构件之间设置由遮光性树脂构成的基体的第二工序;在第一及/或第二导电构件上载置光半导体元件的第三工序;用由透光性树脂构成的密封构件覆盖光半导体元件的第四工序;除去支承基板之后,将光半导体装置分片化的第五工序。由此,能够容易地形成光取出效率优良的薄型的光半导体装置。另外,本专利技术的光半导体装置,其特征在于,具有:光半导体元件;第一导电构件,其上表面载置光半导体元件,下表面形成光半导体装置的外表面;第二导电构件,其远离第一导电构件,下表面形成光半导体装置的外表面;基体,其设置在第一导电构件和第二导电构件之间且由遮光性树脂构成;密封构件,其密封光半导体元件且由透光性树脂构成,第一及第二导电构件为镀敷件。由此,能够成为薄型的光半导体装置。专利技术效果根据本专利技术,能够成品率良好地形成薄型的光半导体装置。另外,即使为薄型的光半导体装置,也能够防止来自发光元件的光从下表面侧漏出,得到光的取出效率提高了的光半导体装置及对比度提高了的光半导体装置。附图说明图1A是表示本专利技术的光半导体装置的整体及内部的立体图。图1B是图1A的光半导体装置的A-A’截面的剖视图及局部放大图。图2A~2H是说明本专利技术的光半导体装置的制造方法的工序图。图3A是表示本专利技术的光半导体装置的整体及内部的立体图。图3B是图3A的光半导体装置的B-B’截面的剖视图。图4A~4D是说明本专利技术的光半导体装置的制造方法的工序图。图5是表示本专利技术的光半导体装置的整体及内部的立体图。图6A是表示本专利技术的光半导体装置的立体图。图6B是图6A的光半导体装置的C-C’截面的剖视图。图7A是本专利技术的光半导体装置的剖视图。图7B是图7A的光半导体装置的局部放大剖视图。符号说明:100、200、300、400、500-光半导体装置(发光装置)101、101’、201、301、401、501-第一导电构件102、202、302、402、502-第二导电构件103、203、303、403、503-光半导体元件(发光元件)104、204、304、404、504-密封构件105、105’、205、205’、305、405、505-导电丝106、206、306、406、506-基体206a-基体的底面部206b-基体的突出部210、310-保护元件1000、2000-光半导体装置的集合体1010、2010-第一导电构件1020、2010-第二导电构件1030、2030-光半导体元件(发光元件)1040、2040-密封构件1050、2050-导电性丝1060、2060-基体2060a-基体的底部2060b-基体的突出部1070、2070-支承基板1080-保护膜(抗蚀剂)1090-掩膜X、Y-突起部S1、S2-凹部具体实施方式以下,参照附图说明用于实施本专利技术的最佳方式。但是,以下所示的方式仅是对本专利技术的光半导体装置及其制造方法的例示,并不是将本专利技术限定于以下方式。另外,本说明书并没有将权利要求书公开的构件限定于实施方式的构件。特别是,在实施方式记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有限定的记载,就不是将本专利技术的范围限定于其的意思,仅仅是说明例。此外,各图面所示的构件的大小和位置关系等为了清楚地进行说明而夸张示出。并且,在以下的说明中,对同一名称、符号表示同一或相同性质的构件,适当省略详细说明。<实施方式1>在图1A、图1B示出了本实施方式的光半导体装置(发光装置)100。图1A是发光装置100的立体图,图1B是表示图1A所示的发光装置100的A-A’截面的剖视图。在本实施方式中,如图1A、图1B所示,发光装置100具有:发光元件103;与发光元件103电连接的第一导电构件101、101’;与第一导电构件101、101’远离,且载置有发光元件103的第二导电构件102;覆盖发光元件103,并且与第一导电构件101、101’及第二导电构件102相接的密封构件104。并且,其特征在于,在第一导电构件101、101’和第二导电构件102之间具有由能够遮挡来自发光元件103的光的树脂构成的基体106。(基体106)在本实施方式中,基体106为通过添加具有遮光性的各种填充材料等而能够遮挡来自发光元件103的光的树脂,其设置在第一导电构件101、101’和第二导电构件102之间。通过在上述位置设置遮光性的基体106,能够抑制来自发光元件103的光从发光装置100的下表面侧向外部漏出,从而能够提高光向上表面方向的取出效率。基体106的厚度只要能够抑制光向发光装置100的下表面侧泄露的厚度即可。另外,基体106优选设置为与第一导电构件101、101’的侧面和第二导电构件102的侧面两方相接,即,密封构件104不夹设在第一导电构件101、101’与基体106、第二导电构件102与基体106之间。第一导电构件101、101’和第二导电构件102的宽度与发光装置100的宽度不同的情况下,例如,如图1A所示,第一导电构件101、101’的宽度比发光装置100的宽度窄,该第一导电构件101、101’的侧面与发光装置100的侧面远离的情况下,也可以在该部分设置基体。通过如此设置,发光装置1本文档来自技高网
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光半导体装置

【技术保护点】
一种光半导体装置,其特征在于,具有:光半导体元件,其在下表面具有正负电极;第一导电构件,其与所述光半导体元件的所述正负电极的一方电连接,下表面形成所述光半导体装置的外表面;第二导电构件,其远离所述第一导电构件,连接所述光半导体元件的所述正负电极的另一方,下表面形成所述光半导体装置的外表面;基体,其以对所述第一导电构件和所述第二导电构件之间进行遮光的方式设置,下表面形成所述光半导体装置的外表面且由遮光性树脂构成,所述正负电极与所述第一导电构件及所述第二导电构件在不使用导电性丝的情况下连接,所述基体包围所述光半导体元件的周围,且在所述光半导体元件的各侧面与所述光半导体元件的至少一部分相接。

【技术特征摘要】
2008.09.09 JP 2008-231569;2009.03.11 JP 2009-057251.一种光半导体装置,其特征在于,具有:光半导体元件,其在下表面具有正负电极;第一导电构件,其与所述光半导体元件的所述正负电极的一方电连接,下表面形成所述光半导体装置的外表面;第二导电构件,其远离所述第一导电构件,连接所述光半导体元件的所述正负电极的另一方,下表面形成所述光半导体装置的外表面;基体,其以对所述第一导电构件和所述第二导电构件之间进行遮光的方式设置,下表面形成所述光半导体装置的外表面且由遮光性树脂构成,所述正负电极与所述第一导电构件及所述第二导电构件在不使用导电性丝的情况下连接,所述基体包围所述光半导体元件的周围,且在...

【专利技术属性】
技术研发人员:藤友正人玉置宽人西岛慎二反田祐一郎三木伦英
申请(专利权)人:日亚化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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